技术总结
本发明公开一种半导体硅片微点电镀槽，包括电镀腔(1)和镀液槽(2)；电镀腔(1)分成外槽(11)和内槽(12)，内槽(12)底部内侧放置阳极电极板(31)，待镀半导体硅片(4)搁置在内槽(12)顶部周边均布4个向上的突起(13)上，上面放有阴极电极板(32)；电镀腔(1)和镀液槽(2)之间通过镀液管(6)形成镀液循环；镀液槽(2)内设有镀液泵(5)，镀液泵(5)的出口接一镀液上液管(61)，镀液上液管(61)穿过外槽(11)和内槽(12)及阳极电极板(31)，与内槽(12)内部相通；外槽(11)上开有回液孔(14)，回液孔(14)位于内槽(12)之外。本发明的电镀槽，大规模半导体芯片均匀微点电镀而不产生镀瘤或黏连。
技术研发人员：姜世杭
受保护的技术使用者：扬州大学
文档号码：201710109734
技术研发日：2017.02.28
技术公布日：2017.05.10