镀覆装置及镀覆方法与流程

本发明涉及镀覆装置及镀覆方法。

背景技术：

以往，在设于半导体晶片等表面的微细配线用沟槽、孔洞、或光阻开口部中形成配线，或于半导体晶片等的表面形成与封装的电极等电连接的凸块(突起状电极)。作为形成该配线及凸块的方法，例如，电解镀覆法、蒸镀法、印刷法、焊球凸块法等已为人所知，但随着半导体芯片的I/O数增加、间距细化，逐渐大量使用可微细化且性能较稳定的电解镀覆法。

以电解镀覆法对基板进行镀覆，是预先在形成有晶种层的半导体晶片等基板上形成光阻图案。接着，对于形成有光阻图案的基板照射紫外光(以下称为UV或Ultra Violet)等，以去除基板表面上的光阻残渣(灰化处理)，并且进行光阻表面的亲水化处理(去渣处理)。

经灰化处理及去渣处理的基板，被运送至镀覆装置，并保持于基板保持架。基板保持架具有用于对基板供电的电接点。基板保持架的电接点构成为在基板保持于基板保持架时与未涂布光阻的基板的边缘部上的晶种层接触。这样的基板保持架例如揭示于专利文献1中。通过将被保持于基板保持架的基板浸渍于镀覆液中，并且在阳极与基板之间施加电压，可在基板表面形成镀覆膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-363794号公报

发明要解决的课题

以往的镀覆方法中，在进行灰化处理及去渣处理之后，并非直接进行镀覆处理。也即，是在进行灰化处理及去渣处理之后经过规定的时间，基板才被保持于基板保持架。此时，因为在灰化处理及去渣处理后经过一段时间，因此有在基板边缘部上的晶种层上形成氧化膜或是附着有从光阻挥发的有机物的情况。若在成为基板与电接点接触的基板边缘部上的晶种层形成氧化膜或是附着有机物，则基板保持架的电接点的接触电阻产生不均，而具有镀覆膜厚的均匀性变差的问题。

技术实现要素：

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的之一是防止镀覆膜厚的均匀性变差，该镀覆膜厚的均匀性变差的原因在于形成于基板的边缘部的氧化膜及附着于基板的边缘部的有机物的至少任一者。

解决课题的手段

根据本发明的一方式，提供一种对基板进行镀覆的镀覆装置。该镀覆装置包含：边缘部清洗装置，该边缘部清洗装置局部去除存在于所述基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者；及镀覆槽，该镀覆槽收纳镀覆液，且用于在使基板与阳极浸渍于该镀覆液的状态下，在该基板与该阳极间施加电压，以进行镀覆。

根据这一方式，可在基板设于基板保持架之前，局部地去除存在基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一种。因此，不会对形成于基板的边缘部以外的表面的光阻图案造成不良的影响，并且抑制存在于基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者造成基板保持架的电接点的接触电阻不均，而可防止镀覆膜厚的均匀性变差。

本发明的一方式中，所述边缘部清洗装置包含有机物脱离装置，该有机物脱离装置使存在于所述基板的边缘部的有机物局部地脱离，所述有机物脱离装置包含UV照射装置或等离子放射装置，该UV照射装置对旋转的所述基板的边缘部照射UV，该等离子放射装置对旋转的所述基板的边缘部放射等离子。

一般而言，镀覆的基板上涂有光阻，若对该光阻放射UV或等离子，可能导致光阻变质而受到损伤。根据这一方式，可局部地对基板的边缘部放射UV或等离子。由此，不会对基板的边缘部以外的表面、即基板上涂有光阻的部分放射UV或等离子，故可在不对基板上的光阻造成损伤的情况下，使基板的边缘部的有机物脱离。

本发明的一方式中，镀覆装置包含对准器，该对准器使所述基板旋转以整齐排列该基板的朝向，所述有机物脱离装置设于所述对准器。

根据这一方式，因为有机物脱离装置设于对准器，故通过对准器使基板旋转，可通过UV照射装置或等离子照射装置对基板的边缘部进行处理。因此，有机物脱离装置中无需设置使基板旋转的机构，故可降低成本。另外，通过将有机物脱离装置设于对准器，可降低镀覆装置整体的占地面积。

本发明的一方式中，所述UV照射装置或所述等离子放射装置配置于能够从所述基板的上方对该基板的边缘部局部施用UV或等离子的位置。

本发明的一方式中，所述边缘部清洗装置包含氧化膜去除装置，该氧化膜去除装置局部去除存在于所述基板的边缘部的氧化膜，所述氧化膜去除装置包含药液清洗装置，该药液清洗装置具备对旋转的所述基板的边缘部供给药液的药液喷嘴。

一般而言，镀覆的基板上形成有晶种层，若在该晶种层上附着药液的状态下放置，则具有晶种层溶解的担忧。因此，镀覆的基板的边缘以外的部分、即从光阻图案的开口露出的晶种层附着有药液的情况下，为了避免药液残留，而必需充分地清洗。根据这一方式，可对基板的边缘部局部地供给药液。由此，药液不会附着于从光阻图案的开口露出的晶种层，而可去除形成于基板的边缘部的氧化膜。因此，相较于药液附着于基板整个面上的情况，可大幅缩短基板的清洗时间。

本发明的一方式中，所述药液包含3wt％以上且15wt％以下的稀硫酸或2wt％以上且20wt％以下的柠檬酸。

在由药液去除基板的边缘部的氧化膜时，必需避免基板的边缘部上的晶种层溶解。根据这一方式，可在不溶解基板的边缘部上的晶种层的情况下，去除氧化膜。又，若稀硫酸小于3wt％或柠檬酸小于2wt％，则酸浓度过低，而具有无法适当去除氧化膜的担忧。另外，若稀硫酸超过15wt％或柠檬酸超过20wt％，则酸浓度过高，而具有基板的边缘部上的晶种层溶解的担忧。

本发明的一方式中，镀覆装置包含旋转冲洗干燥装置，该旋转冲洗干燥装置构成为使所述基板旋转以使所述基板干燥，所述氧化膜去除装置设于所述旋转冲洗干燥装置。

根据这一方式，因为氧化膜去除装置设于旋转冲洗干燥装置，故可一边通过旋转冲洗干燥装置使基板旋转，一边以药液清洗装置对基板的边缘部进行处理。另外，旋转冲洗干燥装置一般具有防止基板上的液体飞散的罩盖，故可防止药液清洗装置所供给的药液飞散至旋转冲洗干燥装置的外部。因此，氧化膜去除装置中无需设置使基板旋转的机构及防止药液飞散的罩盖，故可减低成本。另外，通过将氧化膜去除装置设于旋转冲洗干燥装置，可降低镀覆装置整体的占地面积。

本发明的一方式中，所述药液清洗装置配置于能够从所述基板上方对该基板的边缘部局部地供给药液的位置。

本发明的一方式中，镀覆装置包含海绵清洗装置，该海绵清洗装置去除存在于所述基板的边缘部的粒子。

根据这一方式，可防止基板保持架的电接点与基板的边缘部上的晶种层之间夹入粒子，进而可抑制因粒子导致接触电阻变差的情况。

本发明的一方式中，镀覆装置包含传感器，该传感器以如下方式构成：对于存在于所述边缘部的有机物及氧化膜的至少一者被局部地去除的基板的所述边缘部照射光线，并且测定反射的光的强度或吸光度。

根据这一方式，通过测定反射的光强度或吸光度，可判定存在于边缘部的有机物及氧化膜的至少一者被局部地去除的基板的边缘部的污染物质是否已充分去除。由此，可在镀覆处理前判定基板的边缘部是否存在污染物质，之后针对边缘部不存在污染物质的基板进行镀覆处理，故可更确实防止基板保持架所具有的电接点的接触电阻不均导致基板W镀覆膜厚的平面均匀性变差等。

根据本发明的一方式，可提供对基板进行镀覆的镀覆方法。该镀覆方法包含如下工序：去除工序，该去除工序局部地去除存在于所述基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者；保持工序，该保持工序将所述基板保持于基板保持架；及镀覆处理工序，该镀覆处理工序对保持于所述基板保持架的所述基板进行镀覆处理。

根据这一方式，可在设于基板保持架之前，局部地去除存在于基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者。因此，不会对形成于基板的边缘部以外的表面的光阻图案造成不良影响，而可抑制存在于基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者所造成的基板保持架的电接点的接触电阻不均，进而可防止镀覆膜厚的均匀性变差。

本发明的一方式中，镀覆方法包含如下工序：光阻图案形成工序，该光阻图案形成工序在所述基板形成光阻图案；及灰化工序，该灰化工序将所述光阻图案灰化；所述去除工序是在所述灰化工序之后进行的。

根据这一方式，因为在灰化工序之后进行去除工序，故即使在灰化工序之后经过规定时间而导致有机物附着及氧化膜的至少一者形成于基板的边缘部，也可经由去除工序局部地去除存在于基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者。

本发明的一方式中，所述去除工序包含对所述基板的边缘部局部地放射UV或等离子的工序。

一般而言，镀覆的基板上涂有光阻，若对该光阻放射UV或等离子，则可能导致光阻变质、受到损伤。根据这一方式可对基板的边缘部局部地放射UV或等离子。由此，不会对基板的边缘部以外的表面、即基板上涂有光阻的部分放射UV或等离子，因此可以在不对基板上的光阻造成损伤的情况下，使基板的边缘部的有机物脱离。

本发明的一方式中，所述去除工序包含对所述基板的边缘部局部地供给药液的工序。

一般而言，镀覆的基板上形成有晶种层，若在该晶种层附着药液的状态下放置，则具有晶种层溶解的担忧。因此，镀覆的基板边缘以外的部分、即从光阻图案的开口露出的晶种层附着药液的情况，为了避免药液残留，而必需充分清洗。根据这一方式，可对基板的边缘部局部地供给药液。由此，可在不使药液附着于从光阻图案的开口露出的晶种层的情况下，去除形成于基板的边缘部的氧化膜。因此，相较于药液附着于基板的整个面的情况，可大幅缩短基板的清洗时间。

本发明的一方式中，所述药液包含3wt％以上且15wt％以下的稀硫酸或2wt％以上且20wt％以下的柠檬酸。

由药液去除基板的边缘部的氧化膜时，必需避免基板的边缘部上的晶种层溶解。根据这一方式，可在不溶解基板的边缘部上的晶种层的情况下去除氧化膜。又，若稀硫酸小于3wt％或柠檬酸小于2wt％，则酸浓度太低，而具有无法适当去除氧化膜的担忧。另外，若稀硫酸超过15wt％或柠檬酸超过20wt％，则酸浓度太高，而具有溶解基板的边缘部上的晶种层的担忧。

本发明的一方式中，镀覆方法包含如下工序：使海绵头接触旋转的所述基板的边缘部，以去除粒子的工序。

根据这一方式，可防止基板保持架的电接点与基板的边缘部上的晶种层之间夹入粒子，进而可抑制因粒子导致接触电阻变差的情形。

本发明的一方式中，所述去除工序包含如下工序：在使存在于所述基板的边缘部的有机物局部地脱离之后，局部地去除所述氧化膜的工序。

基板的边缘部中，有机物附着于氧化膜上。因此，在使有机物脱离之前去除氧化膜的情况下，难以去除有机物附着部分的氧化膜。根据这一方式，因为在使有机物脱离之后去除氧化膜，故可有效地去除有机物及氧化膜。

本发明的一方式中，所述去除工序包含如下工序：局部地去除存在于从所述基板的周缘部向基板中心2mm的范围内的有机物及氧化膜的至少一者的工序。

一般而言，基板保持架的电接点与从基板的周缘部往内2mm的范围内的边缘部接触。因此，根据这一方式，可局部地去除存在于基板上的与基板保持架的电接点接触这一部分的有机物及氧化膜的至少一者。

本发明的一方式中，所述去除工序包含如下工序：局部地去除在所述基板被基板保持架保持时存在于与被密封构件密封的区域邻接且到基板周缘部为止的区域的有机物及氧化膜的至少一者的工序。

本发明的一方式中，镀覆方法包含如下工序：对存在于所述边缘部的有机物及氧化膜的至少一者被局部地去除后的基板的所述边缘部照射光线，并测定反射的光的强度或吸光度的工序。

根据这一方式，通过测定反射的光的强度或吸光度，可判定存在边缘部的有机物及氧化膜的至少一者被局部去除的基板的边缘部的污染物质是否已充分去除。由此，可在镀覆处理前判定基板的边缘部是否存在污染物质，之后对边缘部未残留污染物质的基板进行镀覆处理，故可更确实防止基板保持架所具有的电接点的接触电阻不均引起基板W的镀覆膜厚的平面均匀性变差等。

根据本发明的一方式，可提供对基板进行镀覆的镀覆装置。该镀覆装置包含：镀覆槽，该镀覆槽用于对基板保持架所保持的所述基板施加电压，以进行镀覆；及边缘部清洗装置，该边缘部清洗装置局部地去除存在于所述基板的边缘部的有机物、氧化膜及粒子的至少一者。

根据这一方式，可在设置于基板保持架之前，局部地去除存在于基板的边缘部的有机物、氧化膜及粒子的至少一者。因此，可在不对形成于基板的边缘部以外的表面的光阻图案造成不良影响的情况下，抑制存在于基板的边缘部的有机物、氧化膜及粒子的至少一者造成基板保持架的电接点的接触电阻不均，进而可防止镀覆膜厚的均匀性变差。

根据本发明的一方式，可提供对基板进行镀覆的镀覆方法。该镀覆方法包含如下工序：去除工序，该去除工序局部地去除在所述基板被保持于基板保持架之前存在于所述基板的边缘部的有机物、氧化膜及粒子的至少一者；保持工序，该保持工序将所述基板保持于基板保持架；及镀覆处理工序，该镀覆处理工序对保持于所述基板保持架的所述基板进行镀覆处理。

根据这一方式，可在设置于基板保持架之前，局部地去除存在于基板的边缘部的有机物、氧化膜及粒子的至少一者。因此，可在不对形成于基板的边缘部以外的表面的光阻图案造成不良影响的情况下，抑制存在于基板的边缘部的有机物、氧化膜及粒子的至少一者造成基板保持架的电接点的接触电阻不均，进而可防止镀覆膜厚的均匀性变差。

根据本发明的一方式的镀覆装置，所述边缘部清洗装置包含有机物脱离装置，该有机物脱离装置使存在于所述基板的边缘部的有机物局部地脱离，所述有机物脱离装置包含UV照射装置或等离子放射装置，该UV照射装置对所述基板的边缘部照射UV，该等离子放射装置对所述基板的边缘部放射等离子。

一般而言，镀覆的基板上涂有光阻，若对该光阻放射UV或等离子，则可能导致光阻变质、受到损伤。根据这一方式，可对基板的边缘部局部地放射UV或等离子。由此，不会对基板的边缘部以外的表面、即基板上涂有光阻的部分放射UV或等离子，故可在不对基板上的光阻造成损伤的情况下，使基板的边缘部的有机物脱离。

根据本发明的一方式的镀覆装置，所述边缘部清洗装置具有：头部，该头部构成为对所述基板的边缘部局部地施用UV或等离子；及致动器，该致动器使所述头部在水平方向上移动。

根据这一方式，因为头部可在水平方向上移动，故即使是例如矩形的基板，也可使头部沿着边缘部移动，以进行边缘部的清洗。

根据本发明的一方式的镀覆装置，所述致动器具有第一致动器和第二致动器，该第一致动器使所述头部在第一方向上移动，该第二致动器使所述头部在与所述第一方向垂直的第二方向上移动。

根据这一方式，可使头部在第一方向与第二方向上移动。因此，不仅可使头部沿着边缘部移动，也可将头部定位在与边缘部的延伸方向垂直的方向上。因此，例如基板为具有长边与短边的矩形基板的情况，可将头部双方定位于长边的边缘部、短边的边缘部。

根据本发明的一方式的镀覆装置，所述边缘部清洗装置具有控制所述头部及所述致动器的控制部，所述致动器构成为使所述头部沿着所述基板的边缘部移动，所述控制部控制所述头部及所述致动器，使得同时进行基于所述头部的UV或等离子的放射和基于该致动器的所述头部沿着所述基板的边缘部的移动。

根据这一方式，可一边使头部沿着矩形基板的边缘部移动，一边放射UV或等离子。

根据本发明的一方式的镀覆装置，所述边缘部清洗装置具有使所述头部旋转的旋转机构；所述控制部控制所述头部及所述旋转机构，使得在所述旋转机构使所述头部旋转时，使所述头部停止放射UV或等离子。

根据这一方式，因为头部可旋转，故可使头部容易地在矩形基板的四边的边缘部上移动。另外，因为头部旋转的期间，头部不会进行UV或等离子的放射，故可防止对矩形基板上未预期的区域放射UV或等离子。

根据本发明的一方式的镀覆装置，所述边缘部清洗装置具有旋转机构和控制部，该旋转机构使所述基板旋转，该控制部控制所述头部、所述旋转机构及所述致动器；所述控制部控制所述头部及所述旋转机构，使得在所述旋转机构使所述基板旋转时，使所述头部停止放射UV或等离子。

根据这一方式，因为可使基板旋转，故可容易地使矩形基板的四边的边缘部移动至头部的下方。另外，在基板旋转的期间，头部不会进行UV或等离子的放射，故可防止对矩形基板上未预期的区域放射UV或等离子。

根据本发明的一方式的镀覆方法，所述去除工序包含如下工序：使放射UV或等离子的头部一边沿着矩形的所述基板的边缘部移动，一边放射UV或等离子的工序。

根据这一方式，可一边使头部沿着矩形基板的边缘部移动，一边放射UV或等离子。

根据本发明的一方式的镀覆方法，所述去除工序包含如下工序：使所述头部在水平方向上移动，以使所述头部与矩形的所述基板的边缘部位置对齐的工序。

根据这一方式，例如，即使是基板具有长边与短边的矩形基板的情况，也可使头部与长边的边缘部和短边的边缘部双方位置对齐。

根据本发明的一方式的镀覆方法，所述去除工序包含如下工序：对矩形的所述基板的一个边缘部放射UV或等离子之后，一边停止放射UV或等离子，一边使所述头部旋转的工序。

根据这一方式，因为头部可旋转，故可轻易地使头部在矩形基板的四边的边缘部上移动。另外，因为在头部旋转的期间，头部不会进行UV或等离子的放射，故可防止对矩形基板上未预期的区域放射UV或等离子。

根据本发明的一方式的镀覆方法，所述去除工序包含如下工序：对矩形的所述基板的一个边缘部放射UV或等离子之后，一边停止放射UV或等离子，一边使矩形的所述基板旋转的工序。

根据这一方式，因为可使基板旋转，故可容易地使矩形基板的四边的边缘部移动至头部的下方。另外，因为在基板旋转的期间，头部不会放射UV或等离子，故可防止对矩形基板上未预期的区域放射UV或等离子。

发明效果

根据本发明，可防止因为形成于基板的边缘部的氧化膜及附着于基板的边缘部的有机物的至少任一者而导致镀覆膜厚的均匀性变差。

附图说明

图1是第一实施方式的镀覆装置的整体配置图。

图2是图1所示的镀覆装置中所使用的基板保持架的立体图。

图3是表示图2所示的基板保持架的电接点的剖面图。

图4是图1所示的对准器的概略顶视图。

图5是图4所示的箭头5～5中的对准器的概略剖面图。

图6是图4所示的箭头6～6中的对准器的概略剖面图。

图7是表示第一实施方式的镀覆方法的流程图。

图8是第一实施方式的另一例的镀覆装置的整体配置图。

图9是第二实施方式的镀覆装置的整体配置图。

图10是表示具备氧化膜去除装置的旋转冲洗干燥装置的概略图。

图11是表示第二实施方式的镀覆方法的流程图。

图12是第三实施方式的镀覆装置的整体配置图。

图13是表示第三实施方式的镀覆方法流程图。

图14是第四实施方式的镀覆装置的整体配置图。

图15是海绵清洗装置的概略侧视图。

图16是表示第四实施方式的镀覆方法的流程图。

图17是第五实施方式的镀覆装置的整体配置图。

图18是海绵药液清洗装置的概略侧视图。

图19是表示第五实施方式的镀覆方法的流程图。

图20是第六实施方式的镀覆装置的整体配置图。

图21是表示第六实施方式的镀覆方法的流程图。

图22是设于固定单元的有机物脱离装置的一例的概略侧视图。

图23A是表示图22所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图23B是表示图22所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图23C是表示图22所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图23D是表示图22所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图23E是表示图22所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图24是设于固定单元的有机物脱离装置的另一例的概略侧视图。

图25A是表示图24所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图25B是表示图24所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图25C是表示图24所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图25D是表示图24所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图25E是表示图24所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图26是设于固定单元的有机物脱离装置的另一例的概略侧视图。

图27A是表示图26所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图27B是表示图26所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图27C是表示图26所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图28是设于固定单元的有机物脱离装置的他的一例的概略侧视图。

图29A是表示图28所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图29B是表示图28所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

图29C是表示图28所示的有机物脱离装置中使矩形基板的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置的俯视图。

具体实施方式

<第一实施方式>

以下，参照附图说明本发明的实施方式。以下所说明的附图中，对于相同或相当的构成要素赋予相同的符号，并省略重复的说明。

图1是第一实施方式的镀覆装置的整体配置图。如图1所示，该镀覆装置大致可区分为：装载/卸载部170A，将基板装载于基板保持架60、或从基板保持架60卸载基板；及处理部170B，对基板进行处理。

装载/卸载部170A中设有：对准器40，其将三个晶片匣盒(Front～Opening Unified Pod：FOUP/前开式晶片盒)102、基板的定向平面(orientation flat)及缺口等的位置定位于规定方向；及旋转冲洗干燥装置20，其使镀覆处理后的基板高速旋转以使其干燥。晶片匣盒102，多段地收纳半导体晶片等的多个基板。旋转冲洗干燥装置20的附近设有固定单元120，其载置基板保持架60，并进行基板的装卸。这些单元102、40、20、120的中央配置有基板运送装置122，由在这些单元间运送基板的运送用机械装置所构成。如后所述，第一实施方式的对准器40具备有机物脱离装置(参照图4及图6等)，其局部去除在设于基板保持架60前存在于基板边缘部的有机物。

固定单元120构成可载置两个基板保持架60。固定单元120中，在一边的基板保持架60与基板运送装置122之间进行基板的传递后，可在另一边的基板保持架60与基板运送装置122之间进行基板的传递。

镀覆装置的处理部170B具有：储存区124、预湿槽126、预浸槽128、第一清洗槽130a、吹净槽132、第二清洗槽130b及镀覆槽10。储存区124中，进行基板保持架60的保管及暂时预置。预湿槽126中，使基板浸渍于纯水。预浸槽128中，蚀刻去除形成于基板表面的晶种层等的导电层表面上的氧化膜。第一清洗槽130a中，以清洗液(纯水等)同时清洗预浸后的基板与基板保持架60。吹净槽132中，对清洗后的基板进行排水。第二清洗槽130b中，以清洗液同时清洗镀覆后的基板与基板保持架60。储存区124、预湿槽126、预浸槽128、第一清洗槽130a、吹净槽132、第二清洗槽130b及镀覆槽10依此顺序配置。

镀覆槽10具有例如具备溢流槽的多个镀覆单元134。各镀覆单元134在内部收纳一个基板，并使基板浸渍于内部所保持的镀覆液中。镀覆单元134中，通过在基板与阳极之间施加电压，可对基板表面进行铜镀覆等的镀覆。

镀覆装置具有基板保持架运送装置140，其位于这些各机器的侧方，在这些各机器之间连同基板一起运送基板保持架60，其是采用例如线性马达式。该基板保持架运送装置140具有第一传送器142及第二传送器144。第一传送器142构成为在固定单元120、储存区124、预湿槽126、预浸槽128、第一清洗槽130a及吹净槽132之间运送基板。第二传送器144构成为在第一清洗槽130a、第二清洗槽130b、吹净槽132及镀覆槽10之间运送基板。另一实施方式中，镀覆装置也可仅具备第一传送器142及第二传送器144的任一方，而任一方的传送器在固定单元120、储存区124、预湿槽126、预浸槽128、第一清洗槽130a、第二清洗槽130b、吹净槽132及镀覆槽10之间运送基板。

图2是图1所示的镀覆装置中所使用的基板保持架60的立体图。基板保持架60，如图2所示，例如具有：氯化乙烯制的矩形平板状的第一保持构件65；及第二保持构件66，其经由铰链63，以自由开合的方式安装于该第一保持构件65。基板保持架60的第一保持构件65的大致中央部设有用于保持基板的保持面68。另外，在第一保持构件65的保持面68的外侧，沿着保持面68的圆周等间隔地设有倒L字型的夹具67，其具有往内突出的突出部。

基板保持架60的第一保持构件65的端部与一对大致T字状的把手69连结，其在运送或是向下悬吊基板保持架60时成为支承部。图1所示的储存区124内，储存区124的周壁顶面挂有把手69，由此可垂直地向下悬吊基板保持架60。另外，通过第一传送器142或第二传送器144把持该以悬吊方式被支承的基板保持架60的把手69，可运送基板保持架60。又，在预湿槽126、预浸槽128、清洗槽130a、130b、吹净槽132及镀覆槽10内，也经由把手69，在这些周壁以向下悬吊的方式支承基板保持架60。

另外，在把手69设有图中未表示的外部接点，用于与外部的电力供给部连接。该外部接点经由多个配线而与设于保持面68外周的多个导电体73(参照图3)电连接。

第二保持构件66具备：基部61，其固定于铰链63；环状的密封保持架62，其固定于基部61。压环64以自由旋转的方式安装于第二保持构件66的密封保持架62，压环64用于将密封保持架62压附于第一保持构件65以将密封保持架62固定。压环64的外周部具有向外突出的多个突条部64a。突条部64a的顶面与夹具67的向内突出部的底面具有沿着旋转方向互相逆向倾斜的锥形面。

在保持基板时，首先，在打开第二保持构件66的状态下，将基板载置于第一保持构件65的保持面68，接着关闭第二保持构件66。接着，顺时针旋转压环64，使压环64的突条部64a滑入夹具67的向内突出部的内部(下侧)。由此，经由分别设于压环64与夹具67的锥形面，第一保持构件65与第二保持构件66紧密结合而互相锁住，而可保持基板。在解除基板的保持时，在第一保持构件65与第二保持构件66被锁住的状态下，逆时针旋转压环64。由此，压环64的突条部64a从倒L字型的夹具67退出，以解除基板的保持。

图3是表示图2所示的基板保持架60的电接点的剖面图。如图3所示，第一保持构件65的保持面68上载置有基板W。在保持面68与第一保持构件65之间配置有多个(图中为一个)导电体73，导电体73与从设于图2所示的把手69的外部接点延伸出来的多个配线连接。在导电体73中，在将基板W载置于第一保持构件65的保持面68时，多个该导电体73的端部以在基板W的侧方以具有弹性的状态露出于第一保持构件65的表面的方式配置于基板W的圆周外侧。

密封保持架62中的与第一保持构件65相对的面(图中下方的面)安装有密封构件70，其在基板W保持于基板保持架60时，压接于基板W的表面外周部及第一保持构件65。密封构件70具有：凸缘部70a，其密封基板W的表面；及凸缘部70b，其密封第一保持构件65的表面。

在密封构件70的一对凸缘部70a、70b所夹住的内部安装有支承体71。在支承体71中，沿着基板W的圆周配置有多个例如以螺丝固定的电接点72，电接点72构成为可从导电体73供电。电接点72具有：电接点端部72a，其朝向保持面68的内侧延伸；脚部72b，其构成为可从导电体73供电。

若图2所示的第一保持构件65与第二保持构件66被锁住，如图3所示，密封构件70的内周面侧的短凸缘部70a被按压于基板W的表面，而外周面侧的长凸缘部70b则被按压于第一保持构件65的表面。由此，可在确实地将凸缘部70a及凸缘部70b之间密封的状态下保持基板W。

在被密封构件70所密封的区域、即密封构件70的一对凸缘部70a、70b所夹住的区域中，导电体73与电接点72的脚部72b电连接，且电接点端部72a与基板W的边缘部上的晶种层接触。由此，可在一边以密封构件70密封基板W，一边以基板保持架60保持的状态下，经由电接点72对基板W供电。

如上所述，形成有晶种层的基板W预先形成有光阻图案。基板W在被运送至图1所示的镀覆装置之前，已进行过UV的照射等，并且去除基板表面上的光阻残渣(灰化处理)，且已进行光阻表面的亲水化处理(去渣处理)。已进行灰化处理及去渣处理的基板W接着被运送至镀覆装置，而被保持于基板保持架60。此处，因为在灰化处理及去渣处理后经过一段时间，因此有在基板W未涂布光阻的边缘部上的晶种层上形成氧化膜或是附着有从光阻挥发的有机物的情况。图3所示的电接点72因为与基板W的边缘部接触，故若基板W的边缘部上的晶种层形成氧化膜或是附着有机物，则基板保持架60的电接点72的接触电阻产生不均，而具有镀覆膜厚的均匀性变差的问题。

于是，本实施方式中，图1所示的对准器40上设置有机物脱离装置，其使形成于基板W的边缘部上的晶种层上的有机物脱离(去除)。又，本说明书中，基板W的边缘部是指可与电接点72接触的区域，或是在以基板保持架60保持基板W时，相较于与密封构件70接触的部分，成为基板W的周缘部侧的区域。例如，本实施方式中是指相较于与图3所示的密封构件70的凸缘部70a抵接的部分成为外周侧的区域，从基板W的外周缘部往基板中心约5mm的范围内，更佳为约2mm的范围内。

图4是图1所示的对准器40的概略俯视图。图5是图4所示的箭头5～5中的对准器40的概略剖面图，图6是图4所示的箭头6～6中的对准器40的概略剖面图。如图4至6所示，对准器40具有基座41、旋转载台42、对准器光源43、光检测器44、有机物脱离装置45(相当于边缘部清洗装置的一例)。

旋转载台42构成为吸附基板W背面，使基板W在圆周方向上旋转。又，旋转载台42是以静电吸附式或真空吸附式吸附基板W。对准器光源43构成为对于通过旋转载台42旋转的基板W的边缘部附近照射光线46。通过基板W旋转，在基板W的缺口移动至被来自对准器光源43的光线46照射的位置时，光线46通过缺口到达光检测器44。光检测器44在检测出光线46时，对准器40可辨识基板W的缺口位于对准器光源43的正下方，而可整齐排列基板W的方向。

有机物脱离装置45是UV照射装置或等离子放射装置。本实施方式是构成为能够从基板W的上方对基板W的边缘部局部施用UV或等离子。有机物脱离装置45可对保持于基板保持架60之前的基板W的边缘部局部施用UV或等离子。换言之，基板W的边缘部以外的区域未曝露于UV或等离子。通过旋转载台42使基板W旋转，由此可有效率地对基板W的整个边缘部施用UV或等离子。若对附着于基板W的边缘部的有机物照射UV或等离子，有机物分解而产生挥发性物质，而成为挥发性物质的有机物则以挥发的方式被去除。UV照射装置的UV照射源或等离子放射装置的等离子放射口与基板W的距离，较佳为约1mm以上约10mm以下。该距离若小于1mm，则基板与UV照射源或等离子放射装置的等离子放射口可能物理性地接触。另外，若该距离超过10mm，则可能无法局部地照射UV或等离子。为了更确实地避免基板与UV照射源或等离子放射装置的等离子放射口物理性接触，并且可进行局部照射，更佳是使该距离为约2mm以上约5mm以下。

有机物脱离装置45为UV照射装置的情况中，作为UV光源，可采用例如，高压水银灯、低压水银灯、黑光灯或是可放射UV区域光线的雷射光源等。因为高压水银灯、低压水银灯及黑光灯具有光发散的倾向，故采用这些光源的情况，较佳是将光源设于基板W的附近，或使用光学系统仅对边缘部照射UV。有机物脱离装置45为等离子放射装置的情况，可使用例如大气遥控等离子装置等。

对准器40也可进一步具备如下传感器(分光光度计)：在基板W的边缘部，从边缘部的上方对于基板W的边缘部照射紫外区域(200nm～380nm)的光线，例如具有365nm的波长的光线以作为激发光，并观察从边缘部反射的光线，由此测定吸光度；或是也可具备照射荧光区域的光线以监测该反射光的强度的传感器(荧光反射膜厚计)。

该传感器(图中未表示)也可设于有机物脱离装置45，也可另外设于对准器40。本实施方式的镀覆装置的控制部构成如下：通过以该传感器测定的吸光度或荧光强度的值是否大于预先设定的阈值，来判定边缘部的污染物质(包含有机物及氧化膜)是否已充分被去除。例如，判定边缘部的污染物质未充分被去除的情况下，有机物脱离装置45也可重复实施对基板W的边缘部局部放射UV或等离子步骤。另外，判定边缘部的污染物质已充分被去除的情况下，则视为有机物的脱离结束，基板W被基板运送装置122运送至固定单元120，接着实施一系列的镀覆处理。如此，可在镀覆处理前判定基板W的边缘部是否存在污染物质，之后针对边缘部未残存污染物质的基板进行镀覆处理，由此可更确实防止基板保持架60所具有的电接点的接触电阻不均引起基板W的镀覆膜厚的平面均匀性变差等。

图7是表示第一实施方式的镀覆方法的流程图。本镀覆方法中，首先，在将基板W运送至图1所示的镀覆装置之前，在基板W上形成光阻图案(步骤S601)。接着，对形成有光阻图案的基板W进行UV的照射，去除基板W表面上的光阻残渣(灰化处理)，并且进行光阻表面的亲水化处理(去渣处理)(步骤S602)。步骤S601及步骤S602的处理在图1所示的镀覆装置以外的任意装置中进行。

接着，通过基板运送装置122，基板W从收纳基板W的晶片匣盒102被运送往对准器40。对准器40中，进行基板W的边缘部的清洗(步骤S603)。具体而言，对准器40中，通过有机物脱离装置45，对基板W的边缘部局部施用UV或等离子，使有机物脱离。又，此时通过对准器40将基板W的方向整齐排列。

图7所示的流程中虽未记载，但对准器40设有传感器(图中未表示)的情况，通过对于存在于基板W边缘部的有机物及氧化膜的至少一者施用UV或等离子以进行局部去除之后，可确认边缘部是否具有污染物质(包含有机物及氧化膜)。具体而言，首先使传感器(分光光度计或荧光反射膜厚计)位于配置于对准器40的基板W的表面上方。在以对准器40使基板W旋转或静止的状态下，一边使传感器从基板中心部往边缘部(或从边缘部往基板中心部)扫描，一边从传感器朝向基板W表面照射紫外区域(200nm～380nm)的光线，例如365nm的波长的光线以作为激发光，以测定吸光度或荧光强度。

在基板表面存在有经UV或等离子处理的边缘部以及未经UV或等离子处理的被镀覆面，而晶种层形成于基板的整个表面(被镀覆面与边缘部)。接着，通过使传感器扫描被镀覆面与边缘部，可测定被镀覆面与边缘部双方的吸光度或荧光强度。镀覆装置的控制部例如，比较该被镀覆面与边缘部双方的吸光度，并且判断例如边缘部的吸光度相对于被镀覆面的吸光度的比值是否大于预先设定的阈值(例如50％以下)，可判定边缘部的污染物质(包含有机物及氧化膜)是否已充分去除。上述比值大于阈值的情况，可判定边缘部的污染物质(包含有机物及氧化膜)并未充分被去除。另外，上述比值未大于阈值的情况下，可判定边缘部的污染物质(包含有机物及氧化膜)已充分被去除。测定荧光强度的情况，也可相同地通过比较规定的阈值与测定值，来判定边缘部的污染物质是否已充分被去除。

根据该判定，判定边缘部的污染物质未充分被去除的情况，也可重复实施对基板W的边缘部局部放射UV或等离子的步骤。另外，判定边缘部的污染物质已充分被去除的情况，则视为有机物的脱离结束，通过基板运送装置122将其运送至固定单元120，以实施一系列的镀覆处理。如此，在镀覆处理前判定基板W的边缘部是否存在污染物质，之后针对边缘部未残存污染物质的基板进行镀覆处理，由此可更确实防止基板保持架60所具有的电接点的接触电阻不均引起基板W的镀覆膜厚的平面均匀性变差等。

已进行边缘部清洗的基板W，通过基板运送装置122，被运送至固定单元120，而设置于基板保持架60(步骤S604)。此时，因为基板W的边缘部的有机物已经脱离，故基板保持架60的电接点与经清洗的基板W的边缘部接触。由此，可减少因有机物的附着所引起的基板保持架60的电接点的接触电阻不均。

保持于基板保持架60的基板W通过基板保持架运送装置140，首先被运送至预湿槽126，而基板W被浸渍于预湿槽126中所收纳的纯水(步骤S605)。接着，基板W被运送至预浸槽128，而基板W的表面被酸清洗(步骤S606)。具体而言，基板W被浸渍于预浸槽128中所收纳的硫酸及硝酸等的药液，蚀刻去除形成于基板表面上的晶种层表面的氧化膜。

图7所示的流程虽未记载，但经酸清洗的基板W，之后浸渍于第一清洗槽130a中所收纳的纯水，如此也可清洗基板W表面上所附着的药液。接着，基板W被浸渍于镀覆槽10的任一镀覆单元134，以进行镀覆处理(步骤S607)。对表面形成有镀覆膜的基板W进行QDR(Quick Damp Rinse/快速湿润冲洗)处理(步骤S608)。具体而言，基板W被浸渍于第二清洗槽130b中所收纳的纯水，以清洗基板W表面上所附着的镀覆液。

接着，基板保持架60中所保持的基板W被运送至固定单元120，而基板W从基板保持架60中被取出。基板运送装置122从固定单元120接收基板W，而将基板W运送至旋转冲洗干燥装置20。基板W在旋转冲洗干燥装置20中进行表面的清洗及干燥(步骤S609)。

如以上所说明，根据本实施方式，可在设至于基板保持架60之前，局部去除存在于基板W边缘部的有机物。因此，可在不对形成于基板W表面上的光阻图案造成不良影响的情况下，抑制因存在于基板W的边缘部的有机物造成基板保持架60的电接点72的接触电阻不均，进而防止镀覆膜厚的均匀性变差。

另外，根据本实施方式，可对基板W的边缘部局部放射UV或等离子。由此，因为不会对于基板W的边缘部以外的表面、即基板W上的未涂布光阻的部分放射UV或等离子，故可在不对光阻造成损伤的情况下，使基板W的边缘部的有机物脱离。

另外，根据本实施方式，因为有机物脱离装置45设于对准器40，故可一边通过对准器40使基板旋转，一边以UV照射装置或等离子照射装置对基板W的边缘部进行处理。因此，因为无需在有机物脱离装置45中设置使基板旋转的机构，故可降低成本。另外，通过使有机物脱离装置45设于对准器40，可降低镀覆装置整体的占地面积。

又，也可将有机物脱离装置45与对准器40分开设置，而将机物脱离装置45设于镀覆装置。图8是第一实施方式的另一例的镀覆装置的整体配置图。如图8所示，有机物脱离装置45是与对准器40分开设置，机物脱离装置45设于装载/卸载部170A内。此情况下，对准器40具有从图4至图6所示的构成去除有机物脱离装置45的结构。另一方面，有机物脱离装置45必需具有与用于使基板W旋转的图4至图6所示的旋转载台42相同的机构。根据图8所示的镀覆装置，因为有机物脱离装置45与对准器40分开设置，故可对于多个基板W分别进行有机物脱离装置45的处理以及对准器40的处理。于是，因为有机物脱离处理需要时间，故处理整体的吞吐量取决于有机物脱离处理的处理时间，这样的情况下，相较于图1所示的镀覆装置，可提升吞吐量。又，有机物脱离装置45，也可设于旋转冲洗干燥装置20。即使在这样的情况下，也可在旋转冲洗干燥装置20设置构成为测定吸光度的传感器(分光光度计)，或是设置照射荧光区域的光线以监测其反射光强度的传感器(荧光反射膜厚计)(图中未表示)。此情况下，使传感器位于边缘部清洗中或清洗后的基板W的边缘部的上方。接着，使基板W旋转，从该传感器对基板W的边缘部照射光线，而传感器的受光部接受来自基板W的反射光，以测定该反射光的荧光强度或吸光度。由此，也可判定基板W的边缘部中的污染物质(有机物及氧化膜的至少一者)是否已被充分去除。由此，可在进行镀覆处理之前，判定基板W的边缘部是否存在污染物质，之后可针对边缘部未残存污染物质的基板进行镀覆处理，而可更确实防止基板保持架60所具有的电接点的接触电阻不均引起基板W的镀覆膜厚的平面均匀性变差等。又，要在基板W的边缘部的清洗中判定基板W的边缘部是否存在污染物质的情况下，可根据该传感器的判定结果来决定清洗的终点。

<第二实施方式>

图9是第二实施方式的镀覆装置的整体配置图。第二实施方式中，相较于第一实施方式的图1所示的镀覆装置，旋转冲洗干燥装置20及对准器40的构成有所不同。其他的构成与第一实施方式相同，故针对于第一实施方式相同的构成赋予同一符号并省略说明。

第二实施方式中，对准器40不具备第一实施方式中所说明的有机物脱离装置45。另外，旋转冲洗干燥装置20具有氧化膜去除装置，氧化膜去除装置局部去除在设于基板保持架60前即存在于基板的边缘部的氧化膜。

图10是表示具备氧化膜去除装置的旋转冲洗干燥装置20的概略图。如图所示，旋转冲洗干燥装置20具有旋转载台21、基板夹具22、DIW喷嘴23、氧化膜去除装置24(相当于边缘部清洗装置的一例)。基板夹具22构成为把持基板W的外周部。旋转载台21构成为使基板夹具22旋转，通过基板夹具22旋转，可使被把持的基板W在圆周方向上旋转。DIW喷嘴23构成为对于基板W的大致中央部供给DIW(De～ionized Water/去离子水)。经供给至基板W的DIW，因为基板W的旋转而受到离心力，进而朝向基板W的外周部流动。旋转冲洗干燥装置20中，图中虽未表示，但为了防止基板W的DIW飞散至外部，其具有覆盖基板W周围的罩盖。

氧化膜去除装置24具有：药液喷嘴25，其是对基板供给药液28的药液供给装置，构成为供给药液28；臂26，与药液喷嘴25连接；及旋转轴27，构成为使臂26旋转。药液喷嘴25的顶端与基板W的距离较佳为约1mm以上约10mm以下。该距离若小于1mm，则基板与药液喷嘴25可能发生物理性接触。另外，若该距离超过10mm，则可能无法局部供给药液。为了更确实地避免基板与药液喷嘴25物理性接触，并且为了可局部供给药液，较佳使药液喷嘴25的顶端与基板的距离为约2mm以上约5mm以下。

为了由氧化膜去除装置24局部去除存在基板W边缘部的氧化膜，首先，氧化膜去除装置24使臂26对应基板W的直径旋转，而使药液喷嘴25位于基板W的边缘部的上方。在药液喷嘴25位于基板W的边缘部的上方的状态下，可从DIW喷嘴23对旋转的基板W的大致中央部供给DIW，同时对旋转的基板W的边缘部喷出药液28。在供给至基板W的边缘部的同时，药液28因为基板W的旋转受到离心力而朝向基板W的外周部流动。由此，氧化膜去除装置24可对基板W的边缘部供给局部药液28。换言之，实际上基板W的边缘部以外的区域并未曝露于药液28。旋转载台21使基板W旋转，由此，可将药液28有效率地供给至基板W的边缘部的整个圆周。若对形成于基板W边缘部氧化膜供给药液28，则氧化膜被药液28溶解而被去除。在规定时间供给药液28之后，停止供给药液28，继续供给DIW。由此，可洗掉先前供给至基板W边缘部的药液28。此处，基板W的边缘部是指上述与电接点72接触的区域，或在基板W被保持于基板保持架60时，相较于基板W与密封构件70接触的部分成为基板W的周缘部侧的区域。然而，在对基板点状供给药液时，预先假设一部分的药液会飞散，故使用不易对光阻图案产生不良影响的药液成分、浓度，除此的外，也可以构成为通过药液28溶解、去除位于基板W边缘部的周边部的氧化膜。

作为药液28，可使用例如稀硫酸、柠檬酸等不容易对基板W上的晶种层造成损伤的酸。本实施方式中，药液28较佳为3wt％以上15wt％以下的稀硫酸或2wt％以上20wt％以下的柠檬酸。稀硫酸若小于3wt％或是柠檬酸若小于2wt％，则酸浓度太低，而具有无法适当去除氧化膜的担忧。另外，若稀硫酸超过15wt％或柠檬酸超过20wt％，则酸浓度过高，而具有溶解基板的边缘部上的晶种层的担忧。

图11是表示第二实施方式的镀覆方法的流程图。第二实施方式的镀覆方法，除了一部分以外，大多数的点与图7所示的镀覆方法一致。因此，部分省略与图7的镀覆方法相同部分的说明。

在步骤S602中进行灰化处理及去渣处理的基板W，被运送至如图9所示的镀覆装置。接着，通过基板运送装置122，基板W从收纳基板W的晶片匣盒102被运送至旋转冲洗干燥装置20。旋转冲洗干燥装置20中，对基板W进行边缘部的清洗(步骤S701)。具体而言，旋转冲洗干燥装置20中，通过氧化膜去除装置24去除存在基板W边缘部的氧化膜。

进一步，本实施方式中，为了测定基板的边缘部的状态，也可在旋转冲洗干燥装置20中设置如下结构的传感器(分光光度计)：对于基板W的边缘部，从边缘部的上方照射紫外区域(200nm～380nm)的光线，例如365nm，以作为激发光，进而测定边缘部的吸光度；或是设置用于照射荧光区域的光线以监测其反射光强度的传感器(荧光反射膜厚计)(图中未表示)。此情况下，使传感器在边缘部的清洗中或清洗后位于基板W的边缘部的上方。接着使基板W旋转，并且从该传感器对基板W的边缘部照射光线，再以传感器的受光部接收来自基板W的反射光线，以测定该反射光的荧光强度或吸光度。由此，可判定基板W的边缘部中的氧化膜是否已被充分去除，也可检查边缘部的状态。由此可在进行镀覆处理之前，判定基板W的边缘部是否存在污染物质，之后针对边缘部未残存污染物质的基板进行镀覆处理，故可更确实防止基板保持架60所具有的电接点的接触电阻不均引起基板W的镀覆膜厚的平面均匀性变差等。

已进行边缘部的清洗(视情况进行清洗及检査)的基板W被基板运送装置122运送至固定单元120，而设置于基板保持架60(步骤S604)。此时，因为基板W的边缘部的氧化膜已被去除，故基板保持架60的电接点与经清洗的基板W的边缘部接触。由此，可降低因氧化膜所引起的基板保持架60的电接点的接触电阻不均。设于基板保持架60的基板W，在后续的步骤S605～步骤S609中进行处理。

如以上所说明，根据第二实施方式，在设置于基板保持架60之前，可局部去除存在于基板的边缘部的氧化膜。因此，可在不对形成于基板W表面的光阻图案造成不良影响的情况下，抑制存在基板W边缘部的氧化膜引起基板保持架60的电接点72的接触电阻不均，进而可防止镀覆膜厚的均匀性变差。

另外，根据第二实施方式，因为氧化膜去除装置24设于旋转冲洗干燥装置20，可一边通过旋转冲洗干燥装置20使基板旋转，一边以药液28对基板W边缘部进行处理。因此，不需要在氧化膜去除装置24中设置使基板旋转的机构及防止药液28飞散的机构，故可降低成本。另外，旋转冲洗干燥装置20具有防止基板W上的液体飞散的罩盖，故可防止药液喷嘴25所供给的药液28飞散至旋转冲洗干燥装置20的外部。进一步，通过将氧化膜去除装置24设于旋转冲洗干燥装置20，可降低镀覆装置整体的占地面积。

在被镀覆的基板W上形成有晶种层，若在该晶种层附着有药液28的状态下放置，则具有晶种层溶解的担忧。因此，被镀覆的基板W的边缘以外的部分，例如，从光阻图案的开口露出的晶种层附着有药液28的情况，为了不残留药液28，必需充分清洗。根据第二实施方式，可对基板W的边缘部局部供给药液28。由此，可在从光阻图案的开口露出的晶种层未附着有药液28的情况下，去除形成于基板的边缘部的氧化膜。因此，相较于使基板W的整个面附着药液28的情况，可大幅缩短基板W的清洗时间。

<第三实施方式>

图12是第三实施方式的镀覆装置的整体配置图。第三实施方式的镀覆装置具有下述构成：将第一实施方式中的图8所示的镀覆装置中的旋转冲洗干燥装置20替换成第二实施方式的图10所示的旋转冲洗干燥装置20。其他的构成与第一实施方式的图8所示的镀覆装置相同，故针对与第一实施方式相同的构成赋予同一符号并省略其说明。

图12所示的镀覆装置具有：旋转冲洗干燥装置20，其具备图10所示的氧化膜去除装置24；及有机物脱离装置45。因此，本镀覆装置可局部去除存在于基板W边缘部的有机物及氧化膜这两者。

图13是表示第三实施方式的镀覆方法的流程图。第三实施方式的镀覆方法是将图11所示的步骤S701与图7所示的镀覆方法组合的方法。也即，如图13所示，在步骤S602进行灰化处理及去渣处理的基板W被运送至图11所示的镀覆装置。接着，基板W从收纳基板W的晶片匣盒102被基板运送装置122运送至对准器40。对准器40中，对基板W进行边缘部的清洗(步骤S603)。具体而言，对准器40中，通过有机物脱离装置45使存在于基板W边缘部的有机物脱离。又，此时基板W的方向经由对准器40整齐排列。又，此处的边缘部是指基板W被保持于基板保持架60时，相对于与密封构件70接触的部分成为基板W的周缘部侧的区域，例如，从基板W的外周缘部朝向基板中心约5mm的范围内，更佳为约2mm的范围内。

更进一步，本实施方式中为了测定基板边缘部的状态，也可在对准器40中设置以如下方式构成的传感器(分光光度计)：在基板W的边缘部，从边缘部的上方照射紫外区域(200nm～380nm)的光线，例如365nm，以作为激发光，进而测定边缘部的吸光度；或是设置照射荧光区域的光线以监测该反射光的强度的传感器(荧光反射膜厚计)(图中未表示)。镀覆装置的控制部以如下方式构成：通过该传感器所测定的吸光度或荧光强度的值是否大于预先设定的阈值，可判定边缘部的污染物质是否(包含有机物及氧化膜)已充分被去除。此情况下，在边缘部的清洗中或清洗后，使传感器位于基板W的边缘部上方。接着，使基板W旋转，从该传感器对基板W的边缘部照射光线，并且以传感器的受光部接收来自基板W的反射光线，以测定该反射光的荧光强度或吸光度。由此可判定基板W的边缘部中的污染物质(包含有机物及氧化膜)是否已被充分去除，也可判定边缘部是否存在污染物质。由此可在进行镀覆处理之前，判定基板W的边缘部是否存在污染物质，之后针对边缘部未残存污染物质的基板进行镀覆处理，故可防止基板保持架60所具有的电接点的接触电阻的不均引起基板W的镀覆膜厚的平面均匀性变差等。更进一步，在基板W的边缘部的清洗中，要判定基板W的边缘部是否存在污染物质的情况，可根据该传感器的判定结果来决定清洗的终点。更进一步，也可根据传感器的测定结果，判定是否有原本边缘部具有异常的基板W。

边缘部的有机物已脱离的基板W，接着被基板运送装置122运送至旋转冲洗干燥装置20。旋转冲洗干燥装置20中，对基板W进行边缘部的清洗(步骤S701)。具体而言，旋转冲洗干燥装置20中，通过氧化膜去除装置24使存在于基板W边缘部的氧化膜脱离。又，此处的边缘部是指，基板被保持于基板保持架时，相对于与密封构件70接触的部分成为基板W的周缘部侧的区域，例如基板W为300mm的晶片的情况，是指从基板W的外周缘部朝向基板中心约5mm的范围内，更佳为约2mm的范围内；除了使药液的成分、浓度为不容易对光阻图案造成不良影响的成分、浓度以外，也可一起去除存在于边缘部周边的氧化膜。

边缘部被清洗的基板W被基板运送装置122运送至固定单元120，被设置于基板保持架60(步骤S604)。此时，基板W的边缘部的有机物及氧化膜已被去除，基板保持架60的电接点与经清洗的基板W的边缘部接触。由此可降低有机物及氧化膜引起基板保持架60的电接点的接触电阻不均。设置于基板保持架60的基板W在后段的步骤S605～步骤S609中进行处理。

如以上所说明，根据第三实施方式，在设置于基板保持架60前，可局部去除存在于基板的边缘部的有机物及氧化膜。因此，可在不对形成于基板W表面的光阻图案造成不良影响的情况下，抑制存在于基板W边缘部的有机物及氧化膜引起基板保持架60的电接点72的接触电阻不均，进而防止镀覆膜厚的均匀性变差。

在基板W的边缘部中，在氧化膜上附着有机物。因此，在使有机物脱离之前去除氧化膜的情况下，难以去除有机物附着部分的氧化膜。根据第三实施方式，因为是在使有机物脱离后去除氧化膜，故可有效地去除有机物及氧化膜。然而，在一实施方式中，也可以药液清洗边缘部(步骤S701)之后进行有机物脱离处理(步骤S603)。

<第四实施方式>

图14是第四实施方式的镀覆装置的整体配置图。第四实施方式的镀覆装置中，在具有海绵清洗装置80这点上以及不具备有机物脱离装置45这点上，与第一实施方式的图1的镀覆装置有所不同。其他的构成与第一实施方式相同，故针对与第一实施方式相同的构成，赋予同一符号而省略其说明。

图14所示的镀覆装置的对准器40中，不具备第一实施方式中所说明的有机物脱离装置45。海绵清洗装置80设于装载/卸载部170A内，用于局部去除存在于基板W边缘部的粒子。

图15是海绵清洗装置80的概略侧视图。如图所示，海绵清洗装置80具有：旋转载台81、DIW喷嘴83、海绵清洗部84(相当于边缘部清洗装置的一例)及罩盖88。旋转载台81构成为吸附基板W的背面，使基板W在圆周方向上旋转。又，旋转载台81以静电吸附式或真空吸附式吸附基板W。DIW喷嘴83构成为对基板W的大致中央部供给DIW。供给至基板W的DIW因基板W的旋转而受到离心力，进而往基板W的外周部流动。罩盖88覆盖基板W的周围，可防止基板W的DIW飞散至外部。

海绵清洗部84具有：海绵头85，物理性地清洗基板W的边缘部；臂86，与海绵头85连接；旋转轴87，构成为使臂86旋转。海绵头85，例如是由PVA(聚乙烯醇)所构成，构成为能够以垂直轴为中心旋转。另外，旋转轴87以可在轴向上自由伸缩的方式构成。

为了由海绵清洗部84局部去除存在于基板W边缘部的粒子，首先，海绵清洗装置80使臂86对应基板W的直径旋转，使海绵头85位于基板W的边缘部的上方。在海绵头85位于基板W的边缘部上方的状态下，旋转轴87往轴向下方收缩，而使海绵头85抵接于基板W的边缘部。在海绵头85与旋转的基板W的边缘部抵接的状态下，海绵清洗部84使海绵头85旋转。此时，通过DIW喷嘴83对基板W供给DIW。由此，海绵清洗装置80可局部去除基板W的边缘部的粒子。另外，海绵清洗装置80中设有传感器(图中未表示)，也可判定边缘部是否存在污染物质。

图16是表示第四实施方式的镀覆方法的流程图。第四实施方式的镀覆方法具有步骤S801，以代替第一实施方式的图7所示的镀覆方法中的步骤S603。以下部分省略与图7的镀覆方法相同部分的说明。

图16所示的流程中，在步骤S602进行灰化处理及去渣处理的基板W，被运送至图14所示的镀覆装置。接着，基板W从收纳基板W的晶片匣盒102被基板运送装置122运送至海绵清洗装置80。海绵清洗装置80中，对基板W进行边缘部的清洗(步骤S801)。具体而言，海绵清洗装置80中，通过海绵清洗部84去除存在基板W边缘部的粒子。

本实施方式中，为了测定基板的边缘部的状态，也可在海绵清洗装置80中设置以如下方式构成的传感器(分光光度计)：在基板W的边缘部，从边缘部的上方照射紫外区域(200nm～380nm)的光线，例如365nm以作为激发光，进而测定边缘部的吸光度；或是设置照射荧光区域的光线以监测其反射光强度的传感器(荧光反射膜厚计)(图中未表示)。镀覆装置的控制部以如下方式构成：可通过该传感器所测定的吸光度或荧光强度的值是否大于预先设定的阈值，判定边缘部的污染物质(包含有机物及氧化膜)是否已充分被去除。海绵清洗装置80中设有传感器的情况，在边缘部的清洗中或清洗后，使传感器位于基板W的边缘部的上方。接着，使基板W旋转，判定基板W的边缘部中有无粒子，也可判定边缘部是否存在污染物质。由此，可在进行镀覆处理之前判定基板W的边缘部是否存在污染物质，之后针对边缘部未残存污染物质的基板进行镀覆处理，故可防止基板保持架60所具有的电接点的接触电阻的不均引起基板W的镀覆膜厚的平面均匀性变差等。更进一步，要在基板W边缘部的清洗中判定基板W的边缘部是否尚存在污染物质的情况，可根据该传感器的判定结果决定清洗的终点。更进一步，也可根据传感器的测定结果，判定是否有原本边缘部具有异常的基板W。

边缘部经清洗的基板W被基板运送装置122运送至固定单元120，而设置于基板保持架60(步骤S604)。此时，基板W的边缘部的粒子已被去除，基板保持架60的电接点与经清洗的基板W的边缘部接触。由此可降低粒子引起基板保持架60的电接点的接触电阻不均。设置于基板保持架60的基板W在后段的步骤S605～步骤S609中进行处理。

如以上所说明，根据第四实施方式，能够在设置于基板保持架60之前，局部去除存在基板W边缘部的粒子。因此，可防止基板保持架60的电接点与基板W的边缘部上的晶种层之间夹入粒子，而可抑制粒子引起接触电阻变差。

<第五实施方式>

图17是第五实施方式的镀覆装置的整体配置图。第五实施方式的镀覆装置具有海绵药液清洗装置90，此点与第一实施方式的图1的镀覆装置有所不同。其他构成与第一实施方式相同，故针对与第一实施方式相同的构成，赋予同一符号并省略其说明。

图17所示的海绵药液清洗装置90设于装载/卸载部170A内，用于局部去除存在基板W边缘部的氧化膜及粒子。另外，图17中虽未表示，但海绵药液清洗装置90中，也可在位于基板W的边缘部上方附近设置传感器(图中未表示)，以判定边缘部是否存在污染物质。此情况中也可设置以如下方式构成的传感器(分光光度计)：对基板W的边缘部，从边缘部的上方，照射紫外区域(200nm～380nm)的光线，例如365nm以作为激发光，进而测定边缘部的吸光度；或是设置照射荧光区域的光线以监测其反射光强度的传感器(荧光反射膜厚计)(图中未表示)。镀覆装置的控制部以如下方式构成：可通过该传感器所测定的吸光度或荧光强度的值是否大于预先设定的阈值，来判定边缘部的污染物质(包含有机物及氧化膜)是否已充分被去除。

图18是海绵药液清洗装置90的概略侧视图。如图所示，海绵药液清洗装置90具有：旋转载台91、DIW喷嘴93、海绵清洗部84、氧化膜去除装置94(相当于边缘部清洗装置的一例)、罩盖98。旋转载台91构成为吸附基板W背面，其使基板W在圆周方向上旋转。又，旋转载台91以静电吸附式或真空吸附式吸附基板W。

氧化膜去除装置94具有：药液喷嘴95，是对基板供给药液的药液供给装置，其构成为供给药液；臂96，与药液喷嘴95连接；及旋转轴97，构成为使臂96旋转。药液喷嘴95的顶端与基板W的距离，较佳为约1mm以上约10mm以下。该距离若小于1mm，则基板可能与药液喷嘴95物理性接触。另外，若该距离超过10mm，则可能无法局部供给药液。为了更确实地避免基板与药液喷嘴95物理性接触，并且为了可局部供给药液，药液喷嘴95的顶端与基板的距离更佳为约2mm以上约5mm以下。

为了由海绵药液清洗装置90局部去除存在于基板W边缘部的氧化膜，首先，氧化膜去除装置94使臂96对应基板W的直径旋转，以使药液喷嘴95位于基板W的边缘部的上方。药液喷嘴95位于基板W的边缘部上方的状态下，可从DIW喷嘴93对旋转的基板W的大致中央部供给DIW，并且对旋转的基板W的边缘部喷出药液。药液供给至基板W边缘部的同时，因为基板W的旋转而受到离心力，而往基板W的外周部流动。由此，氧化膜去除装置94可对基板W的边缘部局部供给药液。换言之，实际上基板W的边缘部以外的区域并未曝露于药液。通过旋转载台91使基板W旋转，可有效率地对基板W的整个边缘部供给药液。若对形成于基板W边缘部的氧化膜供给药液，则氧化膜因药液溶解而被去除。以规定时间供给药液之后，停止供给药液，继续供给DIW。由此可清洗供给至基板W的边缘部的药液。此处，基板W的边缘部是指前述与电接点72接触的区域，或基板W被保持于基板保持架60时，相对于基板W与密封构件70接触部分成为基板W的周缘部侧的区域。然而，在对基板点状供给药液时，预先假设部分药液会飞散，除了使用不易对光阻图案造成不良影响的药液成分、浓度以外，也可构成为通过药液28溶解并去除位于基板W边缘部的周边部的氧化膜。

另外，海绵药液清洗装置90可一边通过氧化膜去除装置94去除基板W的边缘部的氧化膜，一边通过海绵清洗部84局部去除存在基板W边缘部的粒子。又，本实施方式中，为了测定基板的边缘部是否存在污染物质，也可在海绵药液清洗装置90中设置以如下方式构成的传感器(分光光度计)：在基板W的边缘部，从边缘部的上方照射紫外区域(200nm～380nm)的光线，例如365nm以作为激发光，以测定边缘部的吸光度；或是设置照射荧光区域的光线以监测其反射光强度的传感器(荧光反射膜厚计)(图中未表示)。镀覆装置的控制部以如下方式构成：可通过该传感器所测定的吸光度或荧光强度的值是否大于预先设定的阈值，判定边缘部的污染物质(包含有机物及氧化膜)是否已充分被去除。此情况中，在边缘部的清洗中或清洗后，使传感器位于基板W边缘部的上方，在此状态下使基板W旋转，可判定边缘部是否存在污染物质。由此，可在进行镀覆处理之前判定基板W的边缘部是否存在污染物质，之后针对边缘部未残存污染物质的基板进行镀覆处理，故可防止基板保持架60所具有的电接点的接触电阻不均引起基板W的镀覆膜厚的平面均匀性变差等。更进一步，要在基板W的边缘部的清洗中判定基板W的边缘部是否尚存在污染物质的情况，可根据该传感器的判定结果来决定清洗的终点。更进一步，也可根据传感器的测定结果来判定是否有原本边缘部具有异常的基板W。

图19是表示第五实施方式的镀覆方法的流程图。第五实施方式的镀覆方法是在第一实施方式的图7所示的镀覆方法的基础上还具有步骤S901。以下部分省略与图7的镀覆方法相同部分的说明。

步骤S603中，对准器40所具有的有机物脱离装置45(参照图4至图6)使存在于基板W边缘部的有机物脱离。接着，基板W被基板运送装置122运送至海绵药液清洗装置90。海绵药液清洗装置90中，对基板W进行边缘部的清洗(步骤S901)。具体而言，海绵药液清洗装置90中，去除存在于基板W边缘部的粒子及氧化膜。另外，图19中虽未表示，为了判定边缘部经清洗的基板W的边缘部有无有机物、氧化膜、粒子等，故也可判定边缘部是否存在污染物质。

边缘部经清洗的基板W被基板运送装置122运送至固定单元120，而被设置于基板保持架60(步骤S604)。此时，基板保持架60的电接点与经清洗的基板W的边缘部接触。由此可降低粒子引起基板保持架60的电接点的接触电阻不均。设置于基板保持架60的基板W在后段的步骤S605～步骤S609中进行处理。

如以上所说明，根据第五实施方式，可在设置于基板保持架60之前，局部去除存在于基板W边缘部的有机物、氧化膜及粒子。因此，可抑制存在于基板W边缘部的有机物、氧化膜及粒子引起基板保持架60的电接点72的接触电阻不均，以防止镀覆膜厚的均匀性变差。

<第六实施方式>

图20是第六实施方式的镀覆装置的整体配置图。第六实施方式的镀覆装置构成为对矩形(角形)基板进行镀覆，此点与第一实施方式至第五实施方式的镀覆装置大幅不同。以下的说明中，对与第一实施方式的镀覆装置相同的构成，省略详细的说明。

第六实施方式的镀覆装置具有晶片匣盒102、固定单元120、基板运送装置122。如后所述，第六实施方式的固定单元120具备有机物脱离装置，其使设置于基板保持架60前就存在于矩形基板的边缘部的有机物局部脱离。第六实施方式的镀覆装置中使用可保持矩形基板的基板保持架60。固定单元120以如下方式构成：在有机物脱离装置中使存在于矩形基板的边缘部的有机物局部脱离之后，使矩形基板保持于基板保持架60。

镀覆装置还具有：储存区124、预湿槽126、活化槽129、吹净槽132、镀覆槽10。活化槽129中，通过酸等清洗预湿后的基板的表面以使其活化。储存区124、预湿槽126、活化槽129、吹净槽132及镀覆槽10是依此顺序配置。另外，镀覆装置具有用于将经镀覆处理的矩形基板清洗及干燥的清洗干燥装置135。

图21是表示第六实施方式的镀覆方法的流程图。本镀覆方法中，首先，在将矩形基板运送至图20所示的镀覆装置之前，在矩形基板上形成光阻图案(步骤S2101)。接着，对于已形成光阻图案的矩形基板照射UV，去除矩形基板表面上的光阻残渣(灰化处理)且进行光阻表面的亲水化处理(去渣处理)(步骤S2102)。步骤S2101及步骤S2102的处理是在图20所示的镀覆装置以外的任意装置中进行的。

接着，矩形基板从收纳矩形基板的晶片匣盒102被基板运送装置122运送至固定单元120。固定单元120中对矩形基板的边缘部进行清洗(步骤S2103)。具体而言，在固定单元120中，通过有机物脱离装置对矩形基板的边缘部局部施用UV或等离子，以使有机物脱离。

图21所示的流程中虽未记载，但固定单元120中设有传感器(图中未表示)的情况，在对存在于矩形基板的边缘部的有机物施用UV或等离子以进行局部去除之后，可确认边缘部有无污染物质(包含有机物)。具体而言，首先使传感器(分光光度计或荧光反射膜厚计)位于被运送至固定单元120而配置于有机物脱离装置的矩形基板表面的上方。一边使传感器从矩形基板中心部往边缘部(或从边缘部往基板中心部)扫描，一边从传感器朝向矩形基板表面照射紫外区域(200nm～380nm)的光线，例如365nm的波长的光线，以作为激发光，而可测定吸光度或荧光强度。

矩形基板表面存在经UV或等离子处理的边缘部及未经UV或等离子处理的被镀覆面；晶种层则形成于矩形基板的整个表面(被镀覆面与边缘部)。接着，使传感器扫描被镀覆面与边缘部，可测定被镀覆面与边缘部双方的吸光度或荧光强度。镀覆装置的图中未表示的控制部，例如，比较该被镀覆面与边缘部两者的吸光度，通过例如边缘部的吸光度相对于被镀覆面的吸光度的比值是否大于预先设定的阈值(例如50％以下)，可判定边缘部的污染物质(包含有机物及氧化膜)是否已充分被去除。上述比值大于阈值的情况，可判定边缘部的污染物质(包含有机物及氧化膜)未充分被去除。另外，上述比值未大于阈值的情况，可判定边缘部的污染物质(包含有机物及氧化膜)已被充分去除。测定荧光强度的情况，也可相同地通过比较规定的阈值与测定值，判定边缘部的污染物质是否已充分被去除。

根据该判定，判定边缘部的污染物质未被充分去除的情况，也可重复实施对矩形基板的边缘部局部放射UV或等离子的工序。另外，判定边缘部的污染物质已充分被去除的情况，则视为有机物的脱离结束，而通过基板保持架运送装置140被运送至各处理槽，以实施一系列的镀覆处理。如此，可在镀覆处理之前判定矩形基板的边缘部是否存在污染物质，之后针对边缘部未残存污染物质的矩形基板进行镀覆处理，由此可更确实防止基板保持架60所具有的电接点的接触电阻不均引起矩形基板的镀覆膜厚的平面均匀性变差等。

边缘部经清洗的矩形基板，通过固定单元120设置于基板保持架60(步骤S2104)。此时，因为矩形基板的边缘部的有机物已脱离，故基板保持架60的电接点与经清洗的矩形基板的边缘部接触。由此可降低有机物的附着引起基板保持架60的电接点的接触电阻不均。

保持于基板保持架60的矩形基板首先被基板保持架运送装置140运送至预湿槽126，而使基板W浸渍于预湿槽126中所收纳的纯水(步骤S2105)。接着，矩形基板被运送至活化槽129，使基板W的表面被活化(步骤S2106)。

矩形基板被浸渍于镀覆槽10的任一镀覆单元134，以进行镀覆处理(步骤S2107)。表面形成有镀覆膜的矩形基板，在吹净槽132中进行吹干(步骤S2108)。接着，被保持于基板保持架60的矩形基板被运送至固定单元120，而矩形基板从基板保持架60被取出。基板运送装置122从固定单元120接收矩形基板，并将矩形基板运送至清洗干燥装置135。矩形基板在清洗干燥装置135中进行表面的清洗及干燥(步骤S2109)。

接着，详细说明图21所示的步骤S2103中的处理。图22是设于固定单元120的有机物脱离装置50的一例的概略侧视图。有机物脱离装置50构成UV照射装置或等离子放射装置。如图22所示，有机物脱离装置50具有基板支承台55(相当于旋转机构的一例)、第一致动器53(相当于致动器的一例)、第二致动器52(相当于致动器的一例)、头部51、控制部54。基板支承台55构成为吸附矩形基板S1背面，其使矩形基板S1在圆周方向上旋转。又，基板支承台55以静电吸附式或真空吸附式吸附矩形基板S1。

头部51以如下方式构成：从配置于基板支承台55的矩形基板S1的上方，对于矩形基板S1的边缘部局部施用UV或等离子。也即，头部51构成为照射UV的情况下，有机物脱离装置50构成UV照射装置；头部51构成为放射等离子的情况下，有机物脱离装置50则构成等离子照射装置。有机物脱离装置50可对保持于基板保持架60之前的矩形基板S1的边缘部局部施用UV或等离子。换言之，矩形基板S1的边缘部以外的区域未曝露于UV或等离子。

第一致动器53及第二致动器52可使头部51在水平方向上移动。具体而言，第一致动器53可使头部51在水平方向且在直线方向的第一方向上移动；第二致动器52可使头部51在与第一方向垂直的第二方向上移动。图示的例中，通过第一致动器53，可使头部51沿着矩形基板S1的边缘部移动；通过第二致动器52，可调节从矩形基板S1端部至施用UV或等离子的位置的距离d2。本实施方式中，是以对比与基板保持架60的密封构件70的凸缘部70a抵接的部分更为外周侧的区域施用UV或等离子的方式，以使距离d2为约5mm以下，更佳为约2mm以下的方式调整头部51的位置。又，本实施方式中第一方向或第二方向并非指单一方向，而是指例如X轴的正向及负向的双向。

另外，头部51以可通过图中未表示的升降机构在垂直方向上移动的方式构成。头部51的UV照射源或等离子放射口与矩形基板S1的距离d1，较佳为约1mm以上约10mm以下。若该距离小于1mm，则矩形基板S1可能与UV照射源或等离子放射口物理性接触。另外，若该距离d1超过10mm，则可能无法局部照射UV或等离子。为了更确实地避免矩形基板与UV照射源或等离子放射口物理性接触，另外为了可局部照射，较佳是使该距离d1为约2mm以上约5mm以下。

有机物脱离装置50还具有控制部54，用于控制头部51、第一致动器53、第二致动器及图中未表示的升降机构。另外，为了不使头部51放射的UV或等离子往矩形基板S1的中央侧扩散，如图22所示，有机物脱离装置50也可具有屏蔽57，其在头部51的矩形基板S1的中央侧遮蔽UV或等离子。

图23A至图23E是表示通过图22所示的有机物脱离装置50使矩形基板S1边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置50的俯视图。如图23A所示，首先，有机物脱离装置50通过图中未表示的升降机构，将头部51在垂直方向上定位，再通过第二致动器52，将头部51的位置定位于矩形基板S1的四个边缘部中的一个。接着，有机物脱离装置50的控制部54控制头部51及第一致动器53，一边从头部51放射UV或等离子，一边通过第一致动器53沿着矩形基板S1的边缘部使头部51移动，以清洗一个边缘部。

清洗一个边缘部后，有机物脱离装置50使基板支承台55(参照图22)旋转，如图23B所示，使矩形基板S1旋转90度。此时，控制部54，以使头部51停止放射UV或等离子并使基板支承台55旋转的方式，控制头部51及基板支承台55。换言之，以不同时进行从头部51放射UV或等离子与以基板支承台55旋转矩形基板S1的方式，控制头部51及基板支承台55。由此，可防止对于矩形基板S1上未预期的区域放射UV或等离子。

如图23B所示，有机物脱离装置50使UV或等离子停止放射，通过第二致动器52使头部51定位于矩形基板S1的边缘部。本实施方式中因为具有第二致动器52，故即使是图23A至图23E所示矩形基板S1具有长边与短边的情况，也可将头部51定位于矩形基板S1的边缘部。

接着，有机物脱离装置50一边从头部51放射UV或等离子，一边通过第一致动器53使头部51沿着矩形基板S1的边缘部移动，以清洗另一个边缘部。相同地，如图23C及图23D所示，有机物脱离装置50每清洗一个边缘部，就使矩形基板S1旋转90度，以清洗各边缘部。

若矩形基板S1的四边的边缘部的清洗结束，则有机物脱离装置50更进一步使矩形基板S1旋转90度，使矩形基板S1回到与图23A相同的位置(原点)(图23E)。如上所述，清洗矩形基板S1的四边的边缘部。图22至图23E所示的有机物脱离装置50中，可具有一组第一致动器53、第二致动器52及头部51，也可具有多组这些构件。此情况下可减少清洗边缘部所需的时间。

图24是设于固定单元120的有机物脱离装置50的另一例的概略侧视图。图24所示的有机物脱离装置50中，与图22所示的有机物脱离装置50不同，构成为基板支承台55不旋转。取而代之，图24所示的有机物脱离装置50具有使头部51、第一致动器53及第二致动器52旋转的旋转轴56。旋转轴56以其中心轴通过矩形基板S1的大致中心的方式决定位置。如图24所示，头部51、第一致动器53及第二致动器52以头部51可位于矩形基板S1的边缘部上方的方式直接或间接地与旋转轴56连接。控制部54除了控制头部51、第一致动器53及第二致动器52以外，也控制旋转轴56的驱动。

图25A至图25E是表示通过图24所示的有机物脱离装置50使矩形基板S1的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置50的俯视图。如图25A所示，首先，有机物脱离装置50通过图中未表示的升降机构，进行头部51在垂直方向上的定位；通过旋转轴56及第二致动器52使头部51的位置定位于矩形基板S1的四个边缘部中的一个。接着，有机物脱离装置50的控制部54控制头部51及第一致动器53，一边从头部51放射UV或等离子，一边通过第一致动器53使头部51沿着矩形基板S1的边缘移动，以清洗一个边缘部。

清洗一个边缘部后，则有机物脱离装置50使旋转轴56旋转，如图25B所示，使头部51旋转90度。此时，控制部54以停止从头部51放射UV或等离子后使头部51旋转的方式控制头部51及旋转轴56。换言之，以不同时进行从头部51放射UV或等离子的放射与以旋转轴56使头部51旋转的方式，控制头部51及旋转轴56。由此，可防止对矩形基板S1上未预期的区域放射UV或等离子。

如图25B所示，有机物脱离装置50使UV或等离子停止放射，通过第二致动器52将头部51定位于矩形基板S1的边缘部。接着，有机物脱离装置50一边从头部51放射UV或等离子，一边通过第一致动器53使头部51沿着矩形基板S1的边缘部移动，以清洗另一个边缘部。相同地，如图25C及图25D所示，有机物脱离装置50每清洗一个边缘部，就使头部51以旋转轴56为中心旋转90度，以清洗各边缘部。

若矩形基板S1的四边的边缘部的清洗结束，则有机物脱离装置50更进一步使头部51旋转90度，使头部回到与图25A相同的位置(原点)(图25E)。如上所述，清洗矩形基板S1的四边的边缘部。在图24至图25E所示的有机物脱离装置50中，可具有一组旋转轴56、第一致动器53、第二致动器52及头部51，也可具有多个组这些构件。此情况中可减少清洗边缘部所需的时间。

图26是设于固定单元120的有机物脱离装置50的另一例的概略侧视图。图26所示的有机物脱离装置50中，与图22所示的有机物脱离装置50不同，设有两个头部。也即，有机物脱离装置50具有第一头部51a、第二头部51b以及与第一头部51a及第二头部51b对应的两个第二致动器52a、52b。如图26所示，第一头部51a与第二头部51b设于夹住第一致动器53而互相相对的位置。因此，第一头部51a及第二头部51b可通过第二致动器52a、52b彼此在相同方向上来回移动。

图27A至图27C是通过图26所示的有机物脱离装置50使矩形基板S1的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置50的俯视图。如图27A所示，首先，有机物脱离装置50通过图中未表示的升降机构，进行头部51在垂直方向上的定位，并通过第二致动器52a、52b将第一头部51a及第二头部51b的位置定位于矩形基板S1的四个边缘部中相对的两个边缘部。接着，有机物脱离装置50的控制部54控制第一头部51a及第二头部51b，并且控制第一致动器53，一边从第一头部51a及第二头部51b放射UV或等离子，一边通过第一致动器53使第一头部51a及第二头部51b沿着矩形基板S1的边缘部移动，以清洗相对的两个边缘部。

清洗相对的两个边缘部之后，则有机物脱离装置50使基板支承台55(参照图26)旋转，如图27B所示，使矩形基板S1旋转90度。此时，控制部54，以在使第一头部51a及第二头部51b停止放射UV或等离子之后使基板支承台55旋转的方式，控制第一头部51a、第二头部51b以及基板支承台55。由此，可防止对矩形基板S1上未预期的区域放射UV或等离子。

如图27B所示，在停止放射UV或等离子的状态下，有机物脱离装置50通过第二致动器52a、52b将第一头部51a及第二头部51b定位于矩形基板S1中相对的两个边缘部。接着，有机物脱离装置50一边从第一头部51a及第二头部51b放射UV或等离子，一边通过第一致动器53使第一头部51a及第二头部51b沿着矩形基板S1的边缘部移动，以清洗相对的两个边缘部。

若矩形基板S1的四边的边缘部的清洗结束，则有机物脱离装置50更进一步使矩形基板S1旋转270度，使矩形基板S1回到与图27A相同的位置(原点)(图27C)。如上所述，清洗矩形基板S1四边的边缘部。图26及图27A～图27C所示的有机物脱离装置50具有第一头部51a及第二头部51b。因此，相较于图22及图23A～图23E所示的有机物脱离装置50，可减少对矩形基板S1照射UV或等离子的时间及使矩形基板S1旋转的时间。另外，从图26至图27C所示的有机物脱离装置50中，可具有一组第一致动器53、第二致动器52a、52b、第一头部51a及第二头部51b，也可具有多个组这些构件。此情况下，可减少清洗边缘部所需的时间。

图28是设于固定单元120的有机物脱离装置50的另一例的概略侧视图。图28所示的有机物脱离装置50中，与图24所示的有机物脱离装置50不同，设有两个头部。也即，有机物脱离装置50具有第一头部51a、第二头部51b、与第一头部51a及第二头部51b对应的两个第二致动器52a、52b。如图28所示，第一头部51a与第二头部51b设置于夹住第一致动器53而互相相对的位置。因此，第一头部51a及第二头部51b可通过第二致动器52a、52b彼此在同一方向上来回移动。

图29A至图29C是表示通过图28所示的有机物脱离装置50使矩形基板S1的边缘部的有机物脱离的过程的有机物脱离装置50的俯视图。如图29A所示，首先，有机物脱离装置50通过图中未表示的升降机构，进行第一头部51a及第二头部51b在垂直方向上的定位，通过旋转轴56及第二致动器52a、52b使第一头部51a及第二头部51b的位置定位于矩形基板S1中相对的两个边缘部。接着，有机物脱离装置50的控制部54控制第一头部51a、第二头部51b以及第一致动器53，一边从第一头部51a及第二头部51b放射UV或等离子，一边通过第一致动器53使第一头部51a及第二头部51b沿着矩形基板S1的边缘部移动，以清洗一个边缘部。

清洗相对的两个边缘部之后，则有机物脱离装置50使旋转轴56旋转，如图29B所示，使第一头部51a及第二头部51b旋转90度。此时，控制部54，以在使第一头部51a及第二头部51b停止放射UV或等离子之后使第一头部51a及第二头部51b旋转的方式，控制第一头部51a及第二头部51b及旋转轴56。由此，可防止对矩形基板S1上未预期的区域放射UV或等离子。

如图29B所示，在使UV或等离子的放射停止的状态下，有机物脱离装置50通过第二致动器52a、52b使第一头部51a及第二头部51b定位于矩形基板S1的边缘部。接着，有机物脱离装置50一边从第一头部51a及第二头部51b放射UV或等离子，一边通过第一致动器53使第一头部51a及第二头部51b沿着矩形基板S1的边缘部移动，以清洗相对的两个边缘部。

若矩形基板S1的四边的边缘部的清洗结束，则有机物脱离装置50更进一步使第一头部51a及第二头部51b旋转270度，以使第一头部51a及第二头部51b回到与图29A相同的位置(原点)(图29C)。如上所述，清洗矩形基板S1四边的边缘部。图28及图29A～图29C所示的有机物脱离装置50具有第一头部51a及第二头部51b。因此，相较于图24及图25A～图25E所示的有机物脱离装置50，可降低对于矩形基板S1照射UV或等离子的时间及使头部旋转的时间。另外，在图28至图29C所示的有机物脱离装置50中，可具有一组旋转轴56、第一致动器53、第二致动器52a、52b、第一头部51a及第二头部51b，也可具有多个组这些构件。此情况下，可降低清洗边缘部所需的时间。

以上说明的第六实施方式的有机物脱离装置50为UV照射装置的情况中，作为UV光源，可使用例如高压水银灯、低压水银灯、黑光灯或放射UV区域的光线的雷射光源等。因为高压水银灯、低压水银灯及黑光灯具有光发散的倾向，故采用这些光源的情况，较佳是将光源设于基板W的附近，或使用光学系统仅对边缘部照射UV。有机物脱离装置50为等离子放射装置的情况，可使用例如大气遥控等离子装置等。

第六实施方式中虽说明有机物脱离装置50设于固定单元120，但不限于此，也可设于其他单元，也可另外作为独立装置设于镀覆装置内。另外，有机物脱离装置50虽为清洗矩形基板四边的边缘部的装置，但也可例如仅清洗相对两边的边缘部。此情况下，可减少矩形基板S1的旋转次数或头部51的旋转次数。另外，图24至图29C所示的其他有机物脱离装置50中，也可采用如图22所示的屏蔽57。

以上虽说明本发明的实施方式，但上述发明的实施方式，是用于容易理解本发明，并非限定本发明。本发明只要不脱离其主旨，则可进行变更、改良，同时，本发明当然也包含其均等物。另外，可解决上述课题的至少一部分的范围，或是可达到至少部分效果的范围中，可任意组合或省略记载于权利要求的范围及说明书的各构成要素。例如，可任意组合图1至图19中所说明的清洗基板W边缘部的有机物脱离装置45、氧化膜去除装置24及海绵清洗装置80。

符号说明

10 镀覆槽

20 旋转冲洗干燥装置

24、94 氧化膜去除装置

25 药液喷嘴

28 药液

40 对准器

45 有机物脱离装置

50 有机物脱离装置

51 头部

51a 第一头部

51b 第二头部

52、52a、52b 第二致动器

53 第一致动器

54 控制部

55 基板支承台

56 旋转轴

60 基板保持架

80 海绵清洗装置

81 旋转载台

83 DIW喷嘴

84 海绵清洗部