1.一种表面修饰的异质结纳米阵列电极的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述过渡金属盐的过渡金属选自ni、cu、co、zn、fe、mn、mo、zr、w、sc、ti、v、cr、y、nb、tc、cd中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述沉淀剂选自氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、碳酸钠、碳酸氢钠、尿素、六次甲基四胺、草酸钠中的至少一种。
4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述集流体为碳布、碳纸或金属集流体。
5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述热转换源物质为磷源、硫源、硒源或碲源。
6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述硅烷偶联剂选自乙烯基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-脲基丙基三甲氧基硅烷、环氧丁基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、9-蒽基三甲氧基硅烷、正癸基三甲氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、5-溴戊基三甲氧基硅烷、正癸基三氯硅烷、1h,1h,2h,2h-全氟癸基三甲氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三甲氧基硅烷中的至少一种。
7.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述接枝修饰的温度为25～150℃。
8.权利要求1～7任一所述制备方法制备得到的表面修饰的异质结纳米阵列电极。
9.权利要求8所述表面修饰的异质结纳米阵列电极在有机电合成反应中的应用。
10.根据权利要求9所述应用，其特征在于，所述有机电合成反应包括有机醇、醛、酮、胺的电氧化反应，和/或硝基化合物、羰基化合物、不饱和碳氢化合物的电还原反应。