用于晶圆电镀的导电环的制作方法

本技术涉及晶圆电镀，特别涉及一种用于晶圆电镀的导电环。

背景技术：

1、随着半导体工业的快速发展，晶圆电镀技术在集成电路制造中起着至关重要的作用。电镀是一种在晶圆上沉积金属薄膜的过程，以制造导电通路和互联。为了确保电镀过程的均匀性和效率，导电环的使用变得尤为关键。导电环的主要功能是在电镀过程中提供均匀的电流分布，确保金属沉积均匀，并防止边缘效应，即在晶圆的边缘处产生不均匀沉积。传统的导电环设计和材料可能会受到腐蚀、磨损或电流泄漏的影响，这会影响电镀的质量和效率。

2、此外，由于晶圆的尺寸和工艺参数的不断演变，导电环的设计和材料选择需要不断地进行优化和调整。在半导体电镀过程中，晶圆的边缘可能会受到过多的金属沉积，导致金属流动或桥接，将会影响到晶圆的性能和可靠性。

3、针对晶圆电镀技术中的这一难题，本实用新型设计了一种更高效的导电环结构。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面，本实用新型的实施例提供了一种用于晶圆电镀的导电环，其能够确保在晶圆上电镀的金属沉积均匀。

2、根据本实用新型的一个方面，提供了一种用于晶圆电镀的导电环，其中，所述导电环设置在晶圆电镀挂具上，

3、所述导电环包括：

4、环形主体；

5、用于将环形主体固定在挂具上的设置在环形主体上的多个固定孔；

6、用于连接晶圆的设置在环形主体的内周边上的多个导电齿。

7、在一些实施例中，所述环形主体的内周边是圆形的，所述多个导电齿间隔均匀地分布在内周边上。

8、在一些实施例中，所述环形主体的内周边大部分是圆形的，内部的剩余部分至少包括一段非圆形段，所述多个导电齿间隔均匀地分布在整个内周边上。

9、在一些实施例中，每个导电齿从环形主体向下突出延伸。

10、在一些实施例中，每个导电齿包括向下倾斜延伸的第一导电齿部和从第一导电齿部竖直地向下延伸的第二导电齿部。

11、在一些实施例中，所述导电环与晶圆电镀挂具电连接，每个导电齿的所述第二导电齿部与晶圆的周边电连接。

12、在一些实施例中，所述多个固定孔间隔均匀地分布在所述环形主体的靠近外周边的位置上。

13、在一些实施例中，所述固定孔包括第一固定孔和比第一固定孔孔径大的第二固定孔，其中所述第一固定孔和第二固定孔间隔布置。

14、在一些实施例中，所述导电齿向下突出的距离为5-10mm。

15、在一些实施例中，所述导电环的外径为120-160mm，所述导电环的内径为60-90mm，所述第一固定孔的孔径为5-7mm，所述第二固定孔的孔径为7-10mm，所述环形主体的厚度为2-6mm。

16、本实用新型实施例提供的用于晶圆电镀的导电环具有以下优点中的至少一个：

17、本实用新型的导电环，由于其导电齿均匀地分布在环形主体的内周边上，晶圆在电镀过程中可以获得均匀的金属沉积。这有助于提高晶圆上电路的性能和可靠性。

18、本实用新型的导电环，其导电齿的特定设计，特别是每个导电齿包括的两个部分(一个倾斜的部分和一个竖直的部分)，有效地避免了金属在晶圆的边缘桥接或溢出的问题。

19、本实用新型的导电环，其第一导电齿部是倾斜延伸的，这意味着导电环可以适应不同大小的晶圆。

20、本实用新型的导电环，由于其环形主体内周边可以是完全圆形或部分非圆形，这意味着导电环可以适应不同形状的晶圆。

21、本实用新型的导电环，由于其导电齿与晶圆的周边电连接，这确保了电流在电镀过程中均匀地流过晶圆的每一部分，从而提供稳定和一致的电镀效果。

22、本实用新型的导电环，由于其固定孔包括两种不同的孔径并且间隔布置，这使得导电环可以与多种不同的晶圆电镀挂具配合使用，提高了其通用性和适应性。

23、本实用新型的导电环，其环形主体的设计厚度在2-6mm之间，确保了导电环在电镀过程中的稳定性和耐用性。

技术特征：

1.一种用于晶圆电镀的导电环，其特征在于，所述导电环设置在晶圆电镀挂具上，

2.根据权利要求1所述的导电环，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的导电环，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的导电环，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的导电环，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的导电环，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的导电环，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的导电环，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的导电环，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的导电环，其特征在于，

技术总结
本是技术提供一种用于晶圆电镀的导电环，属于晶圆电镀技术领域。所述导电环设置在晶圆电镀挂具上，所述导电环包括：环形主体；设置在环形主体上的多个固定孔；设置在环形主体的内周边上的多个导电齿。通过使用本技术的导电环，可以使得晶圆的电镀层更加均匀一致。

技术研发人员：杨世武,眭朝萍,田帅
受保护的技术使用者：苏科斯（江苏）半导体设备科技有限公司
技术研发日：20230921
技术公布日：2024/5/10