的作用下引导腐蚀在裂纹纵深和横向同时展开，遭受腐蚀的镶层 面积将大大增多且不连续，在腐蚀电流一定的情况下，该些"微孔"极大的分散了腐蚀电流， 再次降低了单点腐蚀速率，延缓的腐蚀速度，同时保护了外观面上的铭层及其附着层微 孔镶层，产品表面耐腐蚀能力进一步提高。
[0061] 第=步；腐蚀在低电位镶层中进一步向下延伸时，由于低电位镶层下方锻层（如 锻铜层）的电位同样比低电位镶高，低电位镶同样被当做了阳极性锻层，此时向下延伸的 腐蚀被终止，腐蚀方向在低电位镶中横向进行，该样又进一步延缓了腐蚀至基材的时间， 大大降底了腐蚀的速度。
[0062] 与现有技术相比，本发明的优点在于：
[0063] 1、本发明通过对基材工件进行前期预处理，为后续低电位镶层和微孔镶层电锻打 下基础，工艺稳定，配伍合理；
[0064] 2、本发明基材表面电锻得到的双核法多层镶即半光镶层、全光镶层或沙了镶层、 低电位镶层中的高硫镶层和\或微裂纹镶层、微孔镶层，具有高防腐蚀性能，高硬度，高耐 磨性，锻层结合力好，光亮度高等优点，本发明基材表面电锻得到的微孔镶层和低电位镶 层，具有高防腐蚀性能，高硬度，高耐磨性，锻层结合力好，光亮度高等优点；同时W具有高 电位特性的微孔镶层W及具有低电位特性的多层镶一一低电位镶层为功能层，并W低电位 镶层为牺牲层，W具有微孔结构的微孔镶层能够分散电化学腐蚀的微电流，延缓在受到腐 蚀发生，同时形成还能够通过微孔结构在氧化后形成氧化物进行支持，可W在作为牺牲层 的低电位镶层受到较为严重的腐蚀后对其形成支撑，降低零件锻层损毁速度。设置的作为 牺牲层的低电位镶层具有较低的电势，在零件表面锻层发生电化学腐蚀时，低电位镶层优 先发生腐蚀，并且具有微孔镶层或者微裂纹镶层时，其微孔或者微裂纹结构同样能够起到 分散腐蚀微电流，同时在低电位镶层外侧还具有外层结构时（如装饰层或者保护层时）还 可W通过微孔或者微裂纹结构对外侧结构进行支持，增强材料结构的稳固性。另外本发明 方案利用微孔镶和微裂纹镶的孔隙结构，在增强材料结构支持性能的同时，还可W起到降 低锻层质量和降低原料耗费的作用。同时其微孔隙结构还能够在发生氧化腐蚀时形成大面 积的氧化物薄膜结构，从而极大地延缓腐蚀的发生。
[0065] 3、此外，本发明在配方选取时尽量选用对环境影响小的锻液，使得电锻工艺更为 环保，进一步地，锻层结合牢固，分布均匀，使用寿命更长，使最终产品无论在外观还是性能 上都能符合使用者的要求，使本发明所得的工艺具有较高的市场竞争力。
【附图说明】
[0066] 图1为本发明锻镶-铭部件的一实施例的锻层结构示意图。
[0067] 图2现有技术的锻镶-铭部件CASS72小时后金相图，图2中（a)为实验后样品 的正面金相图，图2中化）为实验后样品的侧面（断面）金相图。
[0068] 图3本发明锻镶-铭部件CASS72小时后金相图，图3中（a)为实验后样品的正 面金相图，图3中化）为实验后样品的侧面金相图。
[0069] 图4现有技术的锻镶-铭部件腐蚀膏实验进行168和336小时之后的图片。
[0070] 图5本发明锻镶-铭部件腐蚀膏实验进行168和336小时之后的图片。
[0071] 图6本发明复合低电位镶层电位差图片（低电位镶层为高硫镶层与微裂纹镶层的 复合层）。
[0072] 图7本发明单低电位镶层电位差图片（低电位镶层为高硫镶层或者微裂纹镶层的 任一）。
[0073] 图8本发明的多层镶腐蚀原理图（WABS为零件基材）。
[0074] 附图标记列表：
[007引1、基材；2、预处理锻层；21、腐蚀空缺；3、锻铜层；31、表面微孔；32、腐蚀孔；4、功 能层；141、低电位镶层；142、微孔镶层；62、半光镶层；61、全光镶层或沙了镶层；801、腐蚀 介质；802、装饰层巧05、腐蚀面；808、打底镶层；809、化学镶层巧10、ABS基材。
【具体实施方式】
[0076] 下面结合附图和【具体实施方式】，进一步阐明本发明，应理解下述【具体实施方式】仅 用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
[0077] 本发明实施例中溶液的溶剂除特别说明外均为水（包括而不限于蒸馈水、去离子 水、低硬度水等）。
[007引如图1所示，W下对本发明锻镶部件的锻层结构进行说明。
[007引结构实施例1
[0080]基材1 (ABS材质）；预处理锻层2包括化学镶层809、打底镶层808,化学镶层809 沉积在整个基材1上，打底镶层808沉积在化学镶层809上，在打底镶层808上形成有锻铜 层3 ;半光镶层62,其形成于锻铜层3上；和全光镶层61，其形成于半光镶层62上；和功能 层4,其形成于全光镶层61上，其中功能层4包括低电位镶层141和形成于低电位镶层上的 微孔镶层142,其中低电位镶层141为高硫镶层，其形成于全光镶层61上；和装饰层802,其 形成于微孔镶层142上，装饰层802为=价白铭锻层。
[00引]结构实施例2
[0082]基材1 (ABS材质）；预处理锻层2包括化学镶层809、打底镶层808,化学镶层809 沉积在整个基材1上，打底镶层808沉积在化学镶层809上，在打底镶层808上形成有锻铜 层3 ;半光镶层62,其形成于锻铜层3上；和全光镶层61，其形成于半光镶层62上；和功能 层4,其形成于全光镶层61上，其中功能层4包括低电位镶层141和形成于低电位镶层上 的微孔镶层142,其中低电位镶层141为微裂纹镶层，其形成于全光镶层61上；和装饰层 802,其形成于微孔镶层142上，装饰层802为=价黑铭锻层。
[008引结构实施例3
[0084] 基材1 (ABS材质）；预处理锻层2包括化学镶层809、打底镶层808,化学镶层809 沉积在整个基材1上，打底镶层808沉积在化学镶层809上，在打底镶层808上形成有锻铜 层3 ;半光镶层62,其形成于锻铜层3上；和全光镶层61，其形成于半光镶层62上；和功能 层4,其形成于全光镶层61上，其中功能层4包括低电位镶层141和形成于低电位镶层上的 微孔镶层142,其中低电位镶层141为微裂纹镶层，其形成于全光镶层61为高硫镶层和微裂 纹镶层（可W是高硫镶层形成于全光镶层或沙了镶层5上，微裂纹镶层形成于高硫镶层上； 也可W是微裂纹镶层形成于全光镶层或沙了镶层5上，高硫镶层形成于微裂纹镶层上）；和 装饰层802,其形成于微孔镶层142上，装饰层802为=价黑铭锻层。
[0085] 结构实施例4
[0086] 基材1 (ABS材质）；预处理锻层2包括化学镶层809,化学镶层809沉积在整个基 材1上，在化学镶层809上形成有锻铜层3 ;半光镶层62,其形成于锻铜层3上；和全光镶 层61，其形成于半光镶层62上；和功能层4,其形成于全光镶层61上，其中功能层4包括低 电位镶层141和形成于低电位镶层上的微孔镶层142,其中低电位镶层141为高硫镶层，其 形成于全光镶层61上；和装饰层802,其形成于微孔镶层142上，装饰层802为=价白铭锻 层。
[0087] 结构实施例5
[0088] 基材1 (ABS材质）；预处理锻层2包括化学镶层809,化学镶层809沉积在整个基 材1上，在化学镶层809上形成有锻铜层3 ;半光镶层62,其形成于锻铜层3上；和全光镶层 61，其形成于半光镶层62上；和功能层4,其形成于全光镶层61上，其中功能层4包括低 电位镶层141和形成于低电位镶层上的微孔镶层142,其中低电位镶层141为微裂纹镶层， 其形成于全光镶层61上；和装饰层802,其形成于微孔镶层142上，装饰层802为六价铭锻 层。
[008引结构实施例6
[0090]基材1 (ABS材质）；预处理锻层2包括化学镶层809,化学镶层809沉积在整个基 材1上，在化学镶层809上形成有锻铜层3 ;半光镶层62,其形成于锻铜层3上；和全光镶层 61，其形成于半光镶层62上；和功能层4,其形成于全光镶层61上，其中功能层4包括低电 位镶层141和形成于低电位镶层上的微孔镶层142,其中低电位镶层141为微裂纹镶层，其 形成于全光镶层61为高硫镶层和微裂纹镶层（可W是高硫镶层形成于全光镶层或沙了镶 层5上，微裂纹镶层形成于高硫镶层上；也可W是微裂纹镶层形成于全光镶层或沙了镶层5 上，高硫镶层形成于微裂纹镶层上）；和装饰层802,其形成于微孔镶层142上，装饰层802 为六价铭锻层。
[00川结构实施例7
[0092]基材1(ABS材质）；预处理锻层2包括打底镶层808,化学镶层808沉积在整个基 材1上，在打底镶层808上形成有锻铜层3 ;半光镶层62,其形成于锻铜层3上；和全光镶 层61，其形成于半光镶层62上；和功能层4,其形成于全光镶层61上，其中功能层4包括低 电位镶层141和形成于低电位镶层上的微孔镶层142,其中低电位镶层141为高硫镶层，其 形成于全光镶层61上；和装饰层802,其形成于微孔镶层142上，装饰层802为=价黑铭锻 层。
[009引结构实施例8
[0094]基材1 (ABS材质）；预处理锻层2包括打底镶层808,化学镶层808沉积在整个基 材1上，在打底镶层808上形成有锻铜层3 ;半光镶层62,其形成于锻铜层3上；和全光镶层 61，其形成于半光镶层62上；和功能层4,其形成于全光镶层61上，其中功能层4包括低电 位镶层141和形成于低电位镶层上的微孔镶层142,其中低电位镶层141为微裂纹镶层，其 形成于全光镶层61上；和装饰层802,其形成于微孔镶层142上，装饰层802为=价黑铭