且一般常用的滚桶的长期工作上限温度为 75Γ。
[0017] 而本申请中通过设计所述配方的电化学退镀液，控制退镀时电子元件上的金属 钯、金属镍、以及基体金属的溶解速率，进而保证退镀时，金属钯能够尽可能多且迅速地溶 解于退镀液中，而基体贱金属则尽可能少且较为缓慢地溶解，保证金属基体的基本完整性 进而可以重新电镀为合格零件，而后将含钯的退镀液进行还原、分离、提纯得到高纯度的金 属钯粉末。
[0018] 综上，本发明的有益效果是：本发明所述的电化学退镀液及使用该电化学退镀液 进行电化学退镀电子元件的工艺方法，能够有效避免现有技术中存在的由于电子元件基体 与镀层均溶解而造成贵金属钯的回收效率低以及损伤基体金属材料而造成的更大的经济 损失的问题，促进对电子元件中的金属钯、镍的快速溶解，抑制对基体贱金属及其他镀层金 属的溶解，从而使电子元件的金属基体受到最少的腐蚀，便于回收冶炼循环使用，而含钯的 退镀液也由于其中所含的杂质（基体金属、其他镀层金属）较少，提高钯金属的回收效率，降 低成本。
【具体实施方式】
[0019] 下面结合实施例，对本发明作进一步的详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0020] 实施例1 电化学退镀液Al，配方如下： 氯化钠 50克/升； 亚硝酸钠 20克/升； 磷酸二氢钠 20克/升； 余量为水。
[0021] 实施例2 电化学退镀液A2,配方如下： 氯化钾 60克/升； 亚硝酸钾 30克/升； 磷酸二氢钾 30克/升； 余量为水。
[0022] 实施例3 电化学退镀液A3,配方如下： 氯化钠 50克/升； 亚硝酸钠 25克/升； 磷酸二氢钠 25克/升； 余量为水。
[0023] 实施例4 电化学退镀液A4,配方如下： 氯化钠 60克/升； 亚硝酸钠 20克/升； 磷酸二氢钾 20克/升； 余量为水。
[0024] 实施例5 电化学退镀液A5,配方如下： 氯化钾 55克/升； 亚硝酸钠 25克/升； 磷酸二氢钾 25克/升； 余量为水。
[0025] 废件的退镀及钯金属的回收 青铜基材、镀镍/钯镍/金的不合格接插件，镀镍1-3微米打底，局部镀钯镍0. 38-1. 2 微米，再闪镀金〇. 05微米，其余部位镀锡2~5微米。对该不合格接插件的退镀及贵金属钯 的回收过程如下： 1.退镀 首先将接插件表面的金退镀后，均分为五等份，将每份分别装入各自的电镀滚筒内，连 接电源阳极，并分别浸入等体积量的如实施例1-5所示的退镀液配方中，翻动工件，通电退 镀至镀钯镍部位露尽铜基体为止，再回收水洗2次，其中，电退镀的过程中，退镀液温度为 70~75°C，滚桶内褪镀的平均电流2-3A/dm2 (相当于固定阳极电流密度8-9A/dm2)。电源阴 极连接不锈钢，当退除速度较慢时，可按对应的比例补加退镀液，直至恢复至正常退除速度 时即可。退镀完成后，取出各电镀滚筒内的接插件并记录其退镀状况于下表1。
[0026] 表 1
2.回收钯 分别将上述实施例1- 3和实施例5中褪镀后的退镀液过滤出沉淀物，用盐酸调节pH 至〇-〇. 5,加温溶解沉淀物，并按5克/1升沉淀物溶液左右的量加入氟化钠或氟化氢铵，过 滤得清液，向清液中加氢氧化钠来调节清液的pH至3. 5±0. 5,加温到80-100°C，加入20wt% 甲酸钠溶液，还原出钯金属沉淀，其他金属元素不会以单质形态共沉淀，分离钯沉淀后，用 盐酸煮洗以去除钯沉淀中的锡酸杂质，过滤，用氨水洗涤除去可能存在的氯化亚铜，沉淀分 离烘干得99%的钯。
[0027] 实施例4中褪镀后的退镀液沉淀物，含有的杂质太高，盐酸加温溶解后直接用以 上方法还原钯粉难以提纯。采用以下方法：加碱降低酸度至pH〇. 5~1. 5,分析钯含量，然后 加入丁基黄原酸钠溶液，充分搅拌，反应30~60分钟，过滤得钯离子与黄药形成黄原酸钯沉 淀，钯的沉淀率达99. 9%，铜、锡、镍、铅等沉淀率均小于1%，分离较彻底。
[0028] 获得的黄原酸钯沉淀，用盐酸和双氧水使沉淀完全溶解，煮沸分解双氧水，加入过 量的氨水，先形成Pd (NH3) 4C12溶液，过滤出清液。
[0029] 再将盐酸逐渐加入到滤液中，酸化至pHl. 0~1. 5,可沉淀出黄色的二氯二氨合钯： Pd (NH3) 4C12+2HC1=== Pd(NH3)2Cl2 丨 +2NH4C1 过滤清洗沉淀物，再将沉淀溶于氨水后加水合肼直接还原出钯粉。或者将Pd (NH3) 2C12浅黄色沉淀物用80°C左右的水浆化，缓慢加入水合肼还原，从现象观察反应后的溶液清亮 为止，开始时要慢加，以免漫槽，溶液清亮后即过滤得钯粉，用水洗至中性，在120°C烘箱中 烘干得99%的钯粉。
[0030] 本发明所述的电化学退镀液除了适用于上述各实施例中所列举的以铜为基材的 钯/或钯镍镀件之外，更适合采用不锈钢为基材的钯/或钯镍镀件，采用该退镀液退镀钯/ 或钯镍镀层后的不锈钢基体基本上没有可肉眼观察到的腐蚀，表明该退镀液在退镀钯/或 钯镍合金的过程中，能够良好地抑制不锈钢基体的溶解。
[0031] 综上，本发明所述的金属钯的退镀及回收主要是针对功率件和封装框架，以贱金 属作为基体金属，其上镀有钯/或钯镍合金的镀层，通过对退镀液的配方的优化，抑制贱金 属的溶解，促进钯/或钯镍合金的溶解，一方面使基体能够保持其基本完整性从而能够被 再次用于电镀制造生产，另一方面提高钯金属的回收效率。
[0032] 如上所述，可较好的实现本发明。
[0033] 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，依 据本发明的技术实质，在本发明的精神和原则之内，对以上实施例所作的任何简单的修改、 等同替换与改进等，均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种电化学退镀液，由以下组分组成： 氯化盐 50-60克/升； 亚硝酸盐 20-30克/升； 磷酸二氢盐 20-30克/升； 余量为水。2. -种电化学退镀液，由以下组分组成： 氯化盐 50-55克/升； 亚硝酸盐 20-25克/升； 磷酸二氢盐 20-25克/升； 余量为水。3. -种电化学退镀液，由以下组分组成： 氯化钠 50-55克/升； 亚硝酸钠 25克/升； 磷酸二氢钠 25克/升； 余量为水。4. 采用如权利要求1至3中任一项所述的电化学退镀液回收电子元件上的贵金属钯的 工艺，其特征在于，包括以下步骤： 1) 采用电化学法退镀电子元件，将电子元件连接电源阳极，将不锈钢连接电源阴极，浸 入如权利要求1至3中任一项所述的电化学退镀液中，翻动电子元件至露尽基体时止，其 中，阳极电流密度为8-9A/dm 2;退镀液温度为70-75°C ; 2) 将经过步骤1)后的电化学退镀液进行分离，回收其中的贵金属钯。5. 如权利要求4所述的回收电子元件上的贵金属钯的工艺，其特征在于，所述电子元 件指的是以贱金属为基体，并镀有钯镀层或者是钯镍镀层的电子元件。6. 如权利要求4所述的回收电子元件上的贵金属钯的工艺，其特征在于，所述步骤2) 具体为：取经过步骤1)后的退镀液，过滤出沉淀物，加盐酸调节pH至0-0. 5,加温溶解沉 淀物，并根据锡杂质的含量加入适量的氟化钠或氟化氢铵，过滤得清液，调节清液的PH至 3. 5±0. 5,加温到80-100°C，加入甲酸钠溶液，还原出钯金属粉末沉淀。7. 如权利要求6所述的回收电子元件上的贵金属钯的工艺，其特征在于，将上述还原 得到的钯金属粉末分离出，再经过盐酸煮洗、氨水洗涤后，沉淀、分离、烘干，得到纯度为99% 的钯金属。8. 如权利要求5所述的回收电子元件上的贵金属钯的工艺，其特征在于，所述贱金属 为铜或者是不锈钢。9. 如权利要求6所述的回收电子元件上的贵金属钯的工艺，其特征在于，所述氟化钠 或氟化氢铵的添加量为5克/升。
【专利摘要】本发明公开了一种从电子元件上回收贵金属钯的工艺及使用的电化学退镀液。所述电化学退镀液由以下组分组成：氯化盐：50-60克/升；亚硝酸盐：20-30克/升；磷酸二氢盐：20-30克/升；余量为水。本发明还提供一种使用该电化学退镀液进行电化学褪镀电子元件的工艺方法，能够对电子元件中的金属钯或钯镍合金进行选择性的溶解，从而使电子元件的金属基体受到最少的腐蚀，便于回收冶炼循环使用，而含钯的退镀液也由于其中所含的杂质较少，提高钯金属的回收效率，降低成本。
【IPC分类】C25F5/00
【公开号】CN105019010
【申请号】CN201510557370
【发明人】王刚, 张涛
【申请人】四川虹涛电子科技有限公司
【公开日】2015年11月4日
【申请日】2015年9月6日