专利名称：一种n型有机薄膜晶体管及其制备方法
技术领域：
本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种N型有机薄膜晶体管及其制备方法。
背景技术：
自从1986年iTsumura等人报道了第一个有机薄膜晶体管(Organic thin film transistors，简称0TFT)，有机薄膜晶体管由于其在有源矩阵显示、有机集成电路、电子商标和传感器等方面的潜在应用价值得到了人们的广泛关注。可以预见，有机薄膜晶体管在诸多方面都可以极大的改进目前由无机场效应晶体管构成的电子信息领域的现状。与无机晶体管相比，有机薄膜晶体管具有以下的优点
①有机薄膜技术更多，更新，使得器件的尺寸能够更小，集成度更高，使得应用OTFT的电子元器件可以达到更高的运算速度和更小的操作功率。利用有机薄膜大规模制备技术， 可以制备大面积的器件；
②通过对有机分子结构进行适当的修饰，可以得到不同性能的材料，因此通过对有机半导体材料进行改性就能够使OTFT的电学性能达到理想的结果；
③有机材料比较容易获得，OTFT的制备工艺也更为简单，制备条件更加温和，能够有效地降低器件的成本；
④全部由有机材料制备的全有机薄膜晶体管具有非常好的柔韧性，而且质量轻，携带方便。有研究表明，对柔性OTFT器件进行适度的扭曲或弯曲，器件的电学特性并没有显著的改变。良好的柔韧性更进一步拓宽了有机薄膜晶体管的使用范围。有机薄膜晶体管按照传输载流子电荷类型的不同，可以分为N型有机薄膜晶体管和P型有机薄膜晶体管。在N型晶体管中载流子为电子，电荷为负；而在P型晶体管中载流子为空穴，电荷为正。场效应迁移率作为晶体管最重要的性能指标之一，经过人们的不断努力，N型 OTFT的迁移率已经从最初的10_4 cm7Vs提高到了 6 cm2/VS，但是与无机多晶或者单晶场效应晶体管相比，这个值还是很小的，这大大限制了 N型有机薄膜晶体管的应用。另外，常见的N型有机半导体材料在空气中操作时易受到水汽或氧气的影响，导致器件的性能下降并且寿命不长。目前大多数的N型有机薄膜晶体管都必须在氮气或真空中操作，这极大的限制了晶体管的进一步发展。因此，如何通过设计优化的器件结构和制备方法，提高晶体管的性能和稳定性，这是N型OTFT亟待解决的问题。
发明内容
针对上述现有技术，本发明要解决的技术问题是提供一种具有高迁移率和高稳定性的N型有机薄膜晶体管及其制备方法。为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案一种N型有机薄膜晶体管，其结构为底栅顶接触式或底栅底接触式，包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、第一修饰层、有机半导体层，源电极和漏电极，所述有机半导体层包括N型有机半导体材料的第一有机半导体层和第二有机半导体层，在第一有机半导体层和第二有机半导体层间设有载流子阻挡层。进一步地，所述载流子阻挡层与第二有机半导体层间设有第二修饰层。进一步地，所述第一修饰层和第二修饰层由苯并类有机材料制成，厚度为0. 5飞 nm0进一步地，所述载流子阻挡层由电子阻挡材料或者绝缘材料中的一种或多种构成，载流子阻挡层的厚度为广20nm。进一步地，所述第一有机半导体层和第二有机半导体层的厚度分别为1(T100 nm。进一步地，所述栅电极、源电极和漏电极为金属或者导电薄膜，其中，源电极和漏电极厚度为10 300 nm。一种N型有机薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤
①先对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；
②在衬底表面制备栅电极；
③在栅电极上面制备栅极绝缘层并对绝缘层进行处理；
④在所述栅极绝缘层上制备第一修饰层；
⑤在第一修饰层上制备第一有机半导体层；
⑥制备载流子阻挡层；
⑦然后在载流子阻挡层上制备第二有机半导体层；
⑧在第二有机半导体层上制备源电极和漏电极；
⑨将步骤⑧后制得的器件在手套箱进行封装，手套箱为惰性气体氛围；
其中，步骤②③④⑤⑥⑦⑧中所述有机半导体层、修饰层、载流子阻挡层、电极层和栅极绝缘层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、电镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂、LB膜中的一种或者几种方式形成。进一步地，所述的N型有机薄膜晶体管的制备方法，在所述载流子阻挡层上制备第二修饰层后再制备第二有机半导体层。一种N型有机薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤
①先对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；
②在衬底表面制备栅电极；
③在栅电极上面制备栅极绝缘层并对绝缘层进行处理；
④在所述栅极绝缘层上制备源电极和漏电极；
⑤在源电极和漏电极间制备第一修饰层；
⑥在第一修饰层、源电极、漏电极上制备第一有机半导体层；
⑦在第一有机半导体层上制备载流子阻挡层；
⑧然后在载流子阻挡层上制备第二有机半导体层；
⑨将步骤⑧后制得的器件在手套箱进行封装，手套箱为惰性气体氛围；
其中，步骤②③④⑤⑥⑦⑧中所述有机半导体层、修饰层、载流子阻挡层、电极层和栅极绝缘层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、电镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂、LB膜中的一种或者几种方式形成。进一步地，在所述载流子阻挡层与第二有机半导体层间再制备一层第二修饰层。与现有技术相比，本发明具有以下有益效果提供的N型有机薄膜晶体管采用了新型的多层结构，即在两层有机半导体层之间加入一层载流子阻挡层和所述载流子阻挡层上的修饰层。首先通过适当地引入载流子阻挡层，使器件形成两个沟道，减少了高偏压情况下晶体管沟道中载流子相互碰撞，散射和淬灭现象，进而提高了器件的载流子迁移率；其次，通过适当地引入修饰层，使有机半导体层形成更好的表面形貌，提供了更好的接触表面，进而提升了载流子在沟道中的传输能力。另外，由于其多层结构具有保护作用，提高了晶体管在大气环境中的稳定性。
图1为本发明底栅顶接触式有机薄膜晶体管结构示意图； 图2为本发明底栅底接触式有机薄膜晶体管结构示意图。其中，1为衬底，2为栅电极，3为栅极绝缘层，4为第一修饰层，5为第一有机半导体层，6为载流子阻挡层，7为第二修饰层，8为第二有机半导体层，9为源电极，10为漏电极。
具体实施例方式下面将结合附图及具体实施方式
对本发明作进一步的描述。如图1、图2所示，本发明的一种N型有机薄膜晶体管，器件的结构包括衬底1，栅电极2，栅极绝缘层3，第一修饰层4，第一有机半导体层5，载流子阻挡层6，第二修饰层7， 第二有机半导体层8，源电极9，漏电极10。所述衬底1，是刚性衬底或者柔性衬底，为硅、玻璃、蓝宝石、聚合物薄膜和金属箔中的一种，有一定的防水汽和氧气渗透的能力，有较好的表面平整度。所述栅电极2，源电极9和漏电极10，是由具有低电阻的材料构成，包括，但不限于，金(Au)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铜(Cu)、钙(Ca)、钡(Ba)、镍(Ni)等金属及其合金材料，金属氧化物，如氧化铟锡(ΙΤ0)，氧化锌锡(IZO)导电薄膜和导电复合材料(如金胶、银胶、碳胶等)，制备方法可以是真空热蒸镀、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积、丝网印刷、打印、旋涂等各种沉积方法；所述源电极9和漏电极10的厚度为1(T300 nm。所述的栅极绝缘层3具有良好的介电性能，材料包括无机绝缘材料，如二氧化硅(Si02)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(A1203)、氟化锂(LiF)、二氧化钛(Ti02)、五氧化二钽 (Ta205)；有机绝缘材料，如聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙基丙烯酸酯(PCA)、聚四氟乙烯(PTFE)等，制备方法可以是等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂或者真空蒸镀等。所述栅极绝缘层的厚度为10(T2000 nm。所述第一修饰层4和第二修饰层7均由苯并类有机材料制成，包括并五苯、并四苯和并三苯，使用真空蒸镀的方法制成，蒸镀速率保持为(TO. 5 nm/s，所述修饰层的厚度均为 0. 5 5 nm。
所述第一有机半导体层5和第二有机半导体层8采用具有场效应性能的N型有机材料制成，包括富勒烯(C60)、氟代酞菁铜(F16CUPC)、氟代酞菁锌(FieaiPc)、氟代酞菁铁 (F16!^ePc)、氟代酞菁钴(F16CoPc)、氯代酞菁铜(C116CuPc)、氯代酞菁锌(C116ZnPc)、氯代酞菁铁(C116FePc)、氯代酞菁钴(C116CoPc)、氟代六噻吩(DFH-6T)、氯代六噻吩(DCIH-6T) 等。每一层有机半导体层的厚度为1(T100 nm。所述载流子阻挡层6由电子阻挡材料或者绝缘材料中的一种或多种构成；所述的电子阻挡材料包括芳香族二胺类化合物、芳香族三胺类化合物、咔唑类化合物、噻吩类材料、聚对苯乙炔(PPV)及其衍生物、芳香胺类材料、稠环芳香化合物或酞菁染料。其中，芳香族二胺类化合物是N，N，-二(萘亚甲基-l-yl)-N，N，-二(苯基)-联苯胺(NPB)、N，N，-二 (萘亚甲基-2-yl) -N，N，- 二(苯基)-联苯胺(β -ΝΡΒ)、Ν，N，- 二 (3-甲基苯基)-N, N，- 二 (苯基)-联苯胺(TPD)、Ν，Ν，- 二(萘亚甲基-l-yl)_N，N，- 二(苯基)-2，2，- 二甲基联苯胺(a-NPD)、4，4，，4，’ -三(咔唑_9_yl)三苯胺(TCTA)，芳香族三胺类化合物是二 44-(N，N-联甲苯-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)等。其中，噻吩类材料包括5-乙烯基-2-四聚噻吩(V4T)、5_乙烯基-五聚噻吩(V5T)、α，α-二(2，2_ 二氰基乙烯)-五聚 _.(DCV5T)、[2，6-(4，4-:-(2-乙基己基)_4H_ 环戊烯[2，l_b; 3，4_b，] - 二噻吩)-交替-4，7-(2，1，3-苯并噻二唑)]共聚物(PCPDTBT)、(5，5-二辛基-[2，2’ ；5，，2” ；5”，2] 四聚噻吩)-交替-(2，7-芴-9-酮)]共聚物斤01 8)、聚(3-烷基噻吩)(P3AT)、3-己基取代聚噻吩(P3HT)，PPV衍生物包括聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)_1，4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV)、聚[2-甲氧基，5-(3,7-二甲基-辛氧基)-对苯乙烯撑](MDM0-PPV) 等。绝缘材料为聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙基丙烯酸酯(PCA)、聚四氟乙烯(PTFE)、氟化锂(LiF)、氟化镁 (MgF2)、氟化钙(CaF2)、硫化铜(CuS)、碘化铜(Nal)。该载流子阻挡层6和载流子阻挡层上的修饰层7位于有机半导体层5和有机半导体层8中间。所述载流子阻挡层的厚度为广20 nm0所述第一有机半导体层5、第二有机半导体层8和载流子阻挡层6的成膜方法，当材料为小分子材料时，采用真空蒸镀、旋涂、滴膜、压印、印刷等；当材料为聚合物材料时，采用旋涂、滴膜、印刷等。以下是本发明的具体实施例 实施例1
器件结构如图ι所示。器件各层的材料和厚度为衬底1为玻璃，栅电极2为ΙΤ0，栅极绝缘层3为PMMA (500 nm)，两层修饰层为并五苯(2 nm)，两层有机半导体层均为C60 (25 nm)，载流子阻挡层6为TAPC (2 nm)，源电极9和漏电极10均为Ag (50 nm)。该有机薄膜晶体管的制备方法如下
①先对溅射好ITO的玻璃衬底进行彻底的清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②采用旋涂法在ITO上制备PMMA薄膜形成栅极绝缘层；
③对旋涂好的PMMA薄膜经行加热烘烤；
④采用真空蒸镀制备并五苯修饰层；
⑤采用真空蒸镀制备第一层C60有机半导体层；
⑥采用真空蒸镀制备TAPC载流子阻挡层；⑦采用真空蒸镀制备并五苯修饰层；
⑧采用真空蒸镀制备第二层C60有机半导体层；
⑨采用真空蒸镀制备源电极和漏电极；
⑩将器件在手套箱进行封装测试，手套箱为氮气氛围； 实施例2
器件结构如图1所示。器件各层的材料和厚度为衬底1为玻璃，栅电极2为ΙΤ0，栅极绝缘层3为PVP (2000 nm)，两层修饰层为并五苯(5 nm)，两层有机半导体层均为C60 (80 nm)，载流子阻挡层6为TAPC (10 nm)，源电极9和漏电极10均为Ag (150 nm)。晶体管的制备流程与实施例1相似。实施例3
器件结构如图ι所示。器件各层的材料和厚度为衬底1为玻璃，栅电极2为ΙΤ0，栅极绝缘层3为PVP (1000 nm)，两层修饰层为并五苯(3 nm)，两层有机半导体层均为C60 (100 nm)，载流子阻挡层6为TCTA (20 nm)，源电极9和漏电极10均为Mg (300 nm)。晶体管的制备流程与实施例1相似。实施例4
器件结构如图ι所示。器件各层的材料和厚度为衬底1为玻璃，栅电极2为ΙΤ0，栅极绝缘层为3PS (200 nm)，两层修饰层为并五苯(1 nm)，两层有机半导体层均为C60 (50 nm)，载流子阻挡层为TCTA (10 nm)，源电极9和漏电极10均为Ag (50 nm)。晶体管的制备流程与实施例1相似。实施例5
器件结构如图ι所示。器件各层的材料和厚度为衬底1为玻璃，栅电极2为ΙΤ0，栅极绝缘层3为LiF (100 nm)，两层修饰层为并五苯(0. 5 nm)，第一有机半导体层5为C60 (15 nm)，第二有机半导体层8为F16CuPc (10 nm)，载流子阻挡层6为LiF (1 nm)，源电极9和漏电极10均为Ca (10 nm)。晶体管的制备流程与实施例1相似。实施例6
器件结构如图1所示。器件各层的材料和厚度为采用硅衬底，栅电极2为硅，栅极绝缘层3为Si02 (300 nm)，两层修饰层为并四苯(1.5 nm)，两层有机半导体层均为F16CuPc (35 nm)，载流子阻挡层6为NPB (2 nm)，源电极9和漏电极10均为Al (50 nm)。晶体管的制备流程与实施例1相似。实施例7
器件结构如图1所示。器件各层的材料和厚度为采用硅衬底，栅电极2为硅，栅极绝缘层3为Si02(300 nm)，两层修饰层为并三苯(2 nm)，第一有机半导体层5为F16CuPc(25 nm)，第二有机半导体层8为C60 (25 nm)，载流子阻挡层6为LiF (2 nm)，源电极9和漏电极 10 均为 Ba (10 nm)。晶体管的制备流程与实施例1相似。实施例8
器件结构如图2所示。器件各层的材料和厚度为采用硅衬底1，栅电极2为硅，栅极绝缘层3为Si02 (300 nm)，两层修饰层为并五苯(2 nm)，两层有机半导体层均为C60 (30nm)，载流子阻挡层6为TAPC (2 nm)，源电极9和漏电极10均为Al (20 nm)。该有机薄膜晶体管的制备方法如下
①先对硅衬底进行彻底的清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②采用热氧化或者气相沉积的方法生成一层Si02作为栅极绝缘层；
③在Si02表面通过真空蒸镀或者溅射的方法制备源电极和漏电极；
④采用真空蒸镀制备并五苯修饰层；
⑤采用真空蒸镀制备第一层C60有机半导体层；
⑥采用真空蒸镀制备TAPC载流子阻挡层；
⑦采用真空蒸镀制备并五苯修饰层；
⑧采用真空蒸镀制备第二层C60有机半导体层；
⑨将器件在手套箱进行封装测试，手套箱为氮气氛围； 实施例9
器件结构如图2所示。器件各层的材料和厚度为采用硅衬底1，栅电极2为硅，栅极绝缘层3为Si02 (400 nm)，两层修饰层为并四苯(5 nm)，两层有机半导体层均为C60 (100 nm)，载流子阻挡层6为LiF (20 nm)，源电极9和漏电极10均为Mg (50 nm)。晶体管的制备流程与实施例8相似。实施例10
器件结构如图2所示。器件各层的材料和厚度为采用硅衬底1，栅电极2为硅，栅极绝缘层3为Si02 (200 nm)，两层修饰层为并五苯(1 nm)，第一有机半导体层5为F16CuPc (30 nm)，第二有机半导体层8为C60 (30 nm)，载流子阻挡层6为TAPC (1 nm)，源电极9 和漏电极10均为Al (20 nm)。晶体管的制备流程与实施例8相似。实施例11
器件结构如图2所示。器件各层的材料和厚度为采用硅衬底1，栅电极2为硅，栅极绝缘层3为Si02 (300 nm)，两层修饰层为并五苯(2 nm)，两层有机半导体层均为F16CuPc (50 nm)，载流子阻挡层6为NPB (4 nm)，源电极9和漏电极10均为Ag (20 nm)。晶体管的制备流程与实施例8相似。实施例12
器件结构如图2所示。器件各层的材料和厚度为采用硅衬底1，栅电极2为硅，栅极绝缘层3为Si02 (300 nm)，两层修饰层为并三苯(3 nm)，两层有机半导体层均为F16CuPc (60 nm)，载流子阻挡层6为TPD (10 nm)，源电极9和漏电极10均为Ca (30 nm)。晶体管的制备流程与实施例8相似。实施例13
器件结构如图2所示。器件各层的材料和厚度为衬底1为玻璃，栅电极2为ΙΤ0，栅极绝缘层3为PMMA (500 nm)，两层修饰层为并五苯(2 nm)，两层有机半导体层均为C60 (50 nm)，载流子阻挡层6为TPD (2 nm)，源电极9和漏电极10均为Mg (20 nm)。晶体管的制备流程与实施例8相似。实施例14
器件结构如图2所示。器件各层的材料和厚度为衬底1为玻璃，栅电极2为ΙΤ0，栅极绝缘层3为PS (300 nm)，两层修饰层为并五苯(2 nm)，第一有机半导体层5为C60 (40 nm)，第二有机半导体层8为F16CuPc (30 nm)，载流子阻挡层6为α-NPD (2 nm)，源电极 9和漏电极10均为Al (20 nm)。
晶体管的制备流程与实施例8相似。
权利要求
1.一种N型有机薄膜晶体管，其结构为底栅顶接触式或底栅底接触式，包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、第一修饰层、有机半导体层，源电极和漏电极，其特征在于所述有机半导体层包括N型有机半导体材料的第一有机半导体层和第二有机半导体层，在第一有机半导体层和第二有机半导体层间设有载流子阻挡层。
2.根据权利要求1所述的N型有机薄膜晶体管，其特征在于所述载流子阻挡层与第二有机半导体层间设有第二修饰层。
3.根据权利要求1或2所述的N型有机薄膜晶体管，其特征在于所述第一修饰层和第二修饰层由苯并类有机材料制成，厚度为0.5、nm。
4.根据权利要求1或2所述的N型有机薄膜晶体管，其特征在于所述载流子阻挡层由电子阻挡材料或者绝缘材料中的一种或多种构成，载流子阻挡层的厚度为广20nm。
5.根据权利要求1或2所述的N型有机薄膜晶体管，其特征在于所述第一有机半导体层和第二有机半导体层的厚度分别为1(T100 nm。
6.根据权利要求1或2所述的N型有机薄膜晶体管，其特征在于所述栅电极、源电极和漏电极为金属或者导电薄膜，其中，源电极和漏电极厚度为1(T300 nm。
7.—种N型有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤①先对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；②在衬底表面制备栅电极；③在栅电极上面制备栅极绝缘层并对绝缘层进行处理；④在所述栅极绝缘层上制备第一修饰层；⑤在第一修饰层上制备第一有机半导体层；⑥制备载流子阻挡层；⑦然后在载流子阻挡层上制备第二有机半导体层；⑧在第二有机半导体层上制备源电极和漏电极；⑨将步骤⑧后制得的器件在手套箱进行封装，手套箱为惰性气体氛围；其中，步骤②③④⑤⑥⑦⑧中所述有机半导体层、修饰层、载流子阻挡层、电极层和栅极绝缘层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、电镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂、LB膜中的一种或者几种方式形成。
8.根据权利要求7所述的N型有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于在所述载流子阻挡层上制备第二修饰层后再制备第二有机半导体层。
9.一种N型有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤①先对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；②在衬底表面制备栅电极；③在栅电极上面制备栅极绝缘层并对绝缘层进行处理；④在所述栅极绝缘层上制备源电极和漏电极；⑤在源电极和漏电极间制备第一修饰层；⑥在第一修饰层、源电极、漏电极上制备第一有机半导体层；⑦在第一有机半导体层上制备载流子阻挡层；⑧然后在载流子阻挡层上制备第二有机半导体层；⑨将步骤⑧后制得的器件在手套箱进行封装，手套箱为惰性气体氛围；其中，步骤②③④⑤⑥⑦⑧中所述有机半导体层、修饰层、载流子阻挡层、电极层和栅极绝缘层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、电镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂、LB膜中的一种或者几种方式形成。
10.根据权利要求9所述的N型有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于在所述载流子阻挡层与第二有机半导体层间再制备一层第二修饰层。
全文摘要
本发明公开了一种N型有机薄膜晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、修饰层、有机半导体层，源电极和漏电极，所述有机半导体层包括N型有机半导体材料的第一有机半导体层和第二有机半导体层，在第一有机半导体层和第二有机半导体层间设有载流子阻挡层和修饰层。本发明通过引入载流子阻挡层，使器件形成两个沟道，减少了高偏压情况下晶体管沟道中载流子相互碰撞，散射和淬灭现象，提高器件的载流子迁移率；通过引入修饰层，使有机半导体层形成更好的表面形貌，提供更好的接触表面，提升了载流子在沟道中的传输能力。由于其多层结构具有保护作用，提高了晶体管在大气环境中的稳定性。
文档编号H01L51/05GK102332534SQ20111027874
公开日2012年1月25日 申请日期2011年9月20日 优先权日2011年9月20日
发明者于军胜, 于欣格, 蒋亚东, 蔡欣洋 申请人:电子科技大学