专利名称：激光加工装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及激光加工装置，通过在被加工物上照射激光，对该被加工物实施熔接或切断等的激光加工。
背景技术：
以往，在这种激光加工装置中，检测射出激光的加工喷嘴与被加工物之间的静电电容，根据该检测的静电电容控制激光的焦点距离。即，对于被加工物根据加工喷嘴的位置的变化所以静电电容变化，这静电电容达到一定时控制加工喷嘴的位置，通常维持激光的焦点距离在最适当位置。
但是，在实际的激光加工，例如1998年熔接学会论文集第16卷第2号第169页-第180页“作为监控基础条件的屏蔽气体等离子体的影响”记载的那样，在为金属的被加工物上照射激光时，电离出金属蒸气在被加工物与加工喷嘴之间发生等离子体，这等离子体给与在被加工物与加工喷嘴之间的静电电容较大的影响。也就是，如
图13所示，加工喷嘴1与被加工物2之间的等离子体3，发生部分的大小为1mm的程度非常小，在激光4的焦点位置附近发生后，由于加工气体流动，在加工喷嘴1与被加工物2之间充满在这些之间起导通作用。从而，例如，即使被加工物2与加工喷嘴1之间的距离维持一定时也，根据发生的等离子体3的量使静电电容C变化。结果，激光4的焦点距离维持在最适当位置变得困难，由激光加工的加工品质恐怕也遭受较大的影响。
为此，例如在特开平4-356391号公报中所示激光加工装置中，如图14所示，显示由于在加工喷嘴1与被加工物2之间施加直流高电压5抑制这些在加工喷嘴1与被加工物2之间发生的等离子体3。
但是，在以往的技术中，即使激光输出高或加工速度高，等离子体发生的抑制效果也不能不低。而且，加工喷嘴1作为为了检测静电电容C的电极的构成没有变化。结果，在图14所示的以往技术，完全防止由等离子体3的发生的静电电容C变化的事态，换句话说对于被加工物2正确控制加工喷嘴1的位置也变得困难，不能谋求加工品质的改进。特别，高速地进行被加工物的切断时，等离子体3的发生量变多。为此，有激光加工的高速化是困难的问题。
因此，本发明的目的是提供一种激光加工装置，即使在等离子体发生时也能够进行加工品质良好的激光加工。
发明内容
为了达成上述的目的，本发明的激光加工装置，通过在被加工物上照射激光，对该被加工物进行激光加工，在激光加工位置的邻近设置吸附用电极，同时在该吸附用电极的外周部设置静电电容检测用电极，在所述吸附用电极与被加工物之间施加电压的状态下，检测所述静电电容检测用电极与被加工物之间的静电电容，根据该检测的静电电容控制激光的焦点位置。
根据本发明，由激光的照射发生的等离子体吸附在吸附用电极及被加工物上，能够有效防止该等离子体充满在静电电容检测电极与被加工物之间的事态。
其次的本发明的激光加工装置，射出激光的加工喷嘴由导体形成，而且这种加工喷嘴的前端用作所述吸附用电极。
根据这发明，加工喷嘴作为吸附用电极的功能。
其次的本发明的激光加工装置，将面向所述吸附用电极的被加工物的部位构成平面状，而且这种构成的平面状部分的外径从其中心确保5mm以上。根据这发明，从激光加工位置到静电电容检测用电极之间能够确保足够的距离。
其次的本发明的激光加工装置，通过在被加工物上照射激光，对该被加工物进行激光加工，检测伴随激光加工发生的等离子体量作为电气量，根据该检测的等离子体量控制激光加工条件。
根据这发明，根据伴随激光加工发生的等离子体的量，能够控制激光加工条件。
其次的本发明的激光加工装置，在射出激光的加工喷嘴的前端设置电流检测用电极，同时设置检测这种电流检测用电极与被加工物之间流过的电流值作为所述等离子体量的检测装置。
根据这发明，检测电流检测用电极与被加工物之间流过的电流值作为等离子体量。
其次的本发明的激光加工装置，设置异常检测信号输出装置，输出超过预先设定的所述电流值的第一阈值时加工状态异常检测信号。
根据这发明，输出电流值超过第一阈值时的加工状态异常检测信号。
其次的本发明的激光加工装置，所述异常检测信号输出装置输出加工状态异常检测信号时，降低加工速度及/或提高激光输出。
根据这发明，从异常检测信号输出装置输出加工状态异常检测信号时降低加工速度及/或提高激光输出。
其次的本发明的激光加工装置，设置接触检测信号输出装置，所述电流值达到所述加工喷嘴与所述被加工物短路时的电流值时输出显示接触所述被加工物的接触检测信号。
根据这发明，输出接触加工喷嘴与被加工物时的接触检测信号。
其次的本发明的激光加工装置，所述异常检测信号输出装置输出加工状态异常检测信号时，降低加工速度及/或提高激光输出。
根据这发明，使电流检测用电极与被加工物之间流过的电流值通常在上限容许值以下，换句话说使等离子体的发生在上限容许值以下，控制加工速度及/或激光输出。
其次的本发明的激光加工装置，设置接触检测信号输出装置，所述电流值达到所述加工喷嘴与所述被加工物短路时的电流值时输出显示接触所述被加工物的接触检测信号。
其次的本发明的激光加工装置，控制加工速度及/或激光输出，使所述电流值在预先设定的上限容许值以下。
其次的本发明的激光加工装置，控制对于所述被加工物的所述加工喷嘴的位置，使所述电流值达到最小。
根据这发明，使电流值达到最小，也就是使等离子体量达到最小对于被加工物控制加工喷嘴的位置。
附图简单说明图1表示本发明实施形态的激光加工装置的构成图。
图2表示激光加工切断薄钢板时根据实验结果示出流过电阻的等离子体电流与加工速度的关系图。
图3表示说明图1所示激光加工装置的动作的要部示意图。
图4表示在图1所示激光加工装置输出激光时的等离子体电流与静电电容的关系图。
图5表示图1所示加工控制部的详细构成的方框图。
图6表示加工头的高度与等离子体电流信号的关系图。
图7及图8，示出各种加工速度与等离子体电流信号与加工状态异常检测信号的关系图。
图9表示加工头的高度与等离子体电流信号的关系图。
图10表示激光输出与等离子体电流信号与加工速度的关系图。
图11表示实际设计的加工头的前端部分的剖视图。
图12表示实际设计的加工头的其他例的示意图。
图13表示说明以往的激光加工装置的动作的要部示意图。
图14表示以往的激光加工装置构成图。
实施发明的最佳形态以下，参照付图，详细的说明关于本发明的激光加工装置的较好的实施形态。
图1是例示本发明的实施形态的激光加工装置的构成图。这里示例的激光加工装置，从激光振荡器10导入到加工头11的激光12从加工喷嘴13射出同时，通过加工气体供给通路14供给激光12与同轴上的氧气或空气等的加工气体，对铁板等的被加工物15进行切断或熔接等的激光加工。在这激光加工装置中，在加工头11设置为了在焦点位置12a集光激光12的透镜16，由该透镜16集光的激光12的焦点位置12a在被加工物15吻合时能够进行良好的激光加工。
上述加工头11，在加工喷嘴13的前端部设置吸附用电极17同时，在该吸附用电极17的外周部设置静电电容检测用电极18。
吸附用电极17，被加工物15与对面部位成平面状构成。这吸附用电极17的直径，设定维持比等离子体19发生的大小充分大的面积。具体的，由于等离子体19的直径为1mm程度，作为吸附用电极17设定直径为10mm程度。作为吸附用电极17，也可在加工喷嘴13的前端区域设置专用导体而构成。但是，加工喷嘴13为绝缘时，加工喷嘴13由导体构成，其前端面作为吸附用电极17的功能是可能的。
这吸附用电极17，与被加工物15之间的电阻20与直流电源21串行连接。在图1，吸附用电极17连接到直流电源21的负极，吸附用电极17也可连接到直流电源21的正极。在这被加工物15与吸附用电极17的连接电路中，设置为了检测电阻20流过的电流(以下，称为等离子体电流Ip)的检测装置22。具体的，电阻20的电压由放大器23放大，这放大的电压作为等离子体电流信号Pc检测。
图2是示出根据实验结果由激光加工切断薄钢板时流过电阻20的等离子体电流Ip与加工速度的关系图。又，激光输出固定为3Kw。根据这结果，首先，在吸附用电极17加的电压为100V以上时，直到高速为止能够良好地检测离子体电流Ip。又，吸附用电极17在负极侧时施加电压时的等离子体电流Ip的值高。当然吸附用电极17在正极侧时施加电压时由于流过同样的等离子体电流Ip，如果适当调整放大器23的灵敏也能够测定。
检测装置22检测的等离子体电流信号Pc，给与加工控制部24。加工控制部24，根据从检测装置22给与的等离子体电流信号Pc，控制加工速度、激光输出、激光12的焦点位置12a、加工气体的压力等的激光加工条件。又，检测装置22的放大器23，也可放大分压电阻20的电压的电压。又电阻20，加工喷嘴13接触被加工物15时也由于直流电源21的电压VB不使烧热使用充分高的电阻值。
另一方面，静电电容检测用电极18，因为倚靠由绝缘体构成的支持部件25的前端部，固定通过该支持部件25吸附用电极17的外周部的位置。这静电电容检测用电极18在与被加工物15之间设置静电电容传感器26。静电电容传感器26，检测静电电容检测用电极18与被加工物15之间的静电电容C，检测结果给予焦点位置控制装置27。焦点位置控制装置27，根据从静电电容传感器26给予的检测结果对被加工物15进行加工头11的位置控制的部分。
在如上述的构成的激光加工装置中，在被加工物15上照射激光12进行切断或熔接等的激光加工时，根据静电电容传感器26的检测结果焦点位置控制装置27驱动马达28，通过螺栓29适当的上下动作加工头11，进行使静电电容检测用电极18与被加工物15之间的静电电容C为一定的控制。
这里，这激光加工装置，激光输出高，高速进行加工时，被加工物1 5与加工喷嘴13之间发生等离子体19。这等离子体19与激光12同时供给加工气体的作用，在被加工物15与加工喷嘴13之间从焦点位置12a向外侧扩展高速流动。但是，在这激光加工装置，在被加工物15与吸附用电极17之间因为由直流电源21施加电压，如图3所示，电离的等离子体19中，一方面金属蒸汽的正离子被吸附用电极17吸引，电子的负离子被被加工物15吸引。而且，由于与等离子体19的发生大小相比要持充分大的面积设定的吸附用电极17的大小，不但上述吸附作用？？广范围有效，而且关于吸附用电极17或被加工物15没有吸者的离子，相互结合自然消灭，不会导致静电电容检测用电极18与被加工物15之间充满等离子体19的事态。结果，由根据静电电容检测用电极18与被加工物15之间的静电电容C进行加工头11的位置控制的激光加工装置，即使等离子体19的发生这些间的静电电容C也不变化，对被加工物15只根据加工头11的位置静电电容C才发生变化。从而，激光12的焦点位置12a常常能够维持在最适当位置，即使高速实施激光加工时，其加工品质改善。
图4，示出在上述激光加工装置中输出激光12时的等离子体电流Ip与静电电容传感器26的关系图。在图4(a)从t1到t2激光12为ON，在图4(b)所示，激光12为ON状态流过的等离子体电流Ip。
激光12为ON后，在图13所示以往的激光加工装置，如图4(d)的比较例所示，发生的等离子体19由于在加工喷嘴13与被加工物15之间起导通作用，根据等离子体电流Ip静电电容C产生变化。
对此，根据这实施形态的激光加工装置，等离子体19被吸附用电极17及被加工物15吸附，为了静电电容检测用电极18与被加工物15之间不到达等离子体19，如图4(c)所示，根据等离子体电流Ip静电电容C不变化。也就是，设置吸引等离子体19的充分大的吸附用电极17，又通过在这吸附用电极17与被加工物15之间施加电压，能够有效地防止吸附等离子体19的静电电容检测用电极18与被加工物15之间充满等离子体19的事态，正确测定这些间的静电电容C成为可能。重复地，等离子体19的发生部分1mm程度与非常小，对此确保吸附用电极17的直径从中心在5mm以上。从而，在吸附用电极17与被加工物15之间准确吸附等离子体19，能够防止对静电电容检测用电极18与被加工物15之间的影响。
另一方面，在上述激光加工装置中，在被加工物15上照射激光12进行切断或熔接等的激光加工时，根据检测装置22检测的等离子体电流信号Pc的加工控制部24，控制加工速度、激光输出、激光12的焦点位置12a、加工气体的压力等的激光加工条件。这里，在图1所示激光加工装置，伴随激光加工发生的等离子体19在吸附用电极17及被加工物15吸附时在电阻20与直流电源21的串行体流过等离子体电流Ip。在电阻20流过等离子体电流Ip就在该电阻20产生电压，这电压在放大器23放大作为等离子体电流信号Pc检测。等离子体电流信号Pc，如图2所示，是根据等离子体量变化的信号。这电阻20与直流电源21的串行体连接到吸附用电极17与被加工物15之间，如上所述，能够有效地吸附等离子体19同时，能够检测等离子体电流Ip作为等离子体电流信号Pc。
图5，例示上述的加工控制部24的详细构成的方框图。从图明白，在加工控制部24，比较从检测装置22给与的等离子体电流信号Pc与比较电压30a、31a，该等离子体电流信号Pc在比较电压以上时设置输出分别检测信号的两个比较器30、31。
加工控制部24设置的第一比较器30，接触吸附用电极17与被加工物15时向激光控制器32输出接触检测信号。在接触检测信号给与的激光控制器32，在接触吸附用电极17与被加工物15接触时进行必要的控制。接触吸附用电极17与被加工物15接触时流过的电流，为了与等离子体电流Ip比较远为高，作为比较电压30a能够设定充分高的电压。从而，能够明确进行吸附用电极17与被加工物15的接触检测。这接触检测，修正从加工头11的被加工物15的高度时，由加工中的异常状态到加工喷嘴13的被加工物15的接触检测等，能够作为重要的检测功能的一个使用。例如，在接触检测信号输出时点加工头11与被加工物15的相对高度设定为〔0〕，能够更正确进行该加工头11的位置控制。
图6，示出等离子体电流信号Pc与加工头11的高度的关系图。从图明白，加工头11的高度一下降，在吸附用电极17与被加工物15接触时点的等离子体电流信号Pc，与非接触时比较相当高。从而，这些作为接触检测信号输出，激光控制器32能够检测吸附用电极17与被加工物15的接触状态。
加工控制部24设置的第二比较器31，加工状态异常发生时向激光控制器32输出加工状态异常检测信号。
例如，在图7，加工速度从低速的fl变化到高速f2，等离子体19的发生量增加，等离子体电流信号Pc从Pc 1增加到Pc2。这时，如果加工状态异常，由于等离子体19的发生量更多，象Pc3等离子体电流信号Pc比通常时也增加。
现在，低速加工速度fl时的比较电压及高速加工速度f2时的比较电压分别为预先设定的Pc10、Pc20，低速加工速度fl时输出的等离子体电流信号Pc1因为在比较电压Pc10以下，不必输出加工状态异常检测信号。在高速加工速度f2时如果等离子体电流信号为Pc2，不必输出加工状态异常检测信号。但是，加工状态异常发生等离子体电流信号为Pc3时，比较电压Pc20超出范围向激光控制器32输出加工状态异常检测信号。
从第二比较器31来加工状态异常检测信号给与激光控制器32，为了恢复正常地加工状态，进行各种激光加工条件的变更，例如，降低加工速度、提高激光输出，变更焦点位置12a、变更加工气压等。但是，即使变更这些激光加工条件也继续异常状态时，停止或者中止激光加工是可能的。这些激光加工条件的变更或激光加工的停止/中止的判断通过预先存储在激光控制器32的程序，自动地实施。
图8，示出这样的激光控制器32的动作例。也就是，从低速加工速度fl变更到高速加工速度f2后，加工状态异常检测信号输出时，由上述激光控制器32显示加工速度降低到f3状态。伴随这些的等离子体电流信号Pc在比较电压Pc20以下，恢复正常地加工状态。在图8，Pc3是加工速度维持f2时加工状态为异常，显示等离子体电流信号Pc增加的状态。在这状态，加工状态异常检测信号对激光控制器32持续输出。
图9及图10，示出不根据从上述两个比较器30、31的检测信号，根据从检测装置22输出的等离子体电流信号Pc激光控制器32实施激光加工条件的控制例。
在图9，适当变化加工头11的高度，等离子体电流信号Pc达到最小值时的加工头11的高度作为最佳焦点位置进行激光加工。这最佳焦点位置，符合被加工物15的高度或弯曲度，由加工透镜16的状态微妙地变化。在从前，人类通过反复试行错误设定上述的最佳焦点位置。但是，因为在激光加工中设定最佳焦点位置是困难的，在停止状态单发的实施穿孔，现状是适用目视这些的调整方法。
对此上述的激光加工装置，通常是使等离子体电流信号Pc达到最小值如果控制加工头11的高度，由于使其成为最佳焦点位置，在激光加工中也可能正确设定，能够使加工品质显著的提高。
另一方面，在图10，加工速度从fl增加到f2时，对于比较电压Pc30由于等离子体电流信号Pc增加，激光输出从Lp1徐徐上升到Lp2，比较电压Pc40也平衡那些徐徐增加。激光输出达到最大，在Lp3实施激光加工时，为了防止等离子体电流信号Pc进一步增加，加工速度下降到f3，自动控制维持安定的加工状态。
在这样上述的激光加工装置，根据检测装置22检测的等离子体电流信号Pc在加工控制部24判断加工状态，适当控制激光加工条件，能够进行适当的激光加工。
图11，示出实际设计的加工头11的前端部分的剖视图。在这加工头11，绝缘体构成的支持部件25的前端设置为了检测静电电容C的静电电容的检测用电极18。铜等导体构成的加工喷嘴13与支持部件25一道固定在加工头11。由于加工喷嘴13由导体构成，其前端部作为吸附用电极17的功能。加工喷嘴13的前端比静电电容检测用电极18稍微突出，为了防止接触被加工物15时静电电容检测用电极18的损伤。在如上述构成的加工头11中，如果在加工喷嘴13与被加工物15之间施加所定的电压，能够具体实现图1所示激光加工装置。也就是，因为在等离子体19发生时也能够正确检测静电电容检测用电极18与被加工物15之间的静电电容C，根据检测的静电电容C控制激光12的焦点位置12a，能够进行加工品质良好的激光加工。又，如果根据吸附用电极17与被加工物15之间流过的等离子体电流信号Ip控制激光加工条件，能够进行加工品质良好的激光加工。
这样，在本实施形态的激光加工装置，等离子体19发生时也不受其影响正确检测静电电容C，根据这些能够进行正确的焦点距离12a的控制。相反，发生的等离子体19用于积极的加工条件的控制，在人类不能判断行动的短时间中检测加工状态的异常能够自动的控制。
由此，在从前由于等离子体19的发生怎么也不能实现的在高激光输出下的高速激光加工，更具体能够实现所谓激光输出3Kw、加工速度30m/分以上的激光加工，而且加工品质能够同时提高。
图12，示出实际设计的加工头11的其他例的示意图。在这加工头11中，用绝缘体构成的支持部件25设置环状的静电电容检测用电极18。由于加工喷嘴13由导体构成，其前端部作为吸附用电极17的功能。在如上述构成的加工头11，如果在加工喷嘴13与被加工物15之间施加所定的电压，也能够具体实现图1所示激光加工装置。而且，由于加工喷嘴13的外周部如果设置环状的静电电容检测用电极18更好，不光构造简单，对即存的加工头11的适用也非常容易。
如以上说明，采用本发明，利用激光的照射发生的等离子体吸附在吸附用电极及被加工物，能够有效防止相应等离子体充满在静电电容检测电极与被加工物之间的事态。为此，根据这些静电电容检测用电极与被加工物之间的静电电容能够正确控制激光的焦点位置，即使等离子体发生时，能够进行加工品质良好的激光加工。
其次采用本发明，由于加工喷嘴作为吸附用电极的功能能够容易的构成吸附用电极。
其次采用本发明，由于从激光加工位置到静电电容检测用电极之间能够确保足够的距离，能够提高等离子体的吸者效率同时，不能吸者的等离子体能够自然消灭，上述的作用效果更显著。
其次采用本发明，由于根据伴随激光加工发生的等离子体的量能够控制激光加工条件，能够进行加工品质良好的激光加工。
其次采用本发明，由于检测电流检测用电极与被加工物之间流过的电流值作为等离子体量，容易的，且能够正确检测等离子体量。
其次采用本发明，由于输出电流值超过第一阈值时的加工状态异常检测信号，能够检测加工状态异常。
其次采用本发明，由于从异常检测信号输出装置输出加工状态异常检测信号时降低加工速度及/或提高激光输出，能够自动的把加工状态异常修复正常状态。
其次采用本发明，由于输出加工喷嘴与被加工物接触时的接触检测信号，能够检测这些加工喷嘴与被加工物的接触。
其次采用本发明，使电流检测用电极与被加工物之间流过的电流值通常在上限容许值以下，换句话说使等离子体的发生在上限容许值以下，由于控制加工速度及/或激光输出，能够进行加工品质良好的激光加工。
其次采用本发明，使电流值达到最小，也就是使等离子体量达到最小对于被加工物由于控制加工喷嘴的位置，能够进行加工品质良好的激光加工。
工业上的实用性如以上的那样，采用本发明的激光加工装置，适合进行加工品质良好的激光加工的用途。
权利要求书(按照条约第19条的修改)关于条约第19条修改的声明在权利要求4中限定成检测伴随激光加工发生的等离子体量作为电气量，由此控制激光加工条件。
借助于进行这种限定的校正，明确与引用例的技术差异。
1.一种激光加工装置，通过在被加工物上照射激光，对该被加工物进行激光加工，其特征在于，在激光加工位置的邻近设置吸附用电极，同时在该吸附用电极的外周部设置静电电容检测用电极，在所述吸附用电极与被加工物之间施加电压的状态下，检测所述静电电容检测用电极与被加工物之间的静电电容，根据该检测的静电电容控制激光的焦点位置。
2.如权利要求1所述的激光加工装置，其特征在于，射出激光的加工喷嘴由导体形成，而且这种加工喷嘴的前端用作所述吸附用电极。
3.如权利要求1所述的激光加工装置，其特征在于，将面向所述吸附用电极的被加工物的部位构成平面状，而且这种构成的平面状部分的外径从其中心确保5mm以上。
4.一种激光加工装置，通过在被加工物上照射激光，对该被加工物进行激光加工，其特征在于，检测伴随激光加工发生的等离子体量作为电气量，根据该检测的等离子体量控制激光加工条件。
5.如权利要求4所述的激光加工装置，其特征在于，在射出激光的加工喷嘴的前端设置电流检测用电极，同时设置检测这种电流检测用电极与被加工物之间流过的电流值作为所述等离子体量的检测装置。
6.如权利要求5所述的激光加工装置，其特征在于，设置异常检测信号输出装置，输出超过预先设定的所述电流值的第一阈值时加工状态异常检测信号。
7.如权利要求6所述的激光加工装置，其特征在于，所述异常检测信号输出装置输出加工状态异常检测信号时，降低加工速度及/或提高激光输出。
8.如权利要求5所述的激光加工装置，其特征在于，设置接触检测信号输出装置，所述电流值达到所述加工喷嘴与所述被加工物短路时的电流值时输出显示接触所述被加工物的接触检测信号。
9.如权利要求5所述的激光加工装置，其特征在于，控制加工速度及/或激光输出，使所述电流值在预先设定的上限容许值以下。
10.如权利要求5所述的激光加工装置，其特征在于，控制对于所述被加工物的所述加工喷嘴的位置，使所述电流值达到最小。
权利要求
1.一种激光加工装置，通过在被加工物上照射激光，对该被加工物进行激光加工，其特征在于，在激光加工位置的邻近设置吸附用电极，同时在该吸附用电极的外周部设置静电电容检测用电极，在所述吸附用电极与被加工物之间施加电压的状态下，检测所述静电电容检测用电极与被加工物之间的静电电容，根据该检测的静电电容控制激光的焦点位置。
2.如权利要求1所述的激光加工装置，其特征在于，射出激光的加工喷嘴由导体形成，而且这种加工喷嘴的前端用作所述吸附用电极。
3.如权利要求1所述的激光加工装置，其特征在于，将面向所述吸附用电极的被加工物的部位构成平面状，而且这种构成的平面状部分的外径从其中心确保5mm以上。
4.一种激光加工装置，通过在被加工物上照射激光，对该被加工物进行激光加工，其特征在于，检测伴随激光加工发生的等离子体量，根据该检测的等离子体量控制激光加工条件。
5.如权利要求4所述的激光加工装置，其特征在于，在射出激光的加工喷嘴的前端设置电流检测用电极，同时设置检测这种电流检测用电极与被加工物之间流过的电流值作为所述等离子体量的检测装置。
全文摘要
在激光加工位置的邻近设置吸附用电极(17)，同时在该吸附用电极(17)的外周部设置静电电容检测用电极(18)，在前记吸附用电极(17)与被加工物(15)之间施加电压的状态下，检测前记静电电容检测用电极(18)与被加工物(15)之间的静电电容(C)，根据该检测的静电电容(C)控制激光(12)的焦点位置(12a)。
文档编号G01B7/14GK1440320SQ01812408
公开日2003年9月3日 申请日期2001年5月23日 优先权日2001年5月23日
发明者金原好秀, 桜井一男, 猪飼良博, 森高明 申请人:三菱电机株式会社