发光二极管外延片电致发光无损检测方法

文档序号:6033213阅读:577来源:国知局
专利名称:发光二极管外延片电致发光无损检测方法
技术领域
本发明涉及发光二极管(LED)外延片的检测方法,属检测仪器领域。
当前LED的主要工作是降低生产成本,提高效率和扩展有用颜色范围。从生产而言,由于LED的市场竞争十分激烈,其生产过程必须十分重视成品率和质量,所以在生产过程中LED半导体外延片的在线检测和质量控制十分重要。目前我国各企业缺乏必要的检测设备,尤其是生产过程中的高速、无损在线检测。
目前LED外延片的发光检测有光致荧光和电致发光两种方法。光致荧光检测方法是用一个短波长的激光照射LED外延片检测其发光效果。但是这是一种间接的检测方法,不能直接反映LED外延片的电致发光效果,同时由于短波长激光器价格昂贵,蓝绿LED外延片检测成本很高。电致发光检测是在LED外延片的p、n结上施加正向偏压,使其发光来检测发光效果,常用的方法是在外延片表面打孔,将一个电极接在p型层上。所以这种检测方法是破坏性的而且也不是连续的。
因此本发明的内容可表达如下在LED外延片的表面安置正、负两个电极。将一高压恒流源接在正、负两极,使LED外延片中p型层、n型层组成的二极管击穿导通从而使整个电路接通引发LED发光层发光,达到检测的目的。这种测量方法直接、无损、便捷,相对于光致荧光而言还可以得到正向导通电压、反向漏电流等对于LED外延片而言非常重要的电学参数。


图1为LED外延片结构及检测状态示意图。
权利要求
1.一种发光二极管外延片的检测方法,其特征是在发光二极管外延片的表面安置正负两个电极,将一个高压恒流源接在正负两极,使发光二极管外延片中的p型层、n型层组成的二极管被击穿导通,使整个电路导通,引发发光二极管外延片的发光层发光,从而达到检测的目的。
全文摘要
一种发光二极管外延片的检测方法,属检测仪器领域。本发明是在发光二极管外延片的表面安置正负两个电极,将一个高压恒流源接在正负两极,使发光二极管外延片中的p型层、n型层组成的反向二极管被击穿。使整个电路导通,引发发光二极管外延片的发光层发光,从而达到检测的目的。这种测量方法直接、无损、便捷,相对于光致荧光而言还可以得到正向导通电压、反向漏电流等对于LED外延片而言非常重要的电学参数。
文档编号G01R31/26GK1395305SQ0212364
公开日2003年2月5日 申请日期2002年7月5日 优先权日2002年7月5日
发明者韩立, 董占民, 苏哲, 陈皓明 申请人:清华大学
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