专利名称：一种新型的InSb磁敏芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种新型的InSb磁敏芯片，尤其涉及一种超远距离磁接近转速传感器， 用于检测距离远超于同类产品，且检测对象可以是检测永磁体也可以是铁磁材料，包括弱磁。
背景技术：
目前国内外已知的InSb芯片在结构上同，其衬底是陶瓷材料，由于芯片在使用过程中磁 场与InSb感应面的距离过远，导致灵敏度太小，当被测定目标物体接近磁敏感区时，所输出 电压偏小，给后期应用带来困难。
实用新型内容
1、 所要解决的技术问题提高灵敏度及输出电压。 本实用新型提供了一种新型的InSb磁敏芯片。
2、 技术方案
本实用新型包括InSb磁敏单晶1、粘接物质2、后置磁铁4、超导磁材料5; InSb磁敏 单晶1通过粘接物质2反贴在超导磁材料5上，后置磁场4与超导磁材料5合为整体。
3、 有益效果
采用本实用新型的结构可使芯片在使用过程中信号与InSb感应面的距离过远时，灵敏度 依然很高。由于超导磁材料直接和芯片接触，縮小了后置磁场对InSb的感应距离，使得磁敏 芯片对外感应信号灵敏度增强的同时，在使用过程中把感应信号转换成电信号时，所输出的 电压就越高，用该芯片生产出的各类传感器给后期的安装调试带来方便。
图1为现有的InSb磁敏芯片结构示意图； 图2为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
在图1中，l为InSb磁敏单晶；2为粘接物质；3为陶瓷基底；4为后置磁铁。InSb磁 敏单晶1通过粘接物质2反贴在陶瓷基底3上，由后置磁铁4的磁场对InSb磁敏单晶1的作用距离拉远，后置磁场4对InSb单晶1的作用减小，所以直接影响InSb单晶1的灵敏度。
在图2中，l为InSb磁敏单晶；2为粘接物质；5为超导磁材料；4为后置磁铁。通过改进后，
InSb磁敏单晶l通过粘接物质2反贴在超导磁材料5上，把陶瓷材料改为超导磁材料5，这 样，后置磁场4与超导磁材料5合为整体，只隔一层粘接物质2，这样，后置磁场4与超导 磁材料5的磁场一并对InSb磁敏单晶起作用，这样InSb磁敏单晶的灵敏度增强。
虽然本实用新型已以较佳实施例公开如上，但它们并不是用来限定本实用新型，任何熟 习此技艺者，在不脱离本实用新型之精神和范围内，自当可作各种变化或润饰，因此本实用 新型的保护范围应当以本申请的权利要求保护范围所界定的为准。
权利要求1、一种新型的InSb磁敏芯片，包括InSb磁敏单晶(1)、粘接物质(2)、后置磁铁(4)，其特征在于还包括超导磁材料(5)；InSb磁敏单晶(1)通过粘接物质(2)反贴在超导磁材料(5)上，后置磁场(4)与超导磁材料(5)合为整体。
专利摘要本实用新型涉及一种新型的InSb磁敏芯片包括InSb磁敏单晶(1)、粘接物质(2)、后置磁铁(4)，其特征在于还包括超导磁材料(5)；InSb磁敏单晶(1)通过粘接物质(2)反贴在超导磁材料(5)上，后置磁场(4)与超导磁材料(5)合为整体。采用本实用新型的结构可使芯片在使用过程中磁场与InSb感应面的距离过远时，灵敏度依然很高。由于超导磁材料直接和芯片接触，缩小了后置磁场对InSb的感应距离，使得磁敏芯片对外应信号灵敏度增强同时，在使用过程中把感应信号转换成电信号时，所输出的电压就越高，用该芯片生产出的各类传感器给后期的安装调试带来方便。
文档编号G01P3/42GK201340428SQ20092003853
公开日2009年11月4日 申请日期2009年1月13日 优先权日2009年1月13日
发明者牛德文 申请人:南京新捷中旭微电子有限公司