专利名称：环境敏感器件的制作方法
环境敏感器件 关于联邦资助的研究或开发的声明
本发明是在由合同号为HR0011-09-3-0002的、来自国防部高级研究计划局(DARPA)的补助金部分地支持的研究的过程中做出的。美国政府对本发明具有一定权利。
背景技术：
本公开内容总体上涉及环境敏感器件。感测器件常常结合了纳米结构，其被利用以用于在分析物处于所述纳米结构上或其附近时检测所述纳米结构的电和/或机械性质的改变，或者用于在分析物处于所述纳米结构上或其附近并且暴露于光子时更改由所述分析物发出的光学信号。感测器件可以利用不同的感测技术，例如包括把分析物的吸附和/或解吸换能成可读信号、光谱技术、或者其他合适的技术。拉曼光谱法是一种用于多种化学或生物感测应用的有用技术。拉曼光谱法被用来研究在光子与分子相互作用时分子能态之间的跃迁，其导致散射光子的能量被偏移。分子的拉曼散射可以被视为两个过程。处于特定能态的分子首先被入射光子激发到另一(虚拟或真实)能态，其通常处于光学频域内。受激发分子随后在环境的影响下作为偶极子源进行辐射，其中所述受激发分子与激发光子相比处于可能相对较低(即斯托克斯散射)或可能相对较高(即反斯托克斯散射)的频率。不同分子或物质的拉曼光谱具有可以被用来识别物种的特征峰。粗糙金属表面、各种类型的纳米天线、以及波导结构已经被用来增强拉曼散射过程(即上面描述的激发和/或辐射过程)。这一领域通常被称作表面增强拉曼光谱法(SERS)0
通过参照下面的详细描述和附图，所要求保护的主题的实例的特征和优点将变得显而易见，其中相同的附图标记对应于类似的(尽管可能不是完全相同的)部件。为了简短起见，具有先前描述的功能的附图标记或特征可能结合或者可能没有结合所述附图标记或特征出现于其中的其他附图来描述。图I是用于形成环境敏感器件的一个实例的方法的实例的流程图2A到21是一起示出用于形成环境敏感器件的一个实例的方法的实例的示意 图3A和3B是不同锥形结构的扫描电子显微照片；
图4A、4B和4C是环境敏感器件的各种实例的示意性透视图；以及图5A、5B和5C—起示出包括环境敏感器件的一个实例的系统的实例的示意图，并且还示出所述器件如何对不同外部刺激做出不同响应。
具体实施例方式在这里公开了环境敏感器件的多个实例。这样的器件包括一个或多个三维结构， 每个在其上具有两个不同的涂层。这样的涂层被选择成对不同外部刺激做出不同响应。结果，在SERS应用期间，可以取决于其所暴露于的外部刺激来控制所述三维结构的位置。控制各个结构的位置的能力还有利地有助于在SERS应用期间相对于所述结构的表面控制入射激光的角度的能力。图I示出用于形成环境敏感器件的一个实施例的方法的一个实施例。在这里将参照图2A到21更详细地讨论图I中所示的方法的各步骤。特别地，图2A到21示出用于形成包括锥形结构的器件的方法的一个实施例。更一般来说，所述三维结构可以是具有圆形或多边形周界底面的任何三维几何形状，或者从圆形或多边形周界底面锥化到更尖锐的尖部(例如尖端或顶点)的任何三维几何形状。所述形状取决于所使用的图案(pattern)以及在形成器件期间的蚀刻条件。三维形状的非限制性实例包括锥体、圆柱体、或者具有在一个尖部相交的至少三个面的多面体(例如棱锥体)等等。如在这里所使用的术语“锥形”或“锥体形状”描述具有从圆形周界底面锥化到尖锐的尖部(例如尖端或顶点)的三维几何形状的突起。在图3A、3B和4A中示出所述锥形结构的实例。此外，如在这里所使用的术语“圆柱 形”或“圆柱体形状”描述从底面到尖部具有基本上一致的周界的突起(例如参见图4B);以及术语“多面体形”或“多面体形状”描述具有从多边形周界底面锥化到尖锐的尖部的三个或更多个面的突起(例如参见图4C)。现在将参照图I和2A到21讨论用于形成包括锥形三维结构的环境敏感器件的方法的实施例。虽然在图2A到21中示出的方法导致形成三个结构，但是应当理解，可以形成单个结构，或者可以形成包括多于三个结构的阵列。可以形成的结构的数目的上限至少部分地取决于所使用的基板(substrate)的尺寸、所使用的图案、以及所使用的制造过程。一般来说，可以对于特定最终用途按照期望按比例扩大在这里所公开的实施例。如图2A中所示,示出底座(support) 12。在一个实施例中，底座12包括基板14。合适基板14材料的非限制性实例包括单晶硅、聚合材料(丙烯酸树脂、聚碳酸酯、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚酰亚胺、聚(乙炔)、聚(吡咯)、聚(噻吩)、聚苯胺、聚(苯硫醚)、以及聚(对苯乙炔)(PPV)等等)、金属(铝、铜、不锈钢、合金等等)、石英、陶瓷、蓝宝石、氮化硅、玻璃、绝缘体上硅(SOI)、或者类金刚石碳膜。在另一实施例中(如图2A中所示)，底座12可以包括具有建立在其上的绝缘层16的基板14。对于绝缘层16，可以使用任何合适的绝缘材料。在一个非限制性示例实施例中，绝缘层16是氧化物(例如二氧化硅)。对于绝缘层16的其他合适材料的非限制性实例包括氮化物(例如氮化硅)、氮氧化物等等或其组合。可以利用任何合适的生长或沉积技术来建立绝缘层16。可以通过硅(例如基板14)的部分氧化形成热氧化物绝缘体层，这是在硅上形成二氧化硅。可以通过沉积技术建立各种氧化物和氮化物材料，所述沉积技术包括但不限于低压化学汽相沉积(LPCVD)、等离子增强的化学汽相沉积(PECVD)、大气压化学汽相沉积(APCVD)、或者任何其他合适的化学或物理汽相沉积技术。在一个实施例中，所述绝缘层的厚度是lOOnm。在一个实施例中，所述厚度的范围是从大约IOnm到大约3iim。应当理解，虽然在图2A到21中示出的方法包括绝缘层16，但是也可以在没有这样的层16的情况下执行所述过程。所述过程基本上将是相同的，除了将消除涉及绝缘层16、16’的模制(pattern)和/或去除的任何步骤。作为一个实例，参照图2F示出并讨论的绝缘层16的模制将不被执行。图2B示出建立在绝缘层16上的抗蚀剂18。当不利用绝缘层16时，直接在基板14上建立抗蚀剂18。合适抗蚀剂18的一个非限制性实例是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。然而应当理解，对于抗蚀剂18，可以利用能够充当电子束(E-beam)或X射线光刻抗蚀剂的任何材料。此外，可以通过任何合适的方法沉积抗蚀剂18,比如通过旋涂。在一个实施例中，抗蚀剂18的厚度的范围是从大约IOnm到大约 3 u m。如在图I的附图标记100处所述并且如图2C中所示，与电子束(e-beam)或X射线光刻相结合地使用具有在其中集成地形成的一个或多个几何图案G的掩模20，以把抗蚀剂18模制成使得任何剩余的抗蚀剂18’限定所述(多个)几何图案G。在一个实施例中，掩模20被配置成使得几何图案G在模制完成之后被转移到抗蚀剂18的被去除的部分(即剩余的部分不呈现几何图案G本身，而是限定所述图案G)。图2C中所示的掩模20 (其被旋转以便于理解图案G)可以被用来在抗蚀剂18中形成三个圆形形状。应当理解，在模制之后，绝缘层16 (或者基板14，如果不存在绝缘层16的话)的一些部分被暴露，并且这样的暴露的部分23类似于几何图案G。几何图案G可以是任何形状(例如圆形、椭圆形、正方形、三角形、矩形、五边形等等)。每个几何图案G的外边缘21基本上决定对应的最终形成的三维结构的周界形状。“基本上决定”是指，几何图案G的外边缘21的形状与所述三维结构的底面的形状匹配，其中考虑到由于蚀刻或其他处理条件而导致的较小变化。每个几何图案G的尺寸可以至少部分地取决于所期望的最终三维结构的形状而改变。在一个实施例中，几何图案G是具有等于或小于200nm的直径D的圆形。在另一实施例中，几何图案G是具有处于从大约IOOnm到大约200nm的范围的直径D的圆形。在又一实施例中，几何图案G是具有处于从大约IOnm到大约IOOOnm的范围的直径D的圆形。应当理解，处于所陈述的范围内的任何数字或范围也被设想为适用于在这里所公开的实施例。此外，对于直径D所提供的数字和范围也可以适用于其他几何结构的外边缘21的一个或多个尺寸(例如正方形几何图案的外边缘21的每边)。现在参照图2D和图I的附图标记102，在绝缘层16的所模制抗蚀剂18’上和所暴露部分23上建立掩模层22。当不利用绝缘层16时，应当理解，掩模层22被建立在基板14的所模制抗蚀剂18’上和所暴露部分上。掩模层22的一个非限制性实例是铬或任何其他金属。掩模层22的厚度通常处于从大约IOnm到大约300nm的范围，并且可以通过任何合适的技术建立掩模层22,比如派射、e-beam光刻、或者热蒸发。随后可以对所建立的掩模层22进行模制以去除掩模层22的建立在所模制抗蚀剂18’上的那些部分以及底层的所模制抗蚀剂18’(参见图I的附图标记104和图2E)。该模制步骤将几何图案G (或者类似于几何图案G的略小形状)转移到掩模层22。如图2E中所示，所模制掩模层22’本身呈现图案G的几何形状。该步骤形成所模制掩模层22’，并且还暴露出绝缘层16 (或者当不存在绝缘层16时是基板14)的其他部分25。仍然参照图I的附图标记104，但是现在还参照图2F，现在模制绝缘层16的其他所暴露部分25 (即作为模制掩模层22的结果而暴露出的那些部分)。该模制步骤将几何图案G (或者类似于几何图案G的略小形状)转移到绝缘层16。如图2F中所示，所模制掩模层22’和所模制绝缘层16’都具有转移到其上的几何图案G。该步骤形成所模制绝缘层16’，并且还暴露出基板14的部分27。如前所述，如果不存在绝缘层16，则不执行图2F中所示的模制步骤。
当使用绝缘层16时，可以通过剥离过程来模制掩模层22和绝缘层16。虽然层22和16的模制被显示为顺序的过程，但是应当理解，也可以同时模制这些层16、22。图2G示出锥形三维结构24的形成。如在附图标记106处所示，基板14的位于所暴露部分27下方的部分被干蚀刻(例如通过HBr蚀刻或者任何其他活性离子蚀刻过程)。在蚀刻期间，所模制掩模层22’以及当存在时的绝缘层16’被消耗，并且在基板14中形成锥体形状结构24。当几何图案G是圆形并且具有所期望的直径D时，并且当蚀刻时间被控制成对应于几何图案G的尺寸时，可以实现所期望的锥形结构24。这样，几何图案G的起始尺寸就至少部分地决定被用来在基板14中形成所期望的三维结构(在该例中是锥形底面结
构24)的蚀刻时间。作为一个非限制性实例，当使用IOOnm直径圆形图案时，进行大约2. 5分钟的蚀刻以实现锥形结构24。在图3A中示出利用IOOnm圆形图案和2. 5分钟蚀刻时间形成的锥形结构24。作为另一非限制性实例，当使用200nm直径圆形图案时，进行大约5分钟的蚀刻以实现锥形结构24。在图3B中示出利用200nm圆形图案和5分钟蚀刻时间形成的锥形结构24。应当理解，可以进一步调节原始几何图案G和/或蚀刻时间以改动锥形结构24的特征尺寸(例如直径、高度等等)。特别地，随着蚀刻继续，尖部26可以变得越来越小。在一个实施例中，锥形结构24处于纳米尺度(即最大直径(即在结构24的底面处)等于或小于IOOOnm)。如图2G中所示，干蚀刻过程去除基板的围绕锥形结构24的部分，并且基板14的剩余部分充当用于结构24的底座。现在参照图2H和21并且参照图I的附图标记108和110，在每个结构24的不同部分P1J2上建立第一和第二涂层28、30。一旦建立了涂层28、30，就形成感测器件10的一个实施例。在图21和4A中分别示出器件10的该实施例的剖面图和透视图。用于涂层28、30的材料被选择成使得，每个涂层28、30由在暴露于预定外部刺激(例如温度或具有预定偏振的入射光)时做出不同响应的不同材料形成。第一和第二涂层28、30可以由具有不同热膨胀系数的金属或不同硫属化物材料形成。一般来说，对于相应涂层28、30选择的金属是具有不同热膨胀系数的拉曼活性材料。合适的拉曼活性材料包括其等离子体频率落在可见域内并且损耗(即导致电能的不合期望的衰减或耗散)不太高的那些金属。等离子体频率取决于金属中自由电子的密度，并且对应于电子海(如果自由电子从平衡空间分布进行位移的话)的振荡的频率。这样的拉曼活性材料的非限制性实例包括诸如金、银、钼和钯之类的贵金属，或者诸如铜和锌之类的其他金属。在一个非限制性实例中，对于其中一个涂层28选择铜(具有大约16. 5(10- -1)的热膨胀系数)，并且对于另一涂层30选择锌(具有大约30. 2 (KT6IT1)的热膨胀系数)。在另一非限制性实例中，对于其中一个涂层28选择钼(具有大约8. 8 (10- -1)的热膨胀系数)，并且对于另一涂层30选择银(具有大约18. 9(10- -1)的热膨胀系数)。在这里所提供的非限制性实例中，结构24的高度大于宽度或厚度，并且因此可以利用线性膨胀系数。在其他实例中，可能更期望应对面积膨胀系数。由具有不同热膨胀系数的金属形成的涂层28、30使得结构24对于温度改变敏感。这样，器件10所暴露于的外部温度将决定结构24如何受到影响。不同的膨胀迫使所述结构在被加热的情况下朝一个方向弯曲，并且在冷却到其正常温度以下的情况下朝相反方向弯曲。具有更高热膨胀系数的涂层28、30在结构24被加热时处于弯曲曲线的外侧，以及在被冷却时处于内侧。参照图5A到5C讨论该特定实例。—般来说，对于相应涂层28、30选择的硫属化物材料是对于具有特定偏振的光敏感的材料。合适的硫属化物材料的非限制性实例包括As2S3、Se、B-As5tlSe5tl、或者AS4(lSxSe6(l_x(0〈x〈60)。由不同硫属化物材料形成的涂层28、30使得结构24对于光偏振改变敏感。这样，器件10所暴露于的外部光的偏振将决定结构24如何受到影响(例如结构24将在哪个方向上弯曲)。当被暴露于一种偏振的光时，涂层28将使得结构24朝一个方向弯曲，并且当被暴露于另一种偏振的光时，涂层30将使得结构24朝另一方向弯曲。这样，对于涂层28、30所选择的材料将至少部分地取决于所得到的器件10中对于涂层28、30所期望的偏振敏感性。在其上分别沉积涂层28、30的部分P1I2通常是结构24的相对的侧或区域。如图21中所示，在结构24的一个区域上建立涂层28，并且在结构24的相对区域上建立另一涂 层30。当结构24包括多个面时(例如参见图4C)，涂层28和30可以被沉积来促进结构24在其被暴露于特定外部刺激时所期望的物理移动(例如弯曲)。在一个实施例中，可以通过电子束(e-beam)蒸发、角度沉积、聚焦离子或电子束诱发的气体注射沉积、或者激光诱发的沉积在相应的所期望部分Pp P2上选择性地沉积涂层28、30。然而应当理解，可以使用其他的选择性沉积过程。涂层28、30分别具有其范围从大约IOnm到大约200nm的厚度。应当理解，涂层28、30可以在涂层28、30的界面处轻微地重叠和/或混合。一般来说，选择性地建立其中一个涂层28、30，并且随后选择性地建立另一涂层30、28。现在参照图4A到4C，分别描绘出环境感测器件10、10’、10’’的不同实施例。每个器件10、10’、10’’包括在其上具有不同涂层28、30的结构24、24’、24’’的阵列。应当理解，可以使用涂层28、30的任何组合以便实现所期望的环境改变诱发的响应。如前所述，图4A中的器件10包括具有在相对区域上建立的涂层20和30的锥形结构24。现在具体参照图4B，示出包括圆柱形/柱形结构24’的器件10’的一个实例。在该实施例中，在图2C中示出的具有圆形几何图案G的掩模20可以被用来形成三维圆柱形结构24’。应当理解，可以通过类似于在这里参照图2A到21所描述的方法的方法形成这样的圆柱形/柱形结构24’，除了使用更具方向性的蚀刻方法。可以在相对侧面上选择性地沉积涂层28和30 (如前所述)以形成环境敏感器件10’。现在参照图4C，示出包括棱锥形结构24’ ’的器件10’ ’的另一实例。在该实施例中，可以使用具有正方形几何图案G的掩模来形成三维棱锥形结构24’ ’。在这里所描述的沉积和蚀刻技术可以被利用来形成结构10’ ’的各种元件，并且可以改动蚀刻条件以获得所期望的结构24’’。这样的棱锥形结构24’’具有锥化以形成尖部26的四个面。这样的结构24’’的底面类似于所使用掩模的正方形图案。可以在其上选择性地沉积涂层28、30 (如前所述)。虽然在阵列中的每个结构24、24’、24’’上示出相同的涂层28和30，但是应当理解，利用选择性沉积，每个结构24、24’、24’’可以具有与阵列中的每个其他结构24、24’、24”不同的涂层28、30。现在参照图5A到5C，在暴露于不同的外部环境之前(图5A)和之后(图5B和5C)示出器件10的一个实施例。在该实施例中，涂层28和30是具有不同热膨胀系数的不同金属，并且因此结构24在被暴露于不同温度时做出不同反应。在图5A到5C中所示的实例中，涂层28具有高于涂层30的热膨胀系数。不同的膨胀迫使结构24在被加热(例如温度I)的情况下朝一个方向弯曲，并且在被冷却到其正常温度以下(例如温度2)的情况下朝相反方向弯曲。外部刺激可以被直接地施加到器件10 (例如针对器件10的热和/或光)，或者可以把器件10放置在其中存在外部刺激的环境中(例如在烤炉中)。图5B示出在暴露于加热之后的器件10。如所描绘的，具有更高热膨胀系数的涂层28在结构24被加热时处于曲线的外侧。类似地，图5C示出在暴露于冷却到其正常温度以下之后的器件10。如所描绘的，具有更高热膨胀系数的涂层28在结构24被冷却时处于曲线的内侧。图5B还示出用于利用器件10执行拉曼光谱法的系统100的各部件。这样的系统100包括器件10、刺激/激发光源32、以及检测器34。应当理解，在一些实施例中，系统100 还可以包括位于光源32与器件10之间的光学部件(未不出，例如光学显微镜)。所述光学部件把来自光源32的光聚焦到器件10的所期望区域，并且随后再次收集拉曼散射光并且将这样的散射光传递到检测器34。分析物分子(未示出)可以被引入到拉曼活性结构24上，在该处其可以被暴露于来自光源32的刺激/激发波长，并且可以由拉曼检测单元34检测所得到的信号。在特定实施例中，检测器34还可以被可操作地耦合到计算机(未示出)，所述计算机可以处理、分析、存储和/或发送关于存在于样本中的分析物的数据。结构24在特定方向上的弯曲使得能够对(来自源32的)刺激/激发光与结构24接触的角度进行附加的控制。在不受限于任何理论的情况下，认为在特定受控角度引导入射光在一些实例中可以最大化对于SERS信号的增强。虽然已经详细描述了几个实施例，但是对于本领域技术人员而言下述将是显而易见的，即可以对所公开的实施例进行修改。因此，前述的描述应当被认为是示例性的而非限制性的。
权利要求
1.一种环境敏感器件(10，10’，10’’)，包括 基板(14); 建立在所述基板(14)上的三维结构(24，24，，24，，); 建立在所述三维结构(24，24’，24’ ’)的第一部分(P1)上的第一涂层(28)；以及 建立在所述三维结构(24，24’，24’ ’)的第二部分(P2)上的第二涂层(30)，所述第一和第二涂层(28，30)是被配置成在被暴露于预定外部刺激时做出不同响应的不同材料。
2.如权利要求I所限定的环境敏感器件(10，10’，10’’)，其中，所述预定外部刺激是从温度和具有预定偏振的入射光中选择的。
3.如权利要求I或2的任一项所限定的环境敏感器件(10，10’，10’’)，其中，所述第一和第二涂层(28，30)是具有不同热膨胀系数的金属或者不同的硫属化物材料。
4.如权利要求I到3的任一项所限定的环境敏感器件(10，10’，10’’)，其中，所述第一涂层(28)是锌，并且其中所述第二涂层(30)是铜。
5.如权利要求I到4的任一项所限定的环境敏感器件(10，10’，10’’)，其中，所述三维结构(24，24 ’，24 ’ ’)具有从锥体形状(24 )、圆柱体形状(24 ’)、以及具有朝向尖部(26 )成角度的至少三个面的多面体形状(24’’)中选择的形状。
6.如权利要求I到5的任一项所限定的环境敏感器件(10，10’，10’’)，还包括 建立在所述基板(14)上的多个其他三维结构(24，24’，24’ ’)； 建立在所述多个三维结构(24，24’，24’’)中的每个的第一部分(P1)上的第一涂层(28);以及 建立在所述多个三维结构(24，24’，24’’)中的每个的第二部分(P2)上的第二涂层(30)。
7.如权利要求6所限定的环境敏感器件(10，10’，10’，)，其中，每个三维结构(24，24’，24’ ’)与所述基板(14) 一起被集成地形成。
8.一种使用如权利要求I所限定的环境敏感器件(10，10’，10’ ’)的方法，所述方法包括 将所述三维结构(24，24’，24’ ’)暴露于所述预定外部刺激，从而使得所述三维结构(24，24’，24’ ’)按照预定方式弯曲；以及 在相对于弯曲的三维结构(24，24’，24’ ’)的表面的预定角度，将激发波长的光暴露于所述表面的预定部分。
9.一种温度敏感器件(10，10’，10’’)，包括: 基板(14); 建立在所述基板(14)上的多个三维结构(24，24’，24’’)，每个三维结构(24，24’，24’ ’ )具有从由锥体形状(24)、圆柱体形状(24’)、以及具有朝向尖部(26)成角度的至少三个面的多面体形状(24’ ’ )构成的组中选择的形状； 建立在所述多个三维结构(24，24’，24’’)中的每个的第一部分(P1)上的第一金属(28)涂层；以及 建立在所述多个三维结构(24，24’，24’ ’)中的每个的第二部分(P2)上的第二金属(30)涂层，所述第一和第二金属涂层(28，30)具有不同的热膨胀系数。
10.如权利要求9所限定的温度敏感器件(10，10’，10’’)，其中，所述第一涂层(28)是锌，并且其中所述第二涂层(30)是铜。
11.如权利要求9或10的任一项所限定的温度敏感器件(10，10’，10’’)，其中，每个三维结构(24，24’，24’ ’)与所述基板(14) 一起被集成地形成。
12.一种制造环境敏感器件(10，10，，10” )的方法，包括 模制抗蚀剂(18)，使得几何图案(G)由任何剩余的抗蚀剂(18’)来限定，所述抗蚀剂(18)被建立在至少包括基板(14)的底座(12)上； 在所模制抗蚀剂(18’)上沉积掩模层(22)； 模制所述掩模层(22)的一部分，使得所模制抗蚀剂(18’)被去除、所述几何图案(G)被转移到所述掩模层(22’)、并且所述基板(14)的至少一部分(27)被暴露； 将所述基板(14)的所暴露部分(27)干蚀刻预定时间，以形成具有对应于所述几何图案(G)的形状的周界形状的三维结构(24，24’，24’’)； 在所述三维结构(24，24’，24’ ’)的第一部分(P1)上选择性地建立第一涂层(28)；以及在所述三维结构(24，24’，24’ ’)的第二部分(P2)上选择性地建立第二涂层(30)，所述第一和第二涂层(28，30)由被配置成在被暴露于预定外部刺激时做出不同响应的不同材料形成。
13.如权利要求12所限定的方法，其中，通过电子束蒸发实现选择性地建立第一和第二涂层(28，30)。
14.如权利要求12或13的任一项所限定的方法，还包括对于所述第一和第二涂层(28，30)选择不同的材料，使得每个涂层(28，30)在被暴露于温度时或者在被暴露于具有预定偏振的入射光时做出不同响应。
15.如权利要求12到14的任一项所限定的方法，还包括 模制所述抗蚀剂(18)，使得多个几何图案(G)由任何剩余的抗蚀剂(18’)来限定； 模制所述掩模层(22)的部分，使得所模制抗蚀剂(18’)被去除、所述几何图案(G)被转移到所述掩模层(22’)、并且所述基板(14)的多个部分(27)被暴露； 将所述基板(14)的所暴露部分(27)干蚀刻预定时间，以形成分别具有对应于其中一个几何图案(G)的形状的周界形状的多个三维结构(24，24’，24’ ’)； 在每个三维结构(24，24’，24’ ’)的第一部分(P1)上选择性地建立第一涂层(28)；以及 在每个三维结构(24，24 ’，24 ’ ’)的第二部分(P2)上选择性地建立第二涂层(30 )。
全文摘要
一种环境敏感器件(10，10’，10’’)被公开。所述器件(10，10’，10’’)包括基板；建立在所述基板上的三维结构(24，24’，24’’)；建立在所述三维结构(24，24’，24’’)的第一部分(P1)上的第一涂层(28)；以及建立在所述三维结构(24，24’，24’’)的第二部分(P2)上的第二涂层(30)。所述第一和第二涂层(28，30)包含被配置成在被暴露于预定外部刺激时做出不同响应的不同材料。
文档编号G01N21/65GK102712466SQ201080062528
公开日2012年10月3日 申请日期2010年1月29日 优先权日2010年1月29日
发明者F.S.区, H.P.扩, M.胡, Z.李 申请人:惠普发展公司，有限责任合伙企业