包含稀土卤化物的闪烁晶体以及包括该闪烁晶体的辐射检测系统的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种闪烁晶体，其可包括Ln(1-y)REyX3，其中Ln表示稀土元素，RE表示不同的稀土元素，y具有在0至1范围内的值，且X表示卤素。在一个实施例中，RE为Ce，且所述闪烁晶体掺杂至少大约0.0002wt.％的浓度的Sr、Ba或它们的混合物。在另一实施例中，所述闪烁晶体可具有出乎意料地改进的线性和出乎意料地改进的能量分辨率性质。在又一实施例中，一种辐射检测系统可包括所述闪烁晶体、光电传感器和电子器件。这种辐射检测系统可用于多种辐射成像应用中。
【专利说明】包含稀土卤化物的闪烁晶体以及包括该闪烁晶体的辐射检测系统
【技术领域】
[0001]本公开涉及包含稀土卤化物的闪烁晶体和包括这种闪烁晶体的辐射检测系统。
【背景技术】
[0002]辐射检测系统用于多种应用中。例如，闪烁器可用于医学成像，用于油气工业中的测井，以及用于环境监测、安全应用和核物理分析和应用。用于辐射检测系统的闪烁晶体可包括稀土卤化物。需要闪烁晶体的进一步的改进。
【专利附图】
【附图说明】
[0003]实施例以示例的方式显示，且不限于附图。
[0004]图1包括根据一个实施例的辐射检测系统的图示。
[0005]图2包括在大约200keV至大约2600keV范围内的Y射线能量下，闪烁晶体的不同组成的完美线性偏离的图示。
[0006]图3包括在大约60keV至大约356keV范围内的Y射线能量下，闪烁晶体的不同组成的完美线性偏离的图示。
[0007]图4包括掺杂Sr的闪烁晶体、掺杂Zn的闪烁晶体和标准闪烁晶体的能量分辨率随能量而变化的图。`
[0008]图5包括掺杂Sr的闪烁晶体、掺杂Zn的闪烁晶体和标准闪烁晶体的能量分辨率比例随能量而变化的图。
[0009]图6包括掺杂Sr的闪烁晶体、掺杂Zn的闪烁晶体和标准闪烁晶体的发射光谱。
[0010]本领域技术人员了解，图中的元件为了简单和清晰而显示，且不必按比例绘制。例如，图中的一些元件的尺寸可相对于其他元件增大，以协助增进对本发明的实施例的理解。
【具体实施方式】
[0011]提供结合附图的如下描述以协助理解本文公开的教导。如下讨论将集中于教导的具体实施和实施例。提供该焦点以协助描述教导，且该焦点不应被解释为对教导的范围或适用性的限制。
[0012]当指代值时，术语“平均”旨在意指平均值、几何平均值或中值。
[0013]术语“对应的未经掺杂的闪烁晶体”旨在意指特定的闪烁晶体，其包含与这种特定的闪烁晶体所比较的经掺杂的闪烁晶体基本上相同比例的相同的一种或多种卤素和一种或多种稀土元素。例如，包含掺杂Sr的LauCeaiBr3的经掺杂的闪烁晶体具有对应的未经掺杂的闪烁晶体La19Cea应注意经掺杂的和对应的未经掺杂的闪烁晶体中的每一个具有痕量水平可检测的杂质；然而，对应的未经掺杂的闪烁晶体不包含在形成闪烁晶体时单独添加的掺杂剂。
[0014]如本文所用，术语“包含”、“包括”、“具有”或它们的任何其他变体旨在涵盖非排他性的包括。例如，包括一系列特征的过程、方法、制品或装置不必仅限于那些特征，而是可包括未明确列出的或这些过程、方法、制品或装置所固有的其他特征。此外，除非明确相反指出，“或”指包括性的或，而非排他性的或。例如，条件A或B由如下任一者满足:A为真(或存在)且B为假(或不存在)，A为假(或不存在)且B为真(或存在)，以及A和B均为真(或存在)。
[0015]“一种”的使用用于描述本文描述的元件和部件。这仅为了便利，并提供本发明的范围的一般含义。该描述应理解为包括一种或至少一种，且单数也包括复数，反之亦然，除非其明显具有相反含义。
[0016]除非另外定义，本文所用的所有技术和科学术语与本发明所属领域中的普通技术人员所通常理解的具有相同的含义。材料、方法和实例仅为说明性的，且不旨在为限制性的。对于本文未描述的程度，有关具体材料和加工行为的许多细节为常规的，并可在闪烁和辐射检测领域内的教科书和其他来源中找到。
[0017]图1示出了辐射检测器系统100的一个实施例。辐射检测器系统可为医学成像装置，测井装置、安全检查装置、核物理应用等。在一个特定实施例中，辐射检测系统可用于Y射线分析，如单正电子发射计算机断层摄影术(SPECT)或正电子发射断层摄影(PET)分析。
[0018]在所示的实施例中，辐射检测器系统100包括光电传感器101、光接口 103和闪烁器件105。尽管光电传感器101、光接口 103和闪烁器件105显示为彼此分开，但本领域技术人员将了解光电传感器101和闪烁器件105可联接至光接口 103，且光接口 103设置于光电传感器101与闪烁器件105之间。闪烁器件105和光电传感器101可以以其他已知的联接方法(如使用光学凝胶或结合剂，或直接通过光学联接的元件的分子粘结)而光学联接至光接口 103。
[0019]光电传感器101可为光电倍增管(PMT)、半导体基光电倍增器或混合光电传感器。光电传感器101可经由输入窗口` 116接收由闪烁器件105发射的光子，并基于其接收的光子数而产生电脉冲。光电传感器101电联接至电子模块130。电脉冲可由电子模块130整形、数字化、分析或它们的任意组合，以提供在光电传感器101处接收的光子的计数或其他信息。电子模块130可包括放大器、前置放大器、鉴别器、模拟数字信号转换器、光子计数器、另一电子部件，或它们的任意组合。光电传感器101可容纳于由能够保护光电传感器101、电子模块130或它们的组合的材料(如金属、金属合金、其他材料，或它们的任意组合)制得的管或外壳内。
[0020]闪烁器件105包括闪烁晶体107。闪烁晶体107的组成将在本说明书下文更详细地描述。闪烁晶体107基本上被反射器109围绕。在一个实施例中，反射器109可包括聚四氟乙烯(PTFE)、适于反射由闪烁晶体107发射的光的另一材料，或它们的组合。在一个示例性实施例中，反射器109可基本上被减震构件111围绕。闪烁晶体107、反射器109和减震构件111可容纳于壳体113内。
[0021]闪烁器件105包括至少一个稳定机构，所述至少一个稳定机构适于减少闪烁晶体107与辐射检测系统100的其他元件(如光接口 103、壳体113、减震元件111、反射器109或它们的任意组合)之间的相对移动。稳定结构可包括弹簧119、弹性体、另一合适的稳定机构，或它们的组合。稳定机构可适于将侧向力、水平力或它们的组合施加至闪烁晶体107，以稳定其相对于辐射检测系统100的一种或多种其他元件的位置。[0022]如所示，光接口 103适于在光电传感器101与闪烁器件105之间联接。光接口 103也适于促进光电传感器101与闪烁器件105之间的光联接。光接口 103可包括聚合物,如硅橡胶，所述聚合物极化以排列闪烁晶体107和输入窗口 116的反射指数。在其他实施例中，光接口 103可包括凝胶或胶体(包括聚合物)和另外的元件。
[0023]闪烁晶体107可包括稀土卤化物。如本文所用，稀土元素包括Y、Sc和镧系元素。在一个实施例中，闪烁晶体107可包括一种或多种其他稀土元素。因此，闪烁晶体107可具有如下所述的化学式。
[0024]Ln(1_y)REyX3，其中: [0025]Ln表示稀土元素；
[0026]RE表示不同的稀土元素；
[0027]y具有0至I式单位(“f.u.”)范围内的值；且
[0028]X表示卤素。
[0029]在特定实施例中，Ln可包括La、Gd、Lu或它们的任意混合物；且RE可包括Ce、Eu、Pr、Tb、Nd或它们的任意混合物。在一个特定实施例中，闪烁晶体107可为La(1_y)CeyBiv在特定实施例中，LaBr3和CeBr3在所述组成的范围内。
[0030]在另一实施例中，y可为Of.u.，至少大约0.0OOlf.u.，至少0.0Olf.u.或至少大约0.05f.u.。在另一实施例中，y可为If.u.,不大于大约0.2f.u.,不大于大约0.1f.u.,不大于大约0.05f.u,或不大于大约0.01f.u.。在一个特定实施例中，y在大约0.01f.u.至大约0.1f.u.的范围内。X可包括单个卤素或卤素的任意混合物。例如，X可包括Br、I或它们的任意混合物。
[0031]稀土卤化物还可包括Sr、Ba或它们的任意混合物。在一个实施例中，Sr、Ba或它们的任意混合物在闪烁晶体中的含量可为至少大约0.0002wt.%，至少大约0.0005wt.%,或至少大约0.0Olwt.%。在另一实施例中，Sr、Ba或它们的任意混合物在闪烁晶体中的含量可不大于大约0.05wt.%，不大于大约0.03wt.%，不大于0.02wt.%，或不大于大约0.009wt.%。在一个特定实施例中，Sr、Ba或它们的任意混合物的含量在大约0.005wt.%至大约0.02wt.%的范围内。
[0032]起始材料可包括相同卤素或不同卤素的金属卤化物。例如，可使用稀土溴化物和SrBr2。在另一实施例中，含溴化物的化合物中的一些可由含碘化物的化合物取代。可选择起始材料，使得主要的稀土卤化物和用于闪烁晶体的另一金属卤化物各自具有大约90°C的熔点。在一个特定实施例中，各自具有大约50°C的熔点。例如，LaBr3具有大约785°C的熔点，且SrBr2具有大约640°C的熔点。当熔点彼此更接近时，如果需要或希望，可将更多的掺杂剂掺入闪烁晶体中。在另一实施例中，可使用BaBr2或SrBr2和BaBr2的任意混合物。
[0033]可使用常规技术由熔体形成闪烁晶体。方法可包括Bridgman法或Czochralski晶体生长方法。
[0034]相比于其他稀土卤化物闪烁晶体，包含掺杂Sr、掺杂Ba或共掺杂Sr和Ba的稀土卤化物的闪烁晶体提供了出乎意料的结果。更特别地，掺杂Sr、掺杂Ba或共掺杂Sr和Ba的闪烁晶体具有显著良好的线性、显著良好的能量分辨率和更低的带隙能量。
[0035]线性指闪烁晶体接近Y射线能量与光输出之间的完美线性比例的良好程度。线性可作为完美线性偏离而测得。具有完美线性的闪烁晶体每单位吸收能量总是产生相同数量的光子，而无论Y射线的能量如何。因此，其完美线性偏离为零。相比于在更高能量下，在更低能量下不同稀土卤化物之间的完美线性偏离更显著。更高能量的Y射线(例如大于2000keV)可碰撞闪烁晶体，所述闪烁晶体可转而产生更低能量的Y射线(例如小于300keV)。如果对于更低能量的Y射线闪烁晶体产生更少的闪烁光，则闪烁晶体具有差的线性。因此，相比于在更高Y射线能量下的响应，闪烁晶体对更低能量下的Y射线(如小于300keV)的响应对线性更重要。
[0036]完美线性偏离可如下测定。在一系列Y射线能量下收集对不同Y射线能量的响应的数据。例如，Y射线能量的范围可为60keV至6130keV。所述范围可更窄，例如60keV至2600keV。所述范围的下限可不同于60keV。所述范围的下限可小于60keV(例如20keV或40keV)或高于60keV(例如100或200keV)。在阅读本说明书之后，本领域技术人员能够选择用于他们的特定应用的能量范围。
[0037]在收集数据之后，使用最小二乘法拟合而产生具有如下等式的线性等式: [0038]Ecalc=m*PH等式 I
[0039]其中:
[0040]Ecalc为计算能量；
[0041]PH为脉冲高度(光输出)；且
[0042]m为线条的斜率(拟合系数)。
[0043]应注意，当能量为零时，线条经过对应于零脉冲高度(无光输出)的点(0，0)。因此，当线条对应于完美线性时，不存在y轴偏移。对于特定的Y射线能量，完美线性偏差(“DFPL”)通过如下等式测定:
[0044]DFPL= ((Ecalc-Eactual) / Eactual) *100%等式 2
[0045]其中Eartual为对应于光输出的实际、射线能量，且Eeal。使用光输出计算。
[0046]对于一组DFPL数据点，可获得平均值、最大正偏差、最大负偏差、最大偏差、前述中的任意者的绝对值，或它们的任意组合。平均值可为平均数、中值或几何平均。在一个特定实施例中，平均DFPL可根据如下等式3使用积分确定。
【权利要求】
1.一种闪烁晶体，其包含:
Ln(1_y)REyX3:Me2+，其中: Ln表示稀土元素； Me2+表示Sr、Ba或它们的任意混合物，并具有至少大约0.0002wt.%的浓度； RE表示不同的稀土元素； y具有O至I范围内的值；且 X表示卤素。
2.—种福射检测系统，其包括: 闪烁晶体，所述闪烁晶体包含Ln(1_y) REyX3:Me+2，其中: Ln表示稀土元素； Me+2表示Sr、Ba或它们的任意混合物，并具有至少大约0.0002wt.%的浓度； RE表示不同的稀土元素； y具有O至I范围内的值；且 X表示卤素；以及 光电传感器，所述光电传感器光联接至所述闪烁晶体。
3.一种闪烁晶体，其包含:
Ln(1_y)REyX3，其中: Ln表示稀土元素； RE表示不同的稀土元素； y具有O至I范围内的值；且 X表示卤素；以及 所述闪烁晶体具有包括如下的性质: 对于60keV至356keV的辐射能量范围，所述闪烁晶体具有不小于大约-0.35%的完美线性偏离的平均值； 对于2000keV至2600keV的辐射能量范围，所述闪烁晶体具有不大于大约0.07%的完美线性偏离的平均值； 对于60keV至356keV的辐射能量范围，所述闪烁晶体具有不大于大约0.7%的最大程度的完美线性偏离的绝对值；或它们的任意组合。
4.一种闪烁晶体，其包含:
Ln(1_y)REyX3，其中: Ln表示稀土元素；` RE表示不同的稀土元素； y具有O至I范围内的值；且 X表示卤素；以及 能量分辨率比例为闪烁晶体的能量分辨率除以具有不同组成的不同闪烁晶体的不同能量分辨率，其中所述能量分辨率比例: 对于60至729keV范围内的能量，不大于大约0.970 ； 对于122至2615keV范围内的能量，不大于大约0.950 ；对于583至2615keV范围内的能量，不大于大约0.920 ； 对于662至2615keV范围内的能量，不大于大约0.900 ； 对于60keV的能量，不大于大约0.985 ； 对于122keV的能量，不大于大约0.980 ； 对于239keV的能量，不大于大约0.980 ； 对于51 IkeV的能量，不大于大约0.970 ； 对于583keV的能量，不大于大约0.970 ； 对于662keV的能量，不大于大约0.970 ； 对于729keV的能量，不大于大约0.970 ； 对于2615keV的能量，不大于大约0.950 ;或 它们的任意组合。
5.根据权利要求1、2或4所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述闪烁晶体具有包括如下的性质: 对于60keV至356keV的辐射能量范围，所述闪烁晶体具有不小于大约-0.35%的完美线性偏离的平均值； 对于2000keV至2600keV的辐射能量范围，所述闪烁晶体具有不大于大约0.07%的完美线性偏离的平均值；` 对于60keV至356keV的辐射能量范围，所述闪烁晶体具有不大于大约0.7%的最大程度的完美线性偏离的绝对值；或它们的任意组合。
6.根据权利要求3或5所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述闪烁晶体具有包括如下的性质:对于60keV至356keV的福射能量范围，所述闪烁晶体具有不小于大约-0.35%的完美线性偏离的平均值。
7.根据权利要求3或5所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述闪烁晶体具有包括如下的性质:对于2000keV至2600keV的福射能量范围，所述闪烁晶体具有不大于大约0.07%的完美线性偏离的平均值。
8.根据权利要求3或5所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述闪烁晶体具有包括如下的性质:对于60keV至356keV的辐射能量范围，所述闪烁晶体具有不大于大约0.7%的最大程度的完美线性偏离的绝对值。
9.根据权利要求1、2或3所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中能量分辨率比例为闪烁晶体的能量分辨率除以不同组成的不同闪烁晶体的不同能量分辨率，其中所述能量分辨率比例: 对于60至729keV范围内的能量，不大于大约0.970 ； 对于122至2615keV范围内的能量，不大于大约0.950 ； 对于583至2615keV范围内的能量，不大于大约0.920 ； 对于662至2615keV范围内的能量，不大于大约0.900 ； 对于60keV的能量，不大于大约0.985 ； 对于122keV的能量，不大于大约0.980 ； 对于239keV的能量，不大于大约0.980 ；对于51 IkeV的能量，不大于大约0.970 ； 对于583keV的能量，不大于大约0.970 ； 对于662keV的能量，不大于大约0.970 ； 对于729keV的能量，不大于大约0.970 ； 对于2615keV的能量，不大于大约0.950 ;或 它们的任意组合。
10.根据权利要求4或9所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于在60至729keV范围内的能量，所述闪烁晶体具有不大于大约0.970的能量分辨率比例。
11.根据权利要求4、9或10所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于在122至2615keV范围内的能量，所述闪烁晶体具有不大于大约0.950的能量分辨率比例。
12.根据权利要求4和9至11中任一项所述的的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于在583至2615keV范围内的能量，所述闪烁晶体具有不大于大约0.920的能量分辨率比例。
13.根据权利要求4和9至12中任一项所述的的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于在662至2615keV范围内的能量，所述闪烁晶体具有不大于大约0.900的能量分辨率比例。
14.根据权利要求4和9至13中任一项所述的的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于60keV的能量，所述闪烁晶体具有不大于大约0.985，不大于大约0.975，或不大于大约0.965的能量分辨率比例。
15.根据权利要求4和9至14中任一项所述的的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于122keV的能量，所述闪烁晶体具有不大于大约0.980，不大于大约0.950，或不大于大约0.920的能量分辨率比例。
16.根据权利要求4和9至15中任一项所述的的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于239keV的能量，所述闪烁晶体具有不大于大约0.990，不大于大约0.960，或不大于大约0.940的能量分辨率比例。
17.根据权利要求4和9至16中任一项所述的的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于511keV的能量，所述闪烁晶体具有不大于大约0.970，不大于大约0.930，或不大于大约0.900的能量分辨率比例。
18.根据权利要求4和9至17中任一项所述的的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于583keV的能量，所述闪烁晶体具有不大于大约0.980，不大于大约0.940，或不大于大约0.920的能量分辨率比例。
19.根据权利要求4和9至18中任一项所述的的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于662keV的能量，所述闪烁晶体具有不大于大约0.970，不大于大约0.910，或不大于大约0.880的能量分辨率比例。
20.根据权利要求4和9至19中任一项所述的的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于729keV的能量，所述闪烁晶体具有不大于大约0.970，不大于大约0.910，或不大于大约0.880的能量分辨率比例。
21.根据权利要求4和9至20中任一项所述的的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于2615keV的能量，所述闪烁晶体具有不大于大约0.950，不大于大约0.850，或不大于大约0.810的能量分辨率比例。
22.根据前述权利要求中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述闪烁晶体的能量分辨率由能谱确定，所述能谱使用闪烁晶体、光电倍增管、设置于所述闪烁晶体与所述光电倍增管之间的窗口和联接至所述光电倍增管的多通道分析仪获得，其中: 所述闪烁晶体具有直径为大约64mm且长度为大约75mm的直圆柱体的形状，且所述闪烁晶体在侧面和一端上由反射器包围； 所述窗口包括蓝宝石或石英； 所述光电倍增管包括线性聚焦的非饱和光电倍增管；且 所述多通道分析仪构造为在0.25微米-S整形时间下进行双极整形；且 能量分辨率在122keV下不大于大约6.40%，在662keV下不大于大约2.90%，在2615keV下不大于大约1.90%，或它们的任意组合。
23.根据权利要求22所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述能量分辨率在122keV下不大于大约6.40 %，不大于大约6.30 %，或不大于大约6.20 %，或不大于大约6.10%。
24.根据权利要求22所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述能量分辨率在122keV下不大于大约6.00%。
25.根据权利要求22至24中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述能量分辨率在662keV下不大于大约2.90 %，不大于大约2.85%，不大于大约2.80 %，不大于大约2.75%,或不大于大约2.70%。
26.根据权利要求22至24中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述能量分辨率在662keV下不大于大约2`.65%。
27.根据权利要求22至26中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述能量分辨率在2615keV下不大于大约1.90%，不大于大约1.85%，不大于大约1.80%，不大于大约1.75%，或不大于大约1.70%。
28.根据权利要求22至26中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述能量分辨率在2615keV下不大于大约1.65%。
29.根据权利要求2和5至28中任一项所述的辐射检测系统，其中所述辐射检测系统为医学成像系统。
30.根据权利要求1、2或30所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述闪烁晶体掺杂Sr。
31.根据权利要求1、2或30所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中在所述闪烁晶体中的Sr含量为至少大约0.0002wt.%，至少大约0.0005wt.%，或至少大约0.0Olwt.%。
32.根据权利要求1、2或30所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中在所述闪烁晶体中的Sr含量不大于大约0.05wt.%,不大于大约0.03wt.%,不大于大约0.02wt.%,或不大于大约 0.009wt.%。
33.根据权利要求1、2或30中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中在所述闪烁晶体中的Sr含量为大约0.0Olwt.%至大约0.009wt.% ?
34.根据权利要求3和5至33中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于60keV至356keV的辐射能量范围，所述闪烁晶体具有不小于大约-0.35%，不小于大约-0.30%，不小于大约-0.25%，或不小于大约-0.20%的完美线性偏离的平均值。
35.根据权利要求3、5至34中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于60keV至356keV的辐射能量范围，所述闪烁晶体具有不小于大约-0.16%的完美线性偏离的平均值。
36.根据前述权利要求中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于2000keV至2600keV的辐射能量范围，所述闪烁晶体具有不大于大约0.07%，不大于大约0.05%，或不大于大约0.03%的基于绝对值的完美线性偏离的平均值。
37.根据权利要求34、35或36所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中完美线性偏离的平均值(DFPLavwage)通过如下确定:
38.根据前述权利要求中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中对于60keV至356keV的辐射能量范围，所述闪烁晶体具有不大于大约0.70%，不大于大约0.65%，或不大于大约0.60%，或不大于大约0.55%，或不大于大约0.50%的最大程度的完美线性偏离的绝对值。
39.根据前述权利要求中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中Ln包括La、Gd、Lu，或它们的任意混合物。
40.根据前述权利要求中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中RE包括Ce、Eu、Pr、Tb、Nd,或它们的任意混合物。
41.根据前述权利要求中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中y不大于大约.0.5，不大于大约0.2，或不大于大约0.09。
42.根据前述权利要求中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中y为至少大约.0.005，至少大约0.01，或至少大约0.02。
43.根据前述权利要求中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中Ln为La，RE为Ce，且 X 为 Br。
44.根据权利要求44所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中I不大于0.2f.u.。
45.根据前述权利要求中任一项所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述闪烁晶体能够在第一波长处发射第一荧光峰，并在第二波长处发射第二荧光峰，其中所述第二波长比所述第一波长大至少大约15nm。
46.根据权利要求44所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述第二波长在比所述第一波长大大约20nm至大约40nm的范围内。
47.根据权利要求44所述的闪烁晶体或辐射检测系统，其中所述闪烁晶体具有比对应的未经掺杂的闪烁晶体的带隙能量小至少大约0.05eV,小至少大约0.1OeV,小至少大约.0.15eV，或小至少0.20eV的能量带隙。
【文档编号】G01T1/202GK103687928SQ201280035995
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年6月5日 优先权日:2011年6月6日
【发明者】P·R·蒙格, V·奥斯本斯基 申请人:圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司