过电流侦测电路的制作方法
【专利摘要】一种过电流侦测电路，包括一放大电路及一比较电路，所述比较电路包括一比较器，所述放大电路连接一位于一回路中的检测电阻的两端，所述放大电路用于放大所述检测电阻的两端的一输出电压并将所述输出电压输送给所述比较器的反向输入端，所述比较器的正向输入端用于接收一设置电压，所述比较器用于在所述设置电压小于所述输出电压时输出一控制电压。所述过电流侦测电路用于侦测流经所述检测电阻的电流。
【专利说明】过电流侦测电路
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种侦测电路，特别是一种过电流侦测电路。
【背景技术】
[0002] 现在的电子设备中，一般都有过电流侦测系统，并且在侦测到有有电流时启动一 保护IC来实现过电流时对电子设备的保护，其工作原理一般是通过检测电路中的电流或 电压，将检测到的电流值与设定值（即过电流保护阔值）进行比较，如果检测到的电流值大 于预设值，则发出控制信号使开关断开，达到对电路的保护。现行的一种过流保护侦测中， 通过检测流经一连接于一器件的检测电阻的电压，并通过放大电路将所述检测电阻的电压 放大后传送至一嵌入式控制器使所述嵌入式控制器判断是否产生过电流并在产生过电流 时做相应的处理，所述嵌入式控制器在判断及处理的过程中耗时而无法达到有效的反应及 保护。
【发明内容】
[0003] 鉴于W上内容，有必要提供一种有效的过电流侦测电路。
[0004] 一种过电流侦测电路，包括一放大电路及一比较电路，所述比较电路包括一比较 器，所述放大电路连接一位于一回路中的检测电阻的两端，所述放大电路用于放大所述检 测电阻的两端的一输出电压并将所述输出电压输送给所述比较器的反向输入端，所述比较 器的正向输入端用于接收一设置电压，所述比较器用于在所述设置电压小于所述输出电压 时输出一控制电压。
[0005] -实施例中，所述放大电路包括一放大器，所述放大器的正向输入端分别通过一 第一电阻连接所述检测电阻的一端及通过一第二电阻接地，所述放大器的反向输入端通过 一第H电阻连接所述检测电阻的另一端，所述放大器的输出端通过一第四电阻连接所述比 较器的反向输入端。
[0006] 一实施例中，所述第一电阻的电阻值等于所述第H电阻的电阻值，所述第二电阻 的电阻值等于所述第四电阻的电阻值。
[0007] -实施例中，所述比较器的正向输入端连接相互串联的两个电阻的公共端，所述 的相互串联的两个电阻分别连接于所述公共端与地之间及所述公共端与一第一供电单元 之间。
[0008] -实施例中，所述第一供电单元为一直流电源。
[0009] -实施例中，所述比较器的正向输入端还通过一晶体管连接一电源适配器，所述 电源适配器用于连接一交流电源，所述电源适配器连接所述晶体管的导通端，所述晶体管 的第一连接端连接所述比较器的正向输入端，所述晶体管的第二连接端通过一电阻接地。
[0010] 一实施例中，所述晶体管为一 N沟道增强型MOS阳T，所述晶体管的导通端为所述 晶体管的栅极，所述晶体管的第一连接端为所述晶体管的漏极，所述晶体管的第二连接端 为所述晶体管的源极。
[0011] 一实施例中，所述放大器的输出端通过一第五电阻连接所述比较器的反向输入 玉山 乂而。
[0012] 一实施例中，所述比较器的反向输入端通过一电容接地。
[0013] 一实施例中，所述比较器的输出端连接所述系统模块。
[0014] 与现有技术相比，所述过电流侦测电路中，所述放大电路放大所述检测电阻的两 端的电压差将所述输出电压输送给所述比较器的反向输入端，所述比较器通过比较所述设 置电压小于所述输出电压后而输出一控制电压，所述过电流侦测电路用于侦测流经所述检 测电阻的电流。
【专利附图】
【附图说明】
[0015] 图1是本发明过电流侦测电路的一较佳实施方式的原理图。
[0016] 图2是本发明过电流侦测电路的一较佳实施方式的电路连接图。
[0017] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种过电流侦测电路，包括一放大电路及一比较电路，所述比较电路包括一比较器， 所述放大电路连接一位于一回路中的检测电阻的两端，所述放大电路用于放大所述检测电 阻的两端的一输出电压并将所述输出电压输送给所述比较器的反向输入端，所述比较器的 正向输入端用于接收一设置电压，所述比较器用于在所述设置电压小于所述输出电压时输 出一控制电压。
2. 如权利要求1所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述放大电路包括一放大器，所 述放大器的正向输入端分别通过一第一电阻连接所述检测电阻的一端及通过一第二电阻 接地，所述放大器的反向输入端通过一第三电阻连接所述检测电阻的另一端，所述放大器 的输出端通过一第四电阻连接所述比较器的反向输入端。
3. 如权利要求2所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述第一电阻的电阻值等于所 述第三电阻的电阻值，所述第二电阻的电阻值等于所述第四电阻的电阻值。
4. 如权利要求1所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述比较器的正向输入端连接 相互串联的两个电阻的公共端，所述的相互串联的两个电阻分别连接于所述公共端与地之 间及所述公共端与一第一供电单元之间。
5. 如权利要求4所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述第一供电单元为一直流电 源。
6. 如权利要求1所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述比较器的正向输入端还通 过一晶体管连接一电源适配器，所述电源适配器用于连接一交流电源，所述电源适配器连 接所述晶体管的导通端，所述晶体管的第一连接端连接所述比较器的正向输入端，所述晶 体管的第二连接端通过一电阻接地。
7. 如权利要求6所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述晶体管为一 N沟道增强型 MOSFET，所述晶体管的导通端为所述晶体管的栅极，所述晶体管的第一连接端为所述晶体 管的漏极，所述晶体管的第二连接端为所述晶体管的源极。
8. 如权利要求2所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述放大器的输出端通过一第 五电阻连接所述比较器的反向输入端。
9. 如权利要求1所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述比较器的反向输入端通过 一电容接地。
10. 如权利要求1所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述比较器的输出端连接所述 系统模块。
【文档编号】G01R19/165GK104237612SQ201310233607
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年6月14日 优先权日:2013年6月14日
【发明者】曾祥宾, 李民伟 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司