发光二极管检测方法及检测系统的制作方法
【专利摘要】一种发光二极管检测方法，包括：检测发光二极管晶粒所发出的光线的频谱数据；检测荧光粉在受激发光后所发出的光线的频谱数据；根据发光二极管晶粒所发出的光线和荧光粉所发出光线的比例，计算发光二极管晶粒与荧光粉的合成光谱；将所计算的合成光谱与标准的或期望的频谱数据相比较，以确定计算的合成光谱是否在标准的或期望的频谱数据范围内；若计算的合成光谱不在标准的或期望的频谱数据范围内，则调整发光二极管所发出光线与荧光粉所发出光线的比例直至所计算的合成光谱位于标准的或期望的频谱数据范围内。本发明还提供了一种发光二极管检测系统。
【专利说明】发光二极管检测方法及检测系统
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种发光二极管检测方法及检测系统。
【背景技术】
[0002] 发光二极管（Light Emitting Diode, LED)是一种可将电流转换成特定波长范围 的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动 简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
[0003] 在制作发光二极管光源时，一般将发光二极管晶粒与突光粉混合封装在一起以形 成封装元件，用以发出白光。然后量测封装元件的光谱、CIE坐标等光学数据，以确定封装 元件是否符合产品的要求。若不符合要求，则必须调整荧光粉的比例然后重新制作封装元 件，然后重复量测的过程。上述过程无疑比较费时费力，并且增加了生产成本。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，有必要提供一种能够降低成本的发光二极管检测方法及检测系统。
[0005] -种发光二极管检测方法，包括： 检测发光二极管晶粒所发出的光线的频谱数据； 检测荧光粉在受激发光后所发出的光线的频谱数据； 根据发光二极管晶粒所发出的光线和荧光粉所发出光线的比例，计算发光二极管晶粒 与荧光粉的合成光谱； 将所计算的合成光谱与标准的或期望的频谱数据相比较，以确定计算的合成光谱是否 在标准的或期望的频谱数据范围内； 若计算的合成光谱不在标准的或期望的频谱数据范围内，则调整发光二极管所发出光 线与荧光粉所发出光线的比例直至所计算的合成光谱位于标准的或期望的频谱数据范围 内。
[0006] -种发光二极管检测系统，包括： 检测装置，用于检测发光二极管晶粒所发出的光线的频谱数据以及荧光粉在受激发光 后所发出的光线的频谱数据； 计算装置，根据发光二极管晶粒所发出的光线和荧光粉所发出光线的比例，计算发光 二极管晶粒与荧光粉的合成光谱； 存储装置，用于存储标准的或期望的频谱数据； 比较装置，将所计算的合成光谱与存储装置中所存储的标准的或期望的频谱数据相比 较，以确定所计算的合成光谱是否在标准的或期望的频谱数据范围内；以及 调整装置，根据比较装置的比较结果调整发光二极管所发出光线与荧光粉所发出光线 的比例直至所计算的合成光谱位于标准的或期望的频谱数据范围内。
[0007] 在LED封装过程中采用该种发光二极管检测系统后，可根据合成光谱与标准的或 期望的频谱数据的符合程度调整得到的发光二极管晶粒和荧光粉所发出光线的比例，仅将 发光二极管晶粒与荧光粉进行一次混合封装即可获得具有期望光谱数据的发光二极管封 装体，而无需多次封装及检测的过程。即，上述发光二极管检测系统可避免在LED封装制程 中反复地将发光二极管晶粒与不同比例的荧光粉进行混合封装以量测其光谱数据，从而节 省了时间，且降低了生产成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0008] 图1为本发明第一实施例所提供的发光二极管检测系统的结构框图。
[0009] 图2为图1中检测装置所量测的发光二极管晶粒所发出光线的频谱数据。
[0010] 图3为图1中检测装置所量测的荧光粉所发出光线的频谱数据。
[0011] 图4为图1中的计算装置所得出的合成光谱。
[0012] 图5为本发明的发光二极管检测方法的步骤示意图。
[0013] 图6为本发明第二实施例所提供的发光二极管检测方法的步骤示意图。
[0014] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种发光二极管检测方法，包括： 检测发光二极管晶粒所发出的光线的频谱数据； 检测荧光粉在受激发光后所发出的光线的频谱数据； 根据发光二极管晶粒所发出的光线和荧光粉所发出光线的比例，计算发光二极管晶粒 与荧光粉的合成光谱； 将所计算的合成光谱与标准的或期望的频谱数据相比较，以确定计算的合成光谱是否 在标准的或期望的频谱数据范围内； 若计算的合成光谱不在标准的或期望的频谱数据范围内，则调整发光二极管所发出光 线与荧光粉所发出光线的比例直至所计算的合成光谱位于标准的或期望的频谱数据范围 内。
2. 如权利要求1所述的发光二极管检测方法，其特征在于，在计算合成光谱时，根据发 光二极管晶粒所发出光线的频谱数据获得一个选定波长所对应的光强值Ρχ，以及根据荧光 粉所发出光线的频谱数据获得该选定波长所对应的光强值Py，此时，合成光谱在该选定波 长上所对应的光强值Pz通过以下公式计算：Pz = Px*(l-t) + Py*t，其中t代表发光二极 管晶粒所发出的光线被荧光粉的吸收率。
3. 如权利要求1所述的发光二极管检测方法，其特征在于，根据合成光谱计算发光二 极管晶粒与荧光粉混合后的R、G、B三色光阵列值。
4. 如权利要求3所述的发光二极管检测方法，其特征在于，进一步提供一个标准的或 期望的CIE坐标范围，然后确定发光二极管晶粒与荧光粉混合后的R、G、B三色光阵列值是 否位于该CIE坐标范围，若答案为"否"，则调整发光二极管所发出光线与荧光粉所发出光 线的比例直至所计算的R、G、B三色光阵列值位于标准的或期望的CIE坐标范围内。
5. -种发光二极管检测系统，包括： 检测装置，用于检测发光二极管晶粒所发出的光线的频谱数据以及荧光粉在受激发光 后所发出的光线的频谱数据； 计算装置，根据发光二极管晶粒所发出的光线和荧光粉所发出光线的比例，计算发光 二极管晶粒与荧光粉的合成光谱； 存储装置，用于存储标准的或期望的频谱数据； 比较装置，将所计算的合成光谱与存储装置中所存储的标准的或期望的频谱数据相比 较，以确定所计算的合成光谱是否在标准的或期望的频谱数据范围内；以及 调整装置，根据比较装置的比较结果调整发光二极管所发出光线与荧光粉所发出光线 的比例直至所计算的合成光谱位于标准的或期望的频谱数据范围内。
6. 如权利要求5所述的发光二极管检测系统，其特征在于，所述计算装置在计算合成 光谱时，根据发光二极管晶粒所发出光线的频谱数据获得一个选定波长所对应的光强值 Ρχ，以及根据荧光粉所发出光线的频谱数据获得该选定波长所对应的光强值Py，此时，合成 光谱在该选定波长上所对应的光强值Pz通过以下公式计算：Pz = Px*(l_t) + Py* t，其中 t代表发光二极管晶粒所发出的光线被荧光粉的吸收率。
7. 如权利要求5所述的发光二极管检测系统，其特征在于，所述计算装置根据合成光 谱计算发光二极管晶粒与荧光粉混合后的R、G、B三色光阵列值。
8. 如权利要求7所述的发光二极管检测系统，其特征在于，所述存储装置中存储有一 个标准的或期望的CIE坐标范围，然后确定发光二极管晶粒与荧光粉混合后的R、G、B三色 光阵列值是否位于该CIE坐标范围，若答案为"否"，则通过调整装置调整发光二极管所发 出光线与荧光粉所发出光线的比例直至所计算的R、G、B三色光阵列值位于标准的或期望 的CIE坐标范围内。
【文档编号】G01M11/00GK104236852SQ201310240514
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年6月18日 优先权日:2013年6月18日
【发明者】黄哲瑄 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司