材料识别的邻近感测的制作方法

技术特征：
1.一种材料-识别邻近感测装置，包括天线，其被设置用于发射射频信号；电容传感器，其被设置用于检测所述电容传感器的电容的变化，并设置用于接收所述射频信号；以及电量传感器，其被设置用于检测接收的射频信号的变化。2.根据权利要求1所述装置，还包括匹配网络，其被设置用于平衡天线的传输特性和低通滤波用来驱动所述天线的信号。3.根据权利要求1所述装置，其中所述电量传感器包括模数转换器，所述模数转换器被设置用于量化检测到的所述接收的射频信号的变化。4.根据权利要求1所述装置，其中所述电量传感器包括模数转换器，所述模数转换器被设置成以少于或等于发射的射频信号的载波频率的至少两倍的采样率来量化检测到的所述接收的射频信号的变化。5.根据权利要求4所述装置，其中所述模数转换器被设置用于量化检测到的所述电容传感器的电容的变化。6.根据权利要求5所述装置，其中所述模数转换器被设置用于输出所述接收的射频信号的时间复用读数和所述电容传感器的所述电容。7.根据权利要求1所述装置，其中所述电容传感器是设置为具有表面的导电材料。8.根据权利要求7所述装置，其中所述电容传感器的表面是平的。9.根据权利要求7所述装置，其中所述天线被设置成线圈，当为所述线圈提供能量时，所述线圈具有延伸穿过所述电容传感器的部分表面的电芯。10.根据权利要求7所述装置，其中当使用不平行于所述电容传感器的部分表面的投影轴来进行二维投影观察时，所述天线被设置成围绕所述电容传感器的内侧部分的位于基底上的一系列导电迹线。11.根据权利要求7所述装置，其中所述天线被设置成线圈，当为所述线圈提供能量时，所述线圈产生具有上波瓣和下波瓣的电场和磁场，所述上波瓣和下波瓣限定延伸穿过所述电容传感器的部分表面的轴。12.根据权利要求11所述装置，天线被设置成使用需要认证的FCC阈值以下的发射输出功率来发射射频信号。13.根据权利要求12所述装置，包括射频识别即RFID信号发生器，其被设置成将RFID信号与所述天线耦合，其中所述天线被设置成发射RFID射频信号，其中所述电容传感器被设置成接收所述RFID射频信号，并且其中所述电量传感器包括模数转换器，所述模数转换器被设置成输出所述接收的射频信号、所述接收的RIFD射频信号的时间复用读数和所述电容传感器的所述电容。14.一种材料-识别邻近感测系统，包括：天线，其被设置用于发射射频信号；电容传感器，被设置用于检测电容传感器的电容的变化并设置用于接收所述射频信号；电量传感器，其被设置用于检测所接收的射频信号的改变；和处理器，其被设置用于监控检测到的所述接收的射频信号的变化并响应于所述检测到的接收的射频信号的变化来确定是否发生有效的邻近检测。15.根据权利要求14所述系统，其中所述处理器被设置成监控检测的所述电容传感器的电容的变化，并响应于所述检测的电容传感器的电容的变化和所述检测的接收的射频信号的变化来确定是否发生有效的邻近检测。16.根据权利要求14所述系统，其中所述确定是否发生有效的邻近检测是响应于所述检测的接收的射频信号的变化与预定阈值的比较而进行的。17.一种材料-识别邻近感测的方法，包括：使用天线发射射频信号；检测电容传感器的电容的变化；使用所述电容传感器接收所述射频信号；检测接收的射频信号的变化；监控检测到的接收的射频信号的变化；和响应于所述检测到的接收的射频信号的改变来确定是否发生有效的邻近检测。18.根据权利要求17所述方法，包括：监控检测到的电容传感器的电容的变化；以及响应于检测到的电容传感器的电容的变化和检测到的接收的射频信号的变化来确定是否发生有效的邻近检测。19.根据权利要求18所述方法，其中确定是否发生有效的邻近检测是响应于检测到的变化与预定阈值的比较而进行的。20.根据权利要求17所述方法，包括使用模数转换器以少于或等于发射的射频信号的载波频率的至少两倍的采样率来量化所述检测到的接收的射频信号的变化。