霍尔传感器和感测方法
【专利摘要】霍尔传感器和感测方法。实施例涉及降低或消除偏移误差的多触点传感器装置和其操作方法。传感器装置可包括三个或更多个触点，并且多个这种传感器装置可被组合。传感器装置可包括霍尔传感器装置，或其它传感器类型。可实现用于多触点传感器装置的操作模式，其对传统的自旋电流原理提供了重要修改和改进，包括降低的残留偏移。在此处被称作Iu偏置的第一个这种操作模式中，传感器在全部操作阶段中被提供有相同的输入电流，并且所有操作周期的输出电压被感测和处理。在此处被称作Ui强制的另一操作模式中，传感器装置在全部操作阶段中被提供有相同的输入电压，感测端子被箝位（或者强制）到恒定电势，并且流入或者流出感测端子的电流被感测和处理。
【专利说明】霍尔传感器和感测方法
【技术领域】
[0001]本发明一般地涉及传感器并且更具体地涉及在霍尔传感器装置中的偏移抵消。
【背景技术】
[0002]磁场传感器，例如霍尔传感器，对磁场敏感，但是可能会遭受偏移误差。偏移误差是在缺少某输入量时存在输出信号。在与霍尔传感器相关的实例中，当实际上不存在磁场时，偏移误差将是表不输入磁场的输出信号。
[0003]偏移误差可与不同原因相关联，其中两个是原始偏移误差和残留偏移误差。原始偏移误差可以指代存在于特定操作阶段中的偏移误差。残留偏移误差可以指代存在于总的或者整个输出信号中的偏移误差，例如作为来自各个单独操作阶段的那些的组合的信号。
[0004]用于降低或者消除偏移误差的一个方法是使用多触点霍尔传感器。三触点或者四触点霍尔传感器可以以自旋电流型模式操作，其在多个时钟相位中改变触点的供给或感测作用，使得当来自多个时钟相位的信号被组合时降低任何偏移。即使这样，残留偏移误差可以保持比期望的更高，例如在大约I毫特斯拉(HlT)范围中。
[0005]因此，存在对改进的多触点霍尔传感器装置的需要。
【发明内容】
[0006]实施例涉及在多触点传感器装置中降低残留偏移。
[0007]在实施例中，传感器装置包括被配置成感测物理特性并且包括三个触点的至少一个传感器元件；和传感器电路，其被耦合到至少一个传感器元件并且被配置成在多个操作阶段中操作该至少一个传感器元件，使得在每个操作阶段中供给电流被注入到所述三个触点的作为供给触点的一个并且在所述三个触点的作为信号触点的第二个处测量电势，每个操作阶段具有作为供给触点和信号触点的三个触点的第一布置并且具有对应的操作阶段，其中与第一布置相比，三个触点的第二布置是作为供给触点和信号触点的所述三个触点的反向布置，并且传感器装置的输出与在多个操作阶段中在信号触点处测量的电势的组合相关，其中该多个包括每个操作阶段和对应的操作阶段。
[0008]在实施例中，传感器装置包括被配置成感测物理特性并包括三个触点的至少一个传感器元件；和传感器电路，其被耦合到所述至少一个传感器元件并被配置为在多个操作阶段中操作所述至少一个传感器元件，使得在每个操作阶段中第一和第二供给电势被分别施加到所述三个触点中的作为供给触点的两个并且供给电势中的一个被施加到所述三个触点中的作为信号触点的第三个，测量在所述三个触点中的第三个处的电流，并且传感器装置的输出与跨越所有操作阶段在信号触点处测量的电流的组合相关。
[0009]在实施例中，传感器装置包括被配置成感测物理特性并包括三个触点的至少一个传感器元件；和传感器电路，其被耦合到所述至少一个传感器元件并被配置成在多个操作阶段中操作该至少一个传感器元件，使得在每个操作阶段中第一和第二供给电势被分别施加到所述三个触点中的作为供给触点的两个并且在该多个操作阶段的每个中相同的被强制的电势(forced potential)被施加到所述三个触点中的作为信号触点的第三个,测量在所述三个触点的第三个处的电流，并且传感器装置的输出与在多个操作阶段中在信号触点处测量的电流的组合相关。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]考虑下面结合附图的本发明的各种实施例的详细描述，本发明可以被更加完全地理解，在附图中:
图1是根据实施例的传感器系统的框图。
[0011]图2A是根据实施例的在第一操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0012]图2B是根据实施例的在第二操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0013]图2C是根据实施例的在第三操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0014]图2D是根据实施例的在第四操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0015]图2E是根据实施例的在第五操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0016]图2F是根据实施例的在第六操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0017]图2G是图2A-2F的六个操作阶段的图。
[0018]图3A是根据实施例的在第一操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0019]图3B是根据实施例的在第二操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0020]图3C是根据实施例的在第三操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0021]图3D是根据实施例的在第四操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0022]图3E是根据实施例的在第五操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0023]图3F是根据实施例的在第六操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0024]图4A是根据实施例的在第一操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0025]图4B是根据实施例的在第二操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0026]图4C是根据实施例的在第三操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0027]图4D是根据实施例的在第四操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0028]图5A是根据实施例的在第一操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0029]图5B是根据实施例的在第二操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0030]图5C是根据实施例的在第三操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0031]图是根据实施例的在第四操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0032]图5E是根据实施例的在第五操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0033]图5F是根据实施例的在第六操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0034]图6A是根据实施例的在第一操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0035]图6B是根据实施例的在第二操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0036]图6C是根据实施例的在第三操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0037]图6D是根据实施例的在第四操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0038]图7是根据实施例的微分反馈电路的框图。
[0039]图8是对于Vf=OV的耦合到图6A的传感器装置的图7的电路的框图。
[0040]图9是根据实施例的电路的框图。
[0041]图10是对于二、四和六阶段实施例的残留偏移对比供给电压的曲线图。[0042]图1lA是根据实施例的具有多于三个触点的传感器装置的示意图。
[0043]图1lB是根据实施例的分别具有多于三个触点的被耦合的两个传感器装置的示意图。
[0044]图12是根据实施例的在第一操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0045]图13A是根据实施例的传感器元件的触点的框图。
[0046]图13B是根据实施例的传感器元件的触点的框图。
[0047]图14A是根据实施例的在第一操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0048]图14B是根据实施例的在第二操作阶段中的图14A的传感器装置的电路图。
[0049]图14C是根据实施例的在第三操作阶段中的图14A和14B的传感器装置的电路图。
[0050]图15A是根据实施例的在第一操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0051]图15B是根据实施例的在第一操作阶段中的传感器装置的电路图。
[0052]虽然本发明服从各种修改和替代形式，其细节已经由在附图中的实例被示出并且将被详细地描述。然而应该理解不旨在将本发明限制到描述的特定实施例。正相反，旨在覆盖落入由所附权利要求限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等同物、和替代物。
【具体实施方式】
[0053]实施例涉及可降低或消除偏移误差的多触点传感器装置和其操作方法。在实施例中，传感器装置可以包括三个或者更多个触点，并且多个这种传感器装置可被组合。传感器装置可以包括霍尔传感器装置，例如垂直霍尔装置，或者在实施例中的其它传感器类型。操作模式可被实施用于多触点传感器装置，所述多触点传感器装置提供包括降低的残留偏移的对传统的自旋电流原理的重要修改和改进。如前面提及的，偏移误差可以与不同原因相关，其中的两个是原始偏移误差和残留偏移误差。原始偏移误差可以指代存在于特定操作阶段中的偏移误差，而残留偏移误差可以指代存在于总的或者整个输出信号中的偏移误差，例如作为来自各个单独操作阶段的那些的组合的信号。因此，在多个操作阶段中的原始偏移误差可以被组合以生成不希望有的被增加的残留偏移误差或者部分地或完全地抵消原始偏移误差，使得残留偏移误差被减小或者被消除。
[0054]因此，在此处被称作Iu偏置的第一个这种操作模式中，在所有操作阶段中传感器被提供有相同的输入电流，并且所有操作周期的输出电压被感测和处理。在此处被称作Ui强制(U1-forcing)的另一个操作模式中，所述传感器装置在所有操作阶段中被提供有相同输入电压，感测端子被箝位(或者被强制)到恒定的电势，并且流入感测端子或者流出感测端子的电流被感测和处理。在每种模式中，实施例提供残留偏移的降低，其提供优于传统自旋电流和其它技术的优点。
[0055]参照图1，传感器系统10被描绘。传感器系统10包括耦合到电路101的传感器装置100。电路101可以包括开关电路，信号处理电路和其它电路以实现此处在下面讨论的各种阶段和/或模式以及系统10的其它功能。例如，在实施例中传感器装置100包括三触点装置，并且所述三个触点在第一操作模式的六个阶段的每个中分别与电力供给和输出信号不同地耦合。下面将关于至少两个这种操作模式:IU偏置和Ui强制来更详细地讨论这个和其它实施例。[0056]参照图2，Iu偏置操作模式将参照以截面描绘的并且具有三个触点102，104和106的传感器装置100被讨论。传感器装置100包括如在图中描绘的从顶部表面向下延伸到装置100中的响应于物理特性的有源区域，所述物理特性例如是磁场，温度，机械应力或者一些其它量。触点102，104和106被设置在顶部表面上与有源区域欧姆接触。可以在其它实施例中使用更多或者更少的触点，并且所述触点可在其它实施例中被另外布置。
[0057]在图2的实施例中，传感器装置100包括霍尔效应传感器装置，例如垂直霍尔装置，然而在其它实施例中传感器装置100可以包括一些其它类型的传感器。如在图2中描绘的，传感器装置100包括以截面描绘的垂直霍尔装置，其中有源霍尔区域从装置100的顶部表面延伸到合适深度并且包括在那个顶部表面上以及与有源霍尔区域欧姆接触的三个触点102，104和106。图2也包括传感器装置100的简化的等效电路图，并且Rl代表触点102和104的耦合或者触点102和104之间的电阻；R2代表触点104和106之间的耦合或者触点104和106之间的电阻；并且R3代表触点102和106之间的耦合或者触点102和106之间的电阻。在此处的实例中，考虑到装置100的对称，Rl和R2被假定成大约相等，但是因为容差，机械应力，电非线性和其它因素，可以具有相互间在大约1%到大约5%数量级的失配，而R3通常更大。标记“B+”的触点102，104或者106表明在这个触点处的信号随着磁场的增加而增加，而标记“B-”的触点表示相反的情况，即在那个触点处的信号随着磁场的增加而降低。
[0058]在实施例中，六个不同的操作阶段以改进的类似自旋电流的技术实现，其中触点102,104和106与电流供给，输出信号和例如地或者一些其它电势(例如，IV)的参考电势的耦合布置在每个阶段中变化。这些阶段中的每个将在下面被讨论，然而例如根据自旋电流顺序频率或者一些其它因素，在实施例中特定数字和阶段的相对次序可以变化。例如，阶段的相对次序可以被选择，使得在顺序操作阶段中的电压至少在感测端子处少量地改变，以避免需要放电的杂散电容的积累。因此，在实施例中阶段次序可以是阶段I和3，2和5，以及4和6，以避免例如改变在阶段之间(例如从阶段I到阶段2)的在所有触点处的电势。在其它实施例中，所述阶段可以是顺序时钟相位。
[0059]在图2A中，阶段I，第一触点102是供给触点，并且第三触点106是信号触点: U3_l = Ul_l * R2/(R2+R3)`,
并且
Ul_l = IO * Rl//(R2+R3)
使得
U3_l = 10*R1*R2/(R1+R2+R3),
其中Ul_l表不在第一阶段中在第一触点102处的电压，并且U3_l表不在第一阶段中在第三触点106处的电压(这个标记系统将在此通篇使用)。
[0060]在图2B中，阶段2，触点102，104和106被再耦合，使得第一触点102是信号触点，并且第二触点104是供给触点:
Ul_2 = U2_2 * R3/(R1+R3)
并且
U2_2 = IO * R2//(R1+R3)
使得Ul_2 = 10*R2*R3/(R1+R2+R3)。
[0061 ] 此处在这里和其它地方使用的记号“ Il ”表示两个电阻的并联连接，即 R1//R2 = R1*R2/(R1+R2)。
[0062]在图2C中，阶段3，第一触点102是信号触点，并且第三触点106是供给触点: Ul_3 = U3_3 * R1/(R1+R3)
并且
U3_3 = IO * R2//(R1+R3)
使得
Ul_3 = 10*R1*R2/(R1+R2+R3)。
[0063]在图2D中，阶段4，第二触点104是供给触点，并且第三触点106是信号触点: U3_4 = U2_4 * R3/(R2+R3)
并且
U2_4 = IO * Rl//(R2+R3)
使得
U3_4 = 10*R1*R3/(R1+R2+R3)。
[0064]在图2E中，阶段5，第一触点102是供给触点，并且第二触点104是信号触点: U2_5 = Ul_5 * R2/(R1+R2)
并且
Ul_5 = IO * R3//(R1+R2)
使得
U2_5 = 10*R2*R3/(R1+R2+R3)?
[0065]最后，在图2F中，阶段6，第二触点104是信号触点，并且第三触点106是供给触
占-
U2_6 = U3_6 * R1/(R1+R2)
并且
U3_6 = IO * R3//(R1+R2)
使得
U2_6 = 10*R1*R3/(R1+R2+R3)。
[0066]图2G总结了在六个阶段的每个中的操作模式。所述箭头表示从正到负的端子的当前流线。记号“ + ”和分别是如上面相对于“B+”和“B-”所讨论的。耦合到传感器装置100的信号处理电路101然后可以处理来自每个阶段的信号以得到有利结果。
[0067]例如，虽然U1_2_U3_4加倍磁场的贡献，但它未抵消所述偏移电压。U2_6_U2_5提供相同的结果。然而，看其它信号，如果从U3_l减去Ul_3，施加的磁场的贡献被加入，同时因为这些信号是相同的，即 U1_3=10*R1*R2/(R1+R2+R3)并且 U3_1=10*R1*R2/(R1+R2+R3)，所以偏置电压被抵消。换句话说，在装置100中的任何偏移对于每个阶段是相同的并且因此通过从一个减去另一个被去除。对于Ul_2-U2_5和U2_6-U3_4也是如此。注意，这通常适用于线性装置，而对于非线性装置其通常仅在逼近时是有效的。如果更多对信号被组合，该逼近是更精确的，使得有利的总信号是:
U_total = (U3_l - Ul_3) + (Ul_2 - U2_5) + (U2_6 - U3_4)=U3_l + Ul_2 + U2_6 - Ul_3 - U3_4 - U2_5。[0068]根据这个方程，六个操作阶段被分组在三个组中，每个组包括两个操作阶段。根据线性电路理论，在每个组中的偏移完全抵消，而在存在小的非线性的情况下，在每个组中的偏移仍然是小的但不同于零。而且，至少在线性情况下，显然电流不需要在所有六个操作阶段上是恒定的；对在每个组中的两个操作阶段都保持电流恒定就足够了，而它可不同于在所述三个组的其它组中的电流。因此，在实施例中以其中在每个组中的两个阶段在时间上是邻近的或者接近的顺序来实行不同操作阶段可以是有利的。实际上，虽然可以在实施例中通过顺序地立即执行组的阶段来最小化这些效果，但是热漂移，闪变噪声或者其它事件可以逐阶段地改变电流。
[0069]参照图3，Iu偏置方法可以被扩展用于多个多触点传感器装置，并且每一个的输出被不同地考虑。这可帮助降低电路101的信号处理电路所需要的精确程度，其在下面被更详细地讨论。因此，在实施例中可以使用两个三触点垂直霍尔传感器装置100和200，每个包括三个触点102，104，106并且具有差分输出电压。使用两个电流源，每个装置100和200 一个。期望电流源为相同的，然而如果不是，任何失配可以作为部分偏移消除被抵消。
[0070]参照图3A，在阶段I中，装置100如同其在上面参照图2讨论的单一装置实施例的阶段I中那样被操作，而装置200如同单个装置在阶段3中那样被操作。表示为U31_l的输出电压(数字指代装置100的第三触点(3)，装置200的第一触点(I)和阶段I (I))是两个装置100和200的输出电压之间的差，并且主值(prime value)指代装置200并且其它值指代装置100:
U31_l = U3_l -Ul_l，= 10*R1*R2/(R1+R2+R3) - 10，*R1’ *R2’ /(Rl，+R2’ +R3’)。
[0071]这降低原始偏移同时也加倍磁灵敏度。原始偏移是在单一操作阶段中在零输入磁场的输出信号。例如，对于R1=R2 =lkQ,R3=2kQ并且IO =ImA,装置100的原始偏移是U3_l=250mVo 对于 Rl’ =R2’ =1010 Ω, R3，=1900 Ω 和 10，=LOlmA,装置 100，的原始偏移是Ul_l’ =262.8mV。微分信号的原始偏移是U31_l=_12.8mV，其大致减小至二十分之一。
[0072]在图3B中描绘了阶段2，其中装置100如在图2的实施例的阶段2中那样被耦合并且装置200如在阶段4中那样被耦合。所述原始偏移输出U13_2是:
Li 13—2 - U] —2 一 U3—.2' — 10*R2*R3/{RHR2+R3) - K)'*RI '*R3'/(R I '+RT-R31。
[0073]参照图3C，在阶段3中，原始偏移输出电压U13_3是:
V13J:: VlJ — U3—3' = 10*RI *R2/(RI +R2-R3) - 10'^RI '*R2'/(RI '+R2R3')。
[0074]参照图3D，在阶段4中，原始偏移输出电压是:
U31 —4 — U3——4 - Ul —4' — 10*RI *R3/(R1+R2+R3) — 10'*R2^R3',iRl '+R2'+R31。
[0075]在图3E中描绘了阶段5的耦合布置，其中原始偏移输出电压是:
U22_5=U2_5 - U2_5，=10*R2*R3/(R1+R2+R3) - 10，*R1，*R3，/ (Rl，+R2，+R3’)。
[0076]在图3F中描绘了最终阶段，阶段6。原始偏移输出电压是:
U22_6=U2_6 -U2_6’ =10*R1*R3/(R1+R2+R3) - 10，*R2，*R3，/ (Rl，+R2，+R3’)。
[0077]如在图2的单一装置实施例中，阶段I和3之间的输出电压差(U31_l _U13_3)抵消所述偏移并且加倍磁灵敏度。对于阶段2和5 (U13_2-U22_5)和对于阶段4和6(U31_4-U22_6)也是如此。总的输出信号可以是这些子组合中的任何一个，然而可以通过组合它们中的至少两个或者全部三个来得到改进的结果。使用全部三个，总的输出信号Utotal 变成:
【权利要求】
1.一种传感器装置，包括: 至少一个传感器元件，其被配置成感测物理特性并且包括三个触点；和 传感器电路，其被耦合到所述至少一个传感器元件并且被配置成在多个操作阶段中操作该至少一个传感器元件，使得在每个操作阶段中供给电流被注入到所述三个触点的作为供给触点的一个并且在所述三个触点的作为信号触点的第二个处测量电势，每个操作阶段具有作为供给触点和信号触点的三个触点的第一布置并且具有对应的操作阶段，其中与第一布置相比，三个触点的第二布置是作为供给触点和信号触点的所述三个触点的反向布置，并且传感器装置的输出与在多个操作阶段中在信号触点处测量的电势的组合相关，其中该多个包括每个操作阶段和对应的操作阶段。
2.权利要求1的传感器装置，其中所述至少一个传感器元件包括霍尔传感器元件。
3.权利要求2的传感器装置，其中所述霍尔传感器元件是垂直霍尔传感器元件。
4.权利要求1的传感器装置，其中所述多个操作阶段包括至少两个操作阶段。
5.权利要求4的传感器装置，其中所述多个操作阶段包括至少六个操作阶段。
6.权利要求1的传感器装置，其中所述传感器元件包括响应于物理特性的有源区域，所述有源区域从所述传感器元件的第一表面延伸到所述传感器元件中。
7.权利要求6的传感器装置，其中所述三个触点被布置在传感器元件的第一表面上与所述有源区域欧姆接触。
8.权利要求6的传感器装置，其中所述有源区域响应于垂直或者平行于所述第一平面的磁场分量。
9.权利要求1的传感器装置，包括第一和第二传感器元件，其中所述传感器电路被配置为测量在所述第一传感器元件的信号触点和所述第二传感器元件的信号触点之间的电势，其中所述传感器装置的输出与在所述多个操作阶段中测量的电势的组合相关。
10.权利要求9的传感器装置，其中所述多个操作阶段包括至少两个操作阶段。
11.权利要求1的传感器装置，其中所述三个触点是第一触点，第二触点和第三触点，并且其中所述多个操作阶段包括下面组中的至少两个:组1，其中第一操作阶段包括作为供给触点的第一触点和作为信号触点的第三触点，并且第二操作阶段包括作为信号触点的第一触点和作为供给触点的第三触点；组2，其中第三操作阶段包括作为供给触点的第一触点和作为信号触点的第二触点，并且第四操作阶段包括作为信号触点的第一触点和作为供给触点的第二触点；以及组3,其中第五操作阶段包括作为供给触点的第二触点和作为信号触点的第三触点，并且第六操作阶段包括作为信号触点的第二触点和作为供给触点的第三触点。
12.权利要求1的传感器装置，其中在所述操作阶段和所述对应的操作阶段中供给电流的幅度是相同的。
13.—种传感器装置，包括: 至少一个传感器元件，其被配置为感测物理特性并且包括三个触点；以及 传感器电路，其被耦合到所述至少一个传感器元件并被配置为在多个操作阶段中操作所述至少一个传感器元件，使得在每个操作阶段中第一和第二供给电势被分别施加到所述三个触点中的作为供给触点的两个并且供给电势中的一个被施加到所述三个触点中的作为信号触点的第三个，测量在所述三个触点中的第三个处的电流，并且传感器装置的输出与跨越所有操作阶段在信号触点处测量的电流的组合相关。
14.权利要求13的传感器装置，其中所述至少一个传感器元件包括霍尔传感器元件。
15.权利要求14的传感器装置，其中所述霍尔传感器元件是垂直霍尔传感器元件。
16.权利要求13的传感器装置，其中所述多个操作阶段包括至少两个操作阶段。
17.权利要求16的传感器装置，其中所述多个操作阶段包括至少四个操作阶段。
18.权利要求13的传感器装置，其中所述多个操作阶段中的每个具有作为供给触点和信号触点的三个触点的第一布置，并且具有对应的操作阶段，其中与所述第一布置相比，所述三个触点的第二布置包括所述供给触点中的同一个供给触点，并且所述供给触点中的另一个和所述信号触点被反过来。
19.权利要求13的传感器装置，进一步包括第一和第二传感器元件，其中在每个操作阶段中的输出是在第一和第二传感器元件的信号触点处的电流的差，并且其中传感器装置的输出与每个操作阶段的输出的组合相关。
20.权利要求19的传感器装置，其中所述多个操作阶段包括至少四个操作阶段。
21.权利要求13的传感器装置，其中所述传感器元件包括响应于所述物理特性的有源区域，所述有源区域从所述传感器元件的第一表面延伸到传感器元件中。
22.权利要求21的传感器装置，其中所述三个触点被布置在所述传感器元件的第一表面上与所述有源区域欧姆接触。
23.权利要求21的传感器装置，其中所述有源区域响应于垂直或者平行于所述第一表面的磁场分量。
24.一种传感器装置，包括: 至少一个传感器元件，其被配置为感测物理特性并且包括三个触点；和 传感器电路，其被耦合到所述至少一个传感器元件并被配置成在多个操作阶段中操作该至少一个传感器元件，使得在每个操作阶段中第一和第二供给电势被分别施加到所述三个触点中的作为供给触点的两个并且在该多个操作阶段的每个中相同的被强制的电势被施加到所述三个触点中的作为信号触点的第三个，测量在所述三个触点的第三个处的电流，并且传感器装置的输出与在多个操作阶段中在信号触点处测量的电流的组合相关。
25.权利要求24的传感器装置，其中所述多个操作阶段包括至少三个操作阶段，使得在第一操作阶段中所述三个触点的第一个是信号触点，在第二操作阶段中所述三个触点的第二个是信号触点，并且在第三操作阶段中所述三个触点的第三个是信号触点。
26.权利要求24的传感器装置，其中所述多个操作阶段包括至少六个操作阶段，使得在第一操作阶段中所述三个触点的第一个是信号触点，所述第一供给电势被提供到所述三个触点的第二个，并且所述第二供给电势被提供到所述三个触点中的第三个；在第二操作阶段中所述三个触点的第一个是信号触点，所述第二供给电势被提供到所述三个触点的第二个，并且所述第一供给电势被提供到所述三个触点的第三个；在第三操作阶段中所述三个触点的第二个是信号触点，所述第一供给电势被提供到所述三个触点的第一个，并且第二供给电势被提供到所述三个触点的第三个；在第四操作阶段中所述三个触点的第二个是信号触点，所述第二供给电势被提供到所述三个触点的第一个，并且所述第一供给电势被提供到所述三个触点的第三个；在第五操作阶段中所述三个触点的第三个是信号触点，所述第一供给电势被提供到所述三个触点的第一个，并且所述第二供给电势被提供到所述三个触点的第二个；并且在第六操作阶段中所述三个触点的第三个是信号触点，所述第二供给电势被提供到所述三个触点的第一个，并且所述第一供给电势被提供到所述三个触点的第二个。
27.权利要求26的传感器装置，其中所述第一，第二，第三，第四，第五和第六操作阶段在数字次序方面不是相继的。
28.权利要求24的传感器装置，其中所述至少一个传感器元件包括霍尔传感器元件。
29.权利要求28的传感器装置，其中所述霍尔传感器元件是垂直霍尔传感器元件。
30.权利要求24的传感器装置，其中所述传感器元件包括响应于物理特性的有源区域，所述有源区域从所述传感器元件的第一表面延伸到所述传感器元件中。
31.权利要求30的传感器装置，其中所述三个触点被布置在所述传感器元件的所述第一表面上与所述有源区域欧姆接触 。
32.权利要求30的传感器装置，其中所述有源区域响应于与所述第一表面垂直或者平行的磁场分量。
33.权利要求24的传感器装置，进一步包括第一和第二传感器元件，其中在所述多个操作阶段的每个中，施加到第一和第二传感器元件的每个的所述第一和第二供给电势是相同的，所述多个操作阶段的任何一个的输出与在第一和第二传感器元件的信号触点处测量的电流的差相关，并且所述传感器装置的输出与跨越所述多个操作阶段的差的组合相关。
34.权利要求33的传感器装置，其中施加到所述第一和第二传感器元件的每个的被强制的电势是相同的。
【文档编号】G01R33/07GK103576102SQ201310319841
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年7月26日 优先权日:2012年7月26日
【发明者】U.奥塞勒奇纳 申请人:英飞凌科技股份有限公司