空隙配置构造体以及使用其的测定方法

空隙配置构造体以及使用其的测定方法
【专利摘要】本发明是一种空隙配置构造体，其被用于以下方法，即通过对保持有被测定物的空隙配置构造体照射电磁波，并对通过所述空隙配置构造体而散射的电磁波的频率特性进行检测，从而测定所述被测定物的特性，所述空隙配置构造体具有：第1主面、与所述第1主面对置的第2主面、以及在与所述第1主面以及所述第2主面垂直的方向上贯通的多个空隙部，所述第1主面上的所述空隙部的开孔面积比所述第2主面上的所述空隙部的开孔面积小。
【专利说明】空隙配置构造体以及使用其的测定方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及被用于被测定物的测定的空隙配置构造体以及使用其的测定方法。

【背景技术】
[0002]以往，为了分析物质的特性，使用以下测定方法:将被测定物保持在空隙配置构造体，对保持有该被测定物的空隙配置构造体照射电磁波，解析其透射光谱等来检测被测定物的特性。具体来讲，例如举例有:对附着在金属网眼上的蛋白质等被测定物照射太赫兹波，并解析透射光谱的手法。
[0003]作为这种使用了电磁波的透射光谱的解析手法的现有技术，例如，在专利文献
I(特开2007-010366号公报)中，公开了一种向保持有被测定物的空隙配置构造体(例如，网限状的导体板)照射电磁波，对透过了空隙配置构造体的电磁波进行测定，基于测定值的频率特性根据被测定物的存在而变化，来检测被测定物的特性的方法。
[0004]另外，根据图18(b)等的记载，专利文献I中公开的空隙配置构造体假定空隙部的开口面积的表面与里面基本相同，形成空隙部的内壁面与空隙配置构造体的主面所成的角度为大致90度。
[0005]在这种情况下，若被测定物的量少，则频率特性的变化极小，检测变得困难。因此，依然希望提供用于实现测定灵敏度更优良的测定的测定设备。
[0006]在先技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特开2007-010366号公报


【发明内容】

[0009]本发明的目的在于，提供一种用于实现测定灵敏度比以往更加优良的测定的空隙配置构造体以及使用其的测定方法。
[0010]-解决课题的手段-
[0011]本发明如下。
[0012](I) 一种空隙配置构造体，其被用于以下方法，即通过对保持有被测定物的空隙配置构造体照射电磁波，并对在所述空隙配置构造体散射的电磁波的频率特性进行检测，从而测定所述被测定物的特性，其特征在于，
[0013]所述空隙配置构造体具有--第I主面、与所述第I主面对置的第2主面、以及在与所述第I主面以及所述第2主面垂直的方向上贯通的多个空隙部，
[0014]所述第I主面上的所述空隙部的开孔面积比所述第2主面上的所述空隙部的开孔面积小。
[0015](2)根据上述⑴的空隙配置构造体，所述空隙配置构造体的第I主面与所述空隙部的至少一个内壁所成的角度为锐角。
[0016](3)根据上述(I)或者(2)的空隙配置构造体，所述第2主面上的所述空隙部的开孔面积相对于所述第I主面上的所述空隙部的开孔面积的比率为1.02?2.5。
[0017](4)根据上述(I)?(3)的任意一个的空隙配置构造体，所述第I主面上的所述空隙部的开孔是所述被测定物不能通过的大小，所述第2主面上的所述空隙部的开孔是所述被测定物能够通过的大小。
[0018](5)根据上述(I)?(4)的任意一个的空隙配置构造体，所述空隙部的内壁具有凹部。
[0019](6) 一种测定方法，通过对保持有被测定物的空隙配置构造体照射电磁波，并对在所述空隙配置构造体散射的电磁波的频率特性进行检测，从而测定所述被测定物的特性，
[0020]该测定方法使用上述(I)的空隙配置构造体。
[0021](7) 一种测定方法，通过对保持有被测定物的空隙配置构造体照射电磁波，并对在所述空隙配置构造体散射的电磁波的频率特性进行检测，从而测定所述被测定物的特性，
[0022]该测定方法使用上述(2)的空隙配置构造体，在该空隙配置构造体的所述第I主面的附近保持所述被测定物。
[0023](8) 一种测定方法，通过对保持有被测定物的空隙配置构造体照射电磁波，并对在所述空隙配置构造体散射的电磁波的频率特性进行检测，从而测定所述被测定物的特性，
[0024]该测定方法使用上述(2)的空隙配置构造体，在该空隙配置构造体的所述第2主面的附近保持所述被测定物。
[0025](9) 一种测定方法，使用上述(4)的空隙配置构造体，通过使所述被测定物从所述空隙配置构造体的所述第2主面侧向所述第I主面的方向移动，从而将所述被测定物保持在所述空隙配置构造体的至少一部分的所述空隙部。
[0026]-发明效果-
[0027]本发明的空隙配置构造体具有空隙部，该空隙配置构造体的第I主面上的空隙部的开孔面积比第2主面上的相同空隙部的开孔面积小。因此，在空隙配置构造体的第I主面与空隙部的内壁相接的部分附近，电磁场集中。其结果，由于空隙配置构造体的第I主面与空隙部的内壁相接的部分附近的被测定物的有无所导致的检测电磁波的频率特性的变化变大，因此测定灵敏度提高。

【专利附图】

【附图说明】
[0028]图1是用于对本发明的测定方法的概要进行说明的示意图。
[0029]图2是用于对本发明中使用的空隙配置构造体的结构进行说明的示意图。
[0030]图3是图2的P-P’剖面处的示意剖视图。
[0031]图4是表示实施例1中的空隙配置构造体的设置状态的示意图。
[0032]图5是表示通过实施例1得到的透射光谱的图。

【具体实施方式】
[0033]首先，使用图1对本发明的测定方法的一例的示意进行说明。图1是示意性地表示用于本发明的测定方法的测定装置的一例的整体结构的图。该测定装置对通过将从激光器
2(例如，短脉冲激光)照射的激光照射于半导体材料而产生的电磁波(例如，具有20GHz?120THz频率的太赫兹波)脉冲加以利用。
[0034]在图1的结构中，通过半透半反镜20将从激光器2出射的激光分支为2个路径。一方面，照射到电磁波产生侧的光传导元件71，另一方面，通过使用多个反射镜21 (同样功能的部件省略付与编号)，经由时间延迟工作台26，照射到接收侧的光传导元件72。作为光传导元件71、72，能够使用在LT-GaAs (低温生长GaAs)形成具备间隙部的偶极天线(diploeantenna)的一般性部件。此外，作为激光器2，能够使用光纤型激光器、使用了钛宝石等固体的激光器等。进一步地，在电磁波的产生、检测中，也可以在没有天线的情况下使用半导体表面，或者使用ZnTe结晶的各种电光学结晶。这里，通过电源3，对作为产生侧的光传导元件71的间隙部施加适当的偏置电压。
[0035]产生出的电磁波通过抛物面反射镜22成为平行波束，并通过抛物面反射镜23，照射到空隙配置构造体I。透过了空隙配置构造体I的太赫兹波通过抛物面反射镜24、25，被光传导兀件72接收。被光传导兀件72接收的电磁波信号在通过放大器(amplifier) 6而被增幅之后，通过锁相放大器(lock-1n amplifier)4而被获取为时间波形。然后，在通过包含计算单元的PC (个人计算机)5，进行了傅立叶变换等信号处理之后，计算空隙配置构造体I的透过率光谱等。为了被锁相放大器4获取，则通过振荡器8的信号，对施加在产生侧的光传导元件71的间隙的来自电源3的偏置电压进行调制(振幅5V?30V)。由此，通过进行同步检波，能够使S/N比提高。
[0036]以上所说明的测定方法是一般被称为太赫兹时间区域分光法(THz-TDS)的方法。另外，除了 THz-TDS，也可以使用傅立叶变换红外分光法(FT-1R)。
[0037]在图1中，表示散射透射的情况，即对电磁波的透过率进行测定的情况。在本发明中，所谓“散射”，是指包含作为前方散射的一方式的透射、作为后方散射的一方式的反射等的广义的概念，优选是透射、反射。更优选是O次方向的透射、O次方向的反射。
[0038]另外，一般来讲，在将衍射光栅的光栅间隔设为S，将入射角设为i，将衍射角设为Θ，将波长设为λ时，通过衍射光栅而被衍射的光谱可以表示为
[0039]s (sin i_sin θ ) = η λ...(I)
[0040]上述“O次方向”的O次是指上述式⑴的η为O的情况。由于s以及λ不能为O,因此η = O成立的只能是sin 1-sin θ = O的情况。因此,上述“O次方向”是指入射角与衍射角相等时，也就是说电磁波的行进方向不变的方向。
[0041]本发明中使用的电磁波只要是根据空隙配置构造体的结构能够产生散射的电磁波即可，并不被特别限定，能够使用电波、红外线、可见光线、紫外线、X射线、伽马射线等任意一个，其频率也不被特别限定，但优选是IGHz?ΙΡΗζ，更优选是具有20GHz?200THz频率的太赫兹波。
[0042]电磁波能够使用例如，具有规定的极化方向的直线偏振光的电磁波(直线极化)、无偏振光的电磁波(无极化)。作为直线偏振光的电磁波，举例有例如:以短脉冲激光器为光源，通过ZnTe等电光学结晶的光整流效应而产生的太赫兹波、从半导体激光器出射的可见光、从光传导天线放射的电磁波等。作为无偏振光的电磁波，举例有:从高压水银灯、陶瓷灯放射的红外光等。
[0043]在本发明中，所谓对被测定物的有无或者量进行测定，是指进行作为被测定物的化合物的定量，举例有例如:对溶液中等的微量被测定物的含有量进行测定的情况、进行被测定物的鉴定的情况等。
[0044](空隙配置构造体)
[0045]本发明的空隙配置构造体的特征在于具有:第I主面；与第I主面对置的第2主面、以及在与第I主面以及第2主面垂直的方向上贯通的多个空隙部，
[0046]所述第I主面中的所述空隙部的开孔面积比所述第2主面中的所述空隙部的开孔面积小。
[0047]例如，多个该空隙部被周期性地配置在空隙配置构造体的主面上的至少一个方向。但是，空隙部可以全部被周期性地配置，也可以在不损害本发明的效果的范围内，一部分的空隙部被周期性地配置，其他的空隙部被非周期性地配置。
[0048]空隙配置构造体优选是准周期构造体、周期构造体。所谓准周期构造体，是指虽然不具有并排对称性但是排列上保持秩序性的构造体。作为准周期构造体，例如，作为一维准周期构造体举例有斐波那契结构、作为二维准周期构造体举例有Penrose结构。所谓周期构造体，是指具有以并排对称性为代表的各种空间对称性的构造体，根据其对称的维度，分类为一维周期构造体、二维周期构造体、三维周期构造体。一维周期构造体举例有例如，线栅结构、一维衍射光栅等。二维周期构造体举例有例如，网孔过滤器、二维衍射光栅等。在这些周期构造体中，二维周期构造体被适当地使用。
[0049]作为二维周期构造体，举例有例如，图2所示的空隙部以一定的间隔配置为矩阵状的板状构造体(栅格状构造体)。图2(a)所示的空隙配置构造体I从其主面1a侧来看，是正方形的空隙部11在与该正方形的各边平行的2个排列方向(图中的纵向和横向)上以相等的间隔被设置的板状构造体。
[0050]空隙配置构造体的第I主面与空隙部的至少一个内壁所成的角度优选是锐角。这里，所谓“至少一个内壁”，是指构成空隙部的内壁的面中的一个。因此，不仅存在空隙配置构造体的第I主面与内壁相交的部分是尖的的情况，在该部分也可以形成R(曲面)。另外，通过形成R，能够抑制该部分的破损等，能够使空隙配置构造体的强度提高。
[0051]作为这种特定的剖面处的空隙部的剖面形状，虽然并不特别限定，但举例有例如:梯形、大致梯形的形状。若设为其它的表现，则例如举例有，从空隙配置构造体的第I主面侧(开孔面积小的一侧)向第2主面侧(开孔面积大的一侧)，上述空隙部变宽的形状。另夕卜，空隙配置构造体的第I主面与空隙部的至少一个内壁所成的角度例如能够通过观察与空隙构造体的主面垂直的剖面来确认。
[0052]针对图2所示的本发明的空隙配置构造体的一个例子，在图3中表示图2的P-P’剖面处的示意剖视图。如图3所示，空隙部的剖面形状几乎为梯形。这里，空隙配置构造体I的第I主面(图3的上侧)的空隙部11的孔尺寸dl比第2主面(图的下侧)的空隙部
11的孔尺寸d2小。也就是说，空隙配置构造体I的第I主面1al上的空隙部11的开孔面积比空隙配置构造体I的第2主面10a2上的相同空隙部11的开孔面积小。
[0053]第2主面上的空隙部的开孔面积相对于第I主面上的空隙部的开孔面积的比率(开孔面积比率)优选为1.02?2.5。由于若该开孔面积比率变大，则需要缩小第I主面的开孔，因此空隙配置构造体整体的电磁波的透过率降低。由于透过率的降低导致测定精度的降低，因此为了将透过率的降低率的变化量抑制在大约10%以下，需要将上述开孔面积比率设为2.5以下。另外，该关系例如是对于第I主面的孔尺寸为1.8 μ m、第2主面的孔尺寸为1.8μπι(比率为1:1)的空隙配置构造体，在将从第2主面侧的法线方向照射电磁波时的透过率光谱中的最大透过率设为初始值(100% )时，分析下述空隙配置构造体的同样的最大透过率相对于上述初始值的比率)与此时的开孔面积比率之间的关系而得到的，其中，该空隙配置构造体使第I主面的孔尺寸在1.3?1.8 μ m的范围变化，使第2主面的孔尺寸在1.8?2.3μπι的范围。此外，若开孔面积比率小于1.02，则测定灵敏度的提高很小(误差范围内)，不能达到本发明的效果。
[0054]此外，优选第I主面上的空隙部的开孔是被测定物不能通过的大小，第2主面上的空隙部的开孔是被测定物能够通过的大小。在该情况下，通过使被测定物从空隙配置构造体的第2主面侧向第I主面的方向移动(例如，使其流动)，能够将被测定物保持在空隙配置构造体的至少一部分的空隙部，能够在空隙部内稳定地捕捉被测定物并进行测定。
[0055]此外，在图3所示的与空隙配置构造体I的第I主面1al垂直的剖面(Ρ_Ρ’剖面)，空隙配置构造体I的第I主面1al与空隙部11的内壁Ila所成的角度Ψ为锐角。
[0056]在空隙配置构造体I的空隙部11的形状如此的情况下，在空隙配置构造体I的第I主面1al与空隙部11的内壁Ila相接的部分附近，能够使照射的电磁波的电磁场的局部增大。其结果，由于空隙配置构造体的第I主面与空隙部的内壁相接的部分附近的被测定物的有无所导致的检测电磁波的频率特性的变化变大，因此能够使测定灵敏度提高。也就是说，即使在被测定物的量少的情况下，也能够进行高灵敏度的测定。
[0057]其中，由于在将被测定物保持在开孔面积大的第2主面附近的情况下，成为在电磁场的漏磁大的区域进行测定，因此得到另一优点，即也能够测定更大的被测定物。
[0058]优选空隙部11的内壁Ila具有凹部。换言之，优选内壁Ila构成为向空隙部11的外侧描绘鼓起的曲线。由此，更容易在空隙部11内捕捉被测定物。
[0059]空隙配置构造体的空隙部的尺寸、配置、空隙配置构造体的厚度等并未被特别限制，根据测定方法、空隙配置构造体的材质特性、使用的电磁波的频率等而被适当地设计。
[0060]例如，在如图2(a)所示那样，有规则地纵横配置有空隙部的空隙配置构造体I中，图2(b)中由d所示的空隙部的孔尺寸(电磁波被照射一侧的开孔部的尺寸)优选为用于测定的电磁波的波长的十分之一以上、10倍以下。这样，散射的电磁波的强度变得更强，更容易检测信号。具体的孔尺寸优选为0.15?150μπι，从测定灵敏度提高的观点出发，优选孔尺寸为0.9?9μπι。
[0061]此外，空隙部的被照射电磁波一侧的开孔面积优选为0.0225?22500 μ m2，更优选为 0.81 ?81 μ m2。
[0062]此外，在如图2(a)所示那样，有规则地纵横配置有空隙部的空隙配置构造体I中，图2(b)中由s所示的空隙部的栅格间隔(间距)优选为用于测定的电磁波的波长的十分之一以上、10倍以下。这样，更容易产生散射。具体的栅格间隔优选为0.15?150 μ m，从测定灵敏度提高的观点出发，优选栅格间隔为1.3?13μπι。
[0063]此外，空隙配置构造体的厚度优选为用于测定的电磁波的波长的5倍以下。这样，散射的电磁波的强度变得更强，更容易检测信号。
[0064]这里，虽然根据被测定物的介电常数、形状，照射的电磁波的最佳波长(得到高测定灵敏度的波长)有所不同，但例如在被测定物是平板状的试料的情况下，一般若介电常数相同，则存在被测定物的厚度越薄，照射的电磁波的最佳波长越短的趋势，据此，缩小电磁波被照射的一侧的栅格间隔、空隙部的开孔面积，能够得到更高的测定灵敏度。此外，例如在被测定物为粒子状的试料的情况下，一般若介电常数相同，则存在被测定物的粒径越小，照射的电磁波的最佳波长越短的趋势，据此，缩小电磁波别照射的一侧的栅格间隔、空隙部的开孔面积，能够得到更高的测定灵敏度。
[0065]空隙配置构造体的整体尺寸并未被特别限定，根据照射的电磁波的射束点的面积等而被决定。
[0066]优选空隙配置构造体的至少一部分的表面由导体形成。所谓空隙配置构造体I的至少一部分的表面，是指图2(a)所示的主面10a、侧面10b、空隙部的内壁Ila中的任意一个的一部分表面。
[0067]这里，所谓导体，是指让电通过的物体(物质)，不仅是金属，也包含半导体。作为金属，能够举例有:能够与具有羟基、硫醇基、羧基等官能团的化合物的官能团偶合的金属、能够将羟基、胺基等官能团涂敷在表面的金属、以及这些金属的合金。具体来讲，举例有:金、银、铜、铁、镍、铬、硅、锗等，优选为金、银、铜、镍、铬，更优选为金、镍。在使用金、镍的情况下，特别是在主分子具有硫醇基(-SH基)的情况下，由于使用该硫醇基能够使主分子与空隙配置构造体的表面偶合，因此有利。此外，在使用镍的情况下，特别是在主分子具有甲硅烷基的情况下，由于使用该甲硅烷基，能够使主分子与空隙配置构造体的表面偶合，因此有利。此外，作为半导体，例如举例有:IV族半导体^66等)、I1-VI族半导体(ZnSe、CdS、ZnO等)、II1-V族半导体(GaAs、InP、GaN等)、IV族化合物半导体(SiC、SiGe等)、1-1I1-VI族半导体(CuInSe2等)等化合物半导体、有机半导体。
[0068]在本发明中，作为将被测定物保持在空隙配置构造体的方法，能够使用各种公知的方法，例如，可以直接附着在空隙配置构造体，也可以经由支撑膜等来附着。从提高测定灵敏度、通过抑制测定的差别来进行再现性高的测定的观点出发，优选使被测定物直接附着在空隙配置构造体的表面。
[0069]作为使被测定物直接附着在空隙配置构造体的情况，不仅包含在空隙配置构造体的表面与被测定物之间直接形成化学键等的情况，也包含对于预先在表面偶合主分子的空隙配置构造体，将该主分子与被测定物偶合的情况。作为化学键，举例有:共价键(例如，金属-硫醇基之间的共价键等)、范德瓦尔键、离子键、金属键、氢键等，优选为共价键。此外，所谓主分子，是指能够奇特地与被测定物键合的分子等，作为主分子与被测定物的组合，例如举例有:抗原与抗体、糖链与蛋白质、脂质与蛋白质、低分子化合物(配合基)与蛋白质、蛋白质与蛋白质、单链DNA与单链DNA等。
[0070]在本发明的测定方法中，基于与如上所述那样求出的空隙配置构造体中散射的电磁波的频率特性相关的至少一个参数，被测定物的特性被测定。例如，在空隙配置构造体I中，基于前方散射(透过)的电磁波的频率特性所产生的波谷波形、后方散射(反射)的电磁波的频率特性所产生的波峰波形等根据被测定物的存在而变化，能够测定被测定物的特性。
[0071]这里，所谓波谷波形，是指在检测出的电磁波相对于照射的电磁波的比率(例如，电磁波的透过率)相对大的频率范围，在空隙配置构造体的频率特性(例如，透过率光谱)被部分看到的谷型(向下凸)部分的波形。此外，所谓波峰波形，是指在检测出的电磁波相对于照射的电磁波的比率(例如，电磁波的反射率)相对小的频率范围，在空隙配置构造体的频率特性(例如，反射率光谱)被部分看到的山型(向上凸)波形。
[0072]实施例
[0073]下面，举例实施例来更详细地说明本发明，但本发明并不仅限于这些。
[0074](实施例1)
[0075]作为空隙配置构造体，使用图2所示的具有各种正方形孔的正方栅格排列的空隙配置构造体。栅格间隔为260 μ m(s)，厚度为60 μ m(t)。此外，该空隙配置构造体中的空隙部的形状如图3所示，图2的P-P’剖面处的空隙部的剖面形状几乎是梯形。此外，第I主面1al侧的孔尺寸dl为160 μ m，第2主面1a两侧的孔尺寸d2为200 μ m。
[0076]对于使膜厚为4 μ m、复数折射率的实部为1.55、复数折射率的虚部为O的平行平板试料(被测定物)与空隙配置构造体I的第I主面1al侧紧贴，针对从第I主面1al侧(图3的Z轴的箭头方向)照射电磁波的情况，求出电磁波的透过率光谱。
[0077]计算是针对在隔着600 μ m的间隔而配置的2枚板91、92的中间设置有空隙配置构造体I的模型(参照图4)，使用电磁场模拟装置(Micro-stripes:CST社制)来进行的。被照射在空隙配置构造体I的电磁波的偏振光是直线偏振光(与图2的Y轴平行)，行进方向是Z轴的箭头方向。此外，空隙配置构造体I被配置为其主面与电磁波的行进方向(Z轴方向)垂直(也就是说，图4的Θ = 0度)。
[0078]图5中表示通过计算而得出的透过率光谱。图5的实线是在空隙配置构造体未保持被测定物的情况下的透过率光谱，虚线是在空隙配置构造体保持被测定物的情况下的透过率光谱。在图5中，透过率光谱中出现波峰的频率的差(频率偏移量)为30.8IGHz0
[0079](比较例I)
[0080]作为比较例1，是针对空隙配置构造体I的第I主面1al侧的孔尺寸dl与第2主面1a两侧的孔尺寸d2相同的情况(dl = d2的情况:空隙部的剖面形状为长方形的情况)，与实施例1同样地，使用电磁场模拟装置来求出透过率光谱。另外，针对dl以及d2都是160 μ m的情况、都是180 μ m的情况、都是200 μ m的情况这3种情况，求出未保持被测定物的情况与保持被测定物的情况下的透过率光谱(未图示)，并求出频率偏移量。
[0081]其结果，dl以及d2都是160 μ m的情况下的频率偏移量为29.0OGHz，都是180 μ m的情况下的频率偏移量为29.91GHz，都是200 μ m的情况下的频率偏移量为28.09GHz。
[0082]根据实施例1以及比较例I的结果可知，由于空隙配置构造体的第I主面上的开孔面积与第2主面上的开孔面积不同，因此频率偏移量变大，测定灵敏度提高。此外，根据实施例1以及比较例I的结果可知，由于空隙配置构造体的第I主面与空隙部的内壁所成的角度为锐角，因此频率偏移量变大，测定灵敏度提高。
[0083]应该认为这次公开的实施方式以及实施例的全部方面都是示例，并不限定于此。本发明的范围包含不是上述所说明的，而是通过权利要求所示的、与权利要求均等的含义以及范围内的所有变更。
[0084]-符号说明-
[0085]I空隙配置构造体，1a主面，1al第I主面，10a2第2主面，1b侧面，1c外周，11空隙部，Ila内壁，2激光器，20半透半反镜，21反射镜，22、23、24、25抛物面反射镜，26时间延迟工作台，3电源，4锁相放大器，5PC(个人计算机)，6放大器，71、72光电导元件，8振荡器，91、92板。
【权利要求】
1.一种空隙配置构造体，其被用于以下方法，即:通过对保持有被测定物的空隙配置构造体照射电磁波，并对在所述空隙配置构造体散射的电磁波的频率特性进行检测，从而测定所述被测定物的特性，所述空隙配置构造体的特征在于， 具有:第I主面、与所述第I主面对置的第2主面、以及在与所述第I主面以及所述第2主面垂直的方向上贯通的多个空隙部， 所述第I主面上的所述空隙部的开孔面积比所述第2主面上的所述空隙部的开孔面积小。
2.根据权利要求1所述的空隙配置构造体，其中， 所述空隙配置构造体的第I主面与所述空隙部的至少一个内壁所成的角度为锐角。
3.根据权利要求1或者2所述的空隙配置构造体， 所述第2主面上的所述空隙部的开孔面积相对于所述第I主面上的所述空隙部的开孔面积的比率为1.02?2.5。
4.根据权利要求1?3的任意一项所述的空隙配置构造体， 所述第I主面上的所述空隙部的开孔是所述被测定物不能通过的大小，所述第2主面上的所述空隙部的开孔是所述被测定物能够通过的大小。
5.根据权利要求1?4的任意一项所述的空隙配置构造体， 所述空隙部的内壁具有凹部。
6.一种测定方法，通过对保持有被测定物的空隙配置构造体照射电磁波，并对在所述空隙配置构造体散射的电磁波的频率特性进行检测，从而测定所述被测定物的特性，其中 该测定方法使用权利要求1所述的空隙配置构造体。
7.一种测定方法，通过对保持有被测定物的空隙配置构造体照射电磁波，并对在所述空隙配置构造体散射的电磁波的频率特性进行检测，从而测定所述被测定物的特性，其中， 该测定方法使用权利要求2所述的空隙配置构造体，在该空隙配置构造体的所述第I主面的附近保持所述被测定物。
8.一种测定方法，通过对保持有被测定物的空隙配置构造体照射电磁波，并对在所述空隙配置构造体散射的电磁波的频率特性进行检测，从而测定所述被测定物的特性，其中， 该测定方法使用权利要求2所述的空隙配置构造体，在该空隙配置构造体的所述第2主面的附近保持所述被测定物。
9.一种测定方法，其中， 使用权利要求4所述的空隙配置构造体，通过使所述被测定物从所述空隙配置构造体的所述第2主面侧向所述第I主面的方向移动，从而将所述被测定物保持在所述空隙配置构造体的至少一部分的所述空隙部。
【文档编号】G01N21/3586GK104380083SQ201380032034
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2013年7月3日 优先权日:2012年7月27日
【发明者】近藤孝志, 神波诚治, 小川雄一 申请人:株式会社村田制作所