一种全硅结构的微机电系统真空传感器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种全硅结构的微机电系统真空传感器，载体（1）的中心设有通孔（2），载体（1）一侧的外侧设有芯片架Ⅰ（3），载体（1）另一侧的外侧设有芯片架Ⅱ（4），载体（1）一侧的内侧设有电极片Ⅰ（5），载体Ⅱ（2）另一侧的内侧设有电极片Ⅱ（6），芯片架Ⅰ（3）与芯片架Ⅱ（4）之间横向设有电极片Ⅲ（7），电极片Ⅲ（7）覆盖在电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）的上部，电极片Ⅲ（7）与电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）相对，电极片Ⅲ（7）与电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）之间设有真空层（8），电极片Ⅲ（7）的上部设有感应片（9），感应片（9）的中心设有弹性元件（10）。
【专利说明】一种全硅结构的微机电系统真空传感器
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种全硅结构的微机电系统真空传感器。
【背景技术】
[0002]目前的真空传感器的电极片采用普通的电极片，它不但耐热性能比较差，无法满足真空灭弧室产生的900°C的高温，，而且无法产生气体阻尼，从而真空度的测量范围比较小。
【发明内容】
[0003]本实用新型提供了一种全硅结构的微机电系统真空传感器，它不但可以使真空度的测控I昂范围大，而且可以耐高温，不放气，避免出现破坏真空度的现象。
[0004]本实用新型采用了以下技术方案:一种全硅结构的微机电系统真空传感器，它设有真空传感器的主体，所述的真空传感器的主体设有载体，在载体的中心设有通孔，在载体一侧的外侧设有芯片架I，在载体另一侧的外侧设有芯片架II，芯片架I与芯片架II对称设置，在载体一侧的内侧设有电极片I，在载体II另一侧的内侧设有电极片II，电极片I与电极片II对称设置在通孔的两侧与通孔相邻，在芯片架I与芯片架II之间横向设有电极片III，电极片III覆盖在电极片1、通孔和电极片II的上部，电极片III与电极片1、通孔和电极片II相对，在电极片III与电极片1、通孔和电极片II之间设有真空层，在电极片III的上部设有感应片，在感应片的中心设有弹性元件。
[0005]所述的电极片I为多晶硅。所述的电极片II为多晶硅。所述的电极片III为多晶硅。所述的弹性元件为上窄下宽的梯形，弹性元件为弹片。
[0006]本实用新型具有以下有益效果:采用了以上技术方案，本实用新型在电极片III与电极片和电极片II之间设有真空层，这样在电极片III与电极片I以及电极片III与电极片II设有气隙，气隙形成强烈的气体阻尼，利用气压与气体运动阻尼的关系，从气体阻尼的衰减特性既可以测量谐振腔的真空度，测量范围10—2— 12Pa,从而可以满足真空断路器10—2 — 1-1Pa真空测量范围的要求，而且电极片I为多晶硅，电极片II为多晶硅，电极片III为多晶硅，这样在测量时经受真空灭弧室制造的900°c的高温，不放气，直接埋入真空灭弧室，实现对真空灭弧室真空度的直接测量，信号采用电容耦合和无线传输，在埋入真空灭弧室时不会破坏真空度，满足埋入真空灭弧室的要求。本实用新型感应片的中心设有弹性元件，弹性元件为上窄下宽的梯形，弹性元件为弹片，这样弹片与真空断路器内设有的振荡器相对应进行真空度的检测，无需穿过绝缘外壳的直接的电极引线，采用无线传输，使用更加安全方便。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]在图1中，本实用新型提供了一种全硅结构的微机电系统真空传感器，是它设有真空传感器的主体，所述的真空传感器的主体设有载体I，在载体I的中心设有通孔2，在载体I 一侧的外侧设有芯片架I 3，在载体I另一侧的外侧设有芯片架II 4，芯片架I 3与芯片架II 4对称设置,在载体I 一侧的内侧设有电极片I 5,电极片I 5为多晶娃,在载体II 2另一侧的内侧设有电极片II 6,电极片II 6为多晶娃，电极片I 5与电极片II 6对称设置在通孔2的两侧与通孔2相邻，在芯片架I 3与芯片架II 4之间横向设有电极片III 7，电极片III7为多晶硅，电极片III7覆盖在电极片I 5、通孔2和电极片II 6的上部，电极片III 7与电极片I 5、通孔2和电极片II 6相对，在电极片III 7与电极片I 5、通孔2和电极片II 6之间设有真空层8，在电极片III7的上部设有感应片9，在感应片9的中心设有弹性元件10，弹性元件10为上窄下宽的梯形，弹性元件10为弹片。
【权利要求】
1.一种全硅结构的微机电系统真空传感器，其特征是它设有真空传感器的主体，所述的真空传感器的主体设有载体(1)，在载体(I)的中心设有通孔(2)，在载体(I) 一侧的外侧设有芯片架I (3)，在载体(I)另一侧的外侧设有芯片架II (4)，芯片架I (3)与芯片架II⑷对称设置，在载体⑴一侧的内侧设有电极片I (5)，在载体II⑵另一侧的内侧设有电极片II (6)，电极片I (5)与电极片II (6)对称设置在通孔(2)的两侧与通孔(2)相邻，在芯片架I (3)与芯片架II (4)之间横向设有电极片III (7)，电极片III (7)覆盖在电极片I (5)、通孔⑵和电极片II (6)的上部，电极片III (7)与电极片I (5)、通孔⑵和电极片II (6)相对，在电极片III (7)与电极片I (5)、通孔⑵和电极片II (6)之间设有真空层(8)，在电极片III (7)的上部设有感应片(9)，在感应片(9)的中心设有弹性元件(10)。
2.根据权利要求1所述的全硅结构的微机电系统真空传感器，其特征是所述的电极片I(5)为多晶娃。
3.根据权利要求1所述的全硅结构的微机电系统真空传感器，其特征是所述的电极片II(6)为多晶娃。
4.根据权利要求1所述的全硅结构的微机电系统真空传感器，其特征是所述的电极片III(7)为多晶硅。
5.根据权利要求1所述的全硅结构的微机电系统真空传感器，其特征是所述的弹性元件(10)为上窄下宽的梯形，弹性元件(10)为弹片。
【文档编号】G01L21/16GK204142415SQ201420210417
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年4月28日 优先权日:2014年4月28日
【发明者】戴永正, 陈厚源, 顾宇锋, 钱雨, 孟宪忠, 刘波 申请人:国家电网公司, 江苏南瑞泰事达电气有限公司, 江苏省电力公司, 江苏省电力公司泰州供电公司