一种基于exb841芯片的改进型过流故障识别电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种驱动电路，尤其是一种基于EXB841芯片的改进型过流故障识别电路。它包括EXB841芯片、光耦合器、比较器、第一三极管和第二三极管；光耦合器的阳极通过第一电阻连接有24V直流电源、阴极连接EXB841芯片的第五引脚、Vcc端脚通过第二电阻和第四电阻连接第一三极管的集电极、Vo端脚通过第五电阻连接第一三极管的基极，第二电阻与光耦合器的Vo端脚之间还连接有第三电阻；比较器的同相输入端与第一三极管的集电极连接，反相输入端通过第二可调电阻、第八电阻和第七电阻连接于第一三极管的输出端，第七电阻通过第一稳压管和第九电阻连接于第二三极管的基极，第二三极管的集电极通过第十电阻与第二可调电阻连接。本实用新型电路结构简单，具有很强的实用性。
【专利说明】—种基于EXB841芯片的改进型过流故障识别电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种驱动电路，尤其是一种基于EXB841芯片的改进型过流故障识别电路。
【背景技术】
[0002]众所周知，EXB841芯片是一种典型的适用于300A以下的IGBT的专用驱动电路，具有单电源、正负偏压、过流检测、保护、软关断等主要特性，在国内外得到了广泛应用，但在中高频逆变电路的实际应用中却存在一些不足，导致IGBT的误导通或误关断，严重影响了设备的稳定性与可靠性。
[0003]EXB841芯片的内部与应用电路(如图1所示)在应用到大功率臭氧电源时，电源系统极易出现故障，具体表现为:因强电磁干扰的存在，致使EXB841芯片在电流较小时就产生虚假过流的故障报警，使得设备无法正常运行。
[0004]因此，有必要对其提出改进方案，以解决其在应用于大功率臭氧电源时所产生的问题。
实用新型内容
[0005]针对上述现有技术中存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种电路结构简单，能够有效消除因使用传统驱动电路所出现的虚假过流保护现象，保证臭氧电源系统的稳定性的基于EXB841芯片的改进型过流故障识别电路。
[0006]为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案:
[0007]一种基于EXB841芯片的改进型过流故障识别电路，它包括EXB841芯片，它还包括光耦合器、比较器、第一三极管和第二三极管；
[0008]所述光耦合器的阳极通过第一电阻连接有24V直流电源、阴极连接EXB841芯片的第五引脚、Vcc端脚通过依次串联的第二电阻和第四电阻连接第一三极管的集电极、Vo端脚通过第五电阻连接第一三极管的基极并通过第二电容接地，所述第二电阻与光耦合器的Vo端脚之间还连接有第三电阻；
[0009]所述比较器的同相输入端与第一三极管的集电极连接，反相输入端通过依次串联的第二可调电阻、第八电阻和第七电阻连接于第一三极管的输出端并通过第六电阻接地，所述第七电阻通过第三电容接地并通过依次串联的第一稳压管和第九电阻连接于第二三极管的基极，所述第二三极管的集电极通过第十电阻与第二可调电阻连接、发射极接地；
[0010]所述EXB841芯片的第五引脚与第四引脚之间连接有第一可调电阻、第四引脚与第九引脚之间连接有第一电容。
[0011]优选地，所述光耦合器为6N136型光耦，所述比较器为LM319型高速比较器。
[0012]优选地，所述第二三极管的集电极还连接有SG3525型PWM控制芯片，所述第二三极管的集电极与PWM控制芯片的第十端脚连接。
[0013]由于采用了上述方案，本实用新型电路结构简单，对虚假电流具有很强的识别功能能，利于将整个电路应用于大功率臭氧发生电源上，彻底消除了使用典型驱动电路时在极小电流时的虚假过流报警问题，增强了电源系统的稳定性和可靠性；其具有很强的实用性和市场推广价值。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1是现有技术中EXB841芯片的内部电路及典型应用电路的电路结构图；
[0015]图2是本实用新型实施例的电路结构图。
【具体实施方式】
[0016]以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
[0017]如图2所示并结合图1，本实施例的基于EXB841芯片的改进型过流故障识别电路，它包括EXB841芯片、6N136型光耦合器、LM319型比较器、第一三极管VOl和第二三极管V02 ;其中，光耦合器的阳极通过第一电阻ROl连接有24V直流电源、阴极连接EXB841芯片的第五引脚、Vcc端脚通过依次串联的第二电阻R02和第四电阻R04连接第一三极管VOl的集电极、Vo端脚通过第五电阻R05连接第一三极管VOl的基极并通过第二电容C02接地，第二电阻R02与光耦合器的Vo端脚之间还连接有第三电阻R03 ;同时，比较器的同相输入端与第一三极管VOl的集电极连接，反相输入端通过依次串联的第二可调电阻Rw2、第八电阻R08和第七电阻R07连接于第一三极管VOl的输出端并通过第六电阻R06接地，第七电阻R07通过第三电容C03接地并通过依次串联的第一稳压管VsOl和第九电阻R09连接于第二三极管V02的基极，第二三极管V02的集电极通过第十电阻RlO与第二可调电阻Rw2连接、发射极接地；另外，在EXB841芯片的第五引脚与第四引脚之间连接有第一可调电阻Rwl、第四引脚与第九引脚之间连接有第一电容C01。
[0018]进一步，第二三极管V02的集电极还连接有SG3525型PWM控制芯片，第二三极管V02的集电极与PWM控制芯片的第十端脚连接。
[0019]本实施例的电路基于以下原理形成，如图2所示并参考图1:当EXB841芯片的第六引脚检测到过流故障发生时，EXB841芯片进入软关断过程，其内部电路(C3、R6)将会产生约3微秒的延时，若3微秒后过流依然存在，其第五引脚输出的低电平将作为过流故障指不信号，光稱合器导通，第一三极管VOl截止，比较器输出高电平,第三电容C03通过第七电阻R07充电,若比较器输出持续高电平时间大于设定保护时间(一般为5微秒)，第三电容C03的充电电压将达到击穿第一稳压管VsOl的电压，使EXB841芯片的第九引脚所接的第二稳压管Vs02饱和导通并输出低电平，触发后接R-S触发器锁定过流指示信号，由R-S触发器的前级控制电路(如送至SG3525的第十引脚)封锁PWM脉冲信号和实现故障保护动作。若是虚假过流，则在第二稳压管Vs02饱和导通前，EXB841芯片的第五引脚电平将恢复为高电平，不会触发R-S触发器动作，整个电路恢复到正常状态。
[0020]EXB841芯片的软关断时间是由其内部的R7和C4的时间常数决定的，为提高软关断的可靠性，在EXB841芯片的第四引脚和第五引脚之间加入了第一可调电阻Rwl，以实现缩短软关断时间的目的；同时在EXB841芯片第四引脚与第九引脚之间连接了第一电容COl，以以避免出现过高的di/dt产生的电压尖峰。
[0021]以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的【技术领域】，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【权利要求】
1.一种基于EXB841芯片的改进型过流故障识别电路，它包括EXB841芯片，其特征在于:它还包括光稱合器、比较器、第一三极管和第二三极管； 所述光耦合器的阳极通过第一电阻连接有24V直流电源、阴极连接EXB841芯片的第五引脚、Vcc端脚通过依次串联的第二电阻和第四电阻连接第一三极管的集电极、Vo端脚通过第五电阻连接第一三极管的基极并通过第二电容接地，所述第二电阻与光耦合器的Vo端脚之间还连接有第三电阻； 所述比较器的同相输入端与第一三极管的集电极连接，反相输入端通过依次串联的第二可调电阻、第八电阻和第七电阻连接于第一三极管的输出端并通过第六电阻接地，所述第七电阻通过第三电容接地并通过依次串联的第一稳压管和第九电阻连接于第二三极管的基极，所述第二三极管的集电极通过第十电阻与第二可调电阻连接、发射极接地； 所述EXB841芯片的第五引脚与第四引脚之间连接有第一可调电阻、第四引脚与第九引脚之间连接有第一电容。
2.如权利要求1所述的一种基于EXB841芯片的改进型过流故障识别电路，其特征在于:所述光耦合器为6N136型光耦，所述比较器为LM319型高速比较器。
3.如权利要求1或2所述的一种基于EXB841芯片的改进型过流故障识别电路，其特征在于:所述第二三极管的集电极还连接有SG3525型PWM控制芯片，所述第二三极管的集电极与PWM控制芯片的第十端脚连接。
【文档编号】G01R19/165GK204166046SQ201420597308
【公开日】2015年2月18日 申请日期:2014年10月15日 优先权日:2014年10月15日
【发明者】张志彬 申请人:张志彬