微流体器件的制作方法
【专利摘要】在此公开的实施例涉及一种微流体器件，该微流体器件包括：喷嘴板，包括电介质层、衬底层和喷嘴；腔室本体，所述腔室本体包括半导体衬底、在所述半导体衬底之上的电介质层、以及在所述电介质层之上的半导体层；腔室，至少部分地形成在所述半导体层中并且由所述喷嘴板所覆盖，所述腔室与所述喷嘴流体连通；流体入口，包括穿过所述腔室本体并且与所述腔室流体连通的孔口。
【专利说明】
微流体器件
技术领域
[0001 ]实施例涉及微流体递送器件。
【背景技术】
[0002]微流体递送器件通常用于液体分配应用中，诸如在喷墨打印机中分配墨水。微流体递送系统可以包括诸如贮存器之类的流体保持结构，以及诸如微流体递送器件之类的递送结构。流体保持结构和递送结构均与流体直接接触以用于分配。这些结构通常由包括聚合物的有机材料制成。
[0003]许多墨水或其他流体与这些聚合物材料是不兼容的。在基于聚合物的微流体递送器件使用不兼容的墨水和其他流体、特别是有机流体可以引起对这些器件的过早损坏，并且可以减少其使用寿命。例如，有机流体可以侵蚀聚合物结构并且改变递送器件的尺寸。这可以使得递送器件的效率和精确度随着时间变化而降低。此外，流体可以与聚合物结构反应，弱化或者另外损坏了结构。流体也可以拾取来自聚合物结构的污染物，这对于流体具有不希望的效应。
【实用新型内容】
[0004]鉴于上述内容，在此公开的一个或多个实施例涉及一种包括与广泛流体组群具有兼容性的结构的微流体递送器件。在一些实施例中，微流体递送器件被设计为使得有机聚合物无法与所分配的流体接触。
[0005]根据本公开的一个方面，提供一种微流体器件，包括:喷嘴板，包括电介质层、衬底层和喷嘴;腔室本体，所述腔室本体包括半导体衬底、在所述半导体衬底之上的电介质层、以及在所述电介质层之上的半导体层;腔室，至少部分地形成在所述半导体层中并且由所述喷嘴板所覆盖，所述腔室与所述喷嘴流体连通;流体入口，包括穿过所述腔室本体并且与所述腔室流体连通的孔口。
[0006]可选地，所述腔室包括顶部、底部和侧壁；以及所述腔室顶部是所述喷嘴电介质层的表面，所述腔室的所述底部是所述腔室电介质层的表面；以及所述侧壁的至少一部分包括所述半导体层的一部分。
[0007]可选地，所述半导体层是外延多晶硅的层，并且所述半导体衬底是硅衬底。
[0008]可选地，所述喷嘴电介质层和所述腔室电介质层包括二氧化硅。
[0009]可选地，所述腔室电介质层包括下部电介质层和上部电介质层、以及在它们之间的埋设硅布线，所述埋设硅布线包括加热部分以及互连部分。
[0010]可选地，所述加热部分是多晶硅材料，并且所述互连部分是硅化物材料。
[0011 ]可选地，进一步包括:接合焊盘;加热器；以及沟槽，在所述腔室本体中，将所述接合焊盘与所述腔室本体电隔离。
[0012]可选地，所述喷嘴板包括在所述接合焊盘之上的焊盘接入结构。
[0013]可选地，进一步包括:腔室本体接合环，形成在所述腔室本体的所述半导体层的上表面上，以及喷嘴板接合环，形成在所述喷嘴电介质层的下表面上，所述腔室本体接合环接合至所述喷嘴板接合环。
[0014]根据本公开的另一方面，提供一种微流体器件，包括:喷嘴板，包括电介质层、衬底层和喷嘴，所述电介质层位于所述衬底层的表面上;腔室本体，包括在半导体层中的开口，所述腔室本体耦合至所述喷嘴板;腔室，由所述腔室本体中的所述开口与所述喷嘴板所限定，所述腔室被配置用于保持流体；以及流体入口，由穿过所述腔室本体的开口所界定，所述喷嘴通过所述腔室与所述流体入口流体连通。
[0015]可选地，进一步包括，在所述腔室本体中的加热器部件，所述加热器部件被配置用于加热所述腔室中的流体以通过所述喷嘴排出流体。
[0016]可选地，所述加热器部件面向所述喷嘴。
[0017]可选地，所述半导体材料包括硅。
[0018]可选地，所述腔室本体包括硅衬底、在所述硅衬底之上的电介质层、以及在所述电介质层之上的娃层。
[0019]可选地，所述腔室本体通过金属接合焊盘被耦合至所述喷嘴板。
[0020]通过使用根据本公开的实施例的技术方案，可以克服【背景技术】部分中描述的缺陷中的至少一部分，并且获得相应的技术效果。
【附图说明】
[0021]当结合附图时从以下详细说明书将使得本公开的前述和其他特征及优点如变得更好理解一样更易于知晓。
[0022]图1是根据本公开一个实施例的流体腔室的示意截面图；以及
[0023]图2A—图21是根据本公开一个实施例的在制造工艺不同阶段处图1的流体腔室的示意图。
【具体实施方式】
[0024]在以下说明书中，阐述某些特定细节以便于提供对本公开各个实施例的彻底完整理解。然而，本领域技术人员将理解的是，本公开可以不采用这些具体细节而实施。在其他情形中，并未详细描述与电子部件、半导体制造和MEMS制造相关联的已知结构以避免不必要地模糊本公开实施例的描述说明。
[0025]说明书全文中涉及“一个实施例”或“一实施例”意味着结合实施例所述的特定特征、结构或特性包括在至少一个实施例中。因此，说明书全文中各个地方出现的短语“在一个实施例中”或“在一实施例中”并非必须均涉及相同的实施例。此外，特定的特征、结构或特性可以以任何合适的方式组合在一个或多个实施例中。
[0026]如在本说明书和所附权利要求中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数形式，除非上下文明确给出相反指示。也应该注意的是，术语“或”通常以包括“和/或”的含义而采用，除非上下文明确给出相反指示。
[0027]在附图中，等同的附图标记标识相似的元件或动作。附图中元件的尺寸和相对位置无需按照比例绘制。
[0028]参照图1，示出了微流体递送器件100。总体而言，配置微流体递送器件100以接收来自流体贮存器165的流体，并且分配或排出少量所接收的流体。可以用于微流体递送器件100中的流体包括但不限于墨水、香水、医药流体、以及任何其他可分配流体。该递送器件的一个用途是喷墨打印机头。其他潜在用途包括用于香水或用于医疗应用的喷雾器，诸如吸入器，以及其他液体分配应用。
[0029 ] 微流体递送器件100包括喷嘴板110和腔室本体150。喷嘴板110包括可以由硅晶片或玻璃形成的衬底层112，以及可以为氧化物沉积(诸如氧化硅)的电介质层114。喷嘴板110也包括喷嘴120和焊盘接入开口 115，均形成作为延伸穿过喷嘴板110的开口。
[0030]腔室本体150包括硅衬底152。第一电介质层154和第二电介质层156均位于硅衬底152上。第一电介质层154和第二电介质层156可以包括氧化娃。
[0031]腔室本体150进一步包括导电互连部件160，其在一个实施例中是埋设的多晶硅布线。导电互连部件160耦合至加热器部件162，在一个实施例中是非硅化的多晶硅。加热器部件162布置在喷嘴下方在第一电介质层154和第二电介质层156之间。
[0032]第二电介质层156在至少一个位置处具有开口158以在此提供导电路径至导电互连部件160和加热器部件162。在开口 158处是去往导电互连部件160的电接触159。
[0033]外延硅生长层170形成在第二电介质层156的顶部上。就此而言，形成了绝缘体上硅(SOI)结构。流体腔室172位于第二电介质层153之上，其中由外延硅生长层170界定侧壁。流体腔室172的侧表面174形成在外延硅生长层170中。
[0034]腔室本体150的底表面包括耦合至贮存器165的流体入口164。流体入口 164与流体腔室172和流体贮存器165流体连通。就此而言，流体入口 164使得贮存器165与流体腔室172流体连通。
[0035]流体入口164是延伸穿过硅衬底层152以及第一电介质层154和第二电介质层156的穿通开口。腔室本体150也可以包括在外延层170中的沟槽175。沟槽175可以辅助电隔离接合焊盘180和从围绕流体腔室172的结构穿过外延层170和互连部件160至加热器部件162的导电路径。
[0036]在外延硅生长层170的顶部上是接合环182、184以及接合焊盘180。接合焊盘180是如本领域已知的导电层。接合焊盘可以配置用于容纳用于在器件100外提供电耦合的导电引线。接合焊盘180提供了穿过外延层170和互连部件160去往加热器部件162的电连通。
[0037]喷嘴板110和腔室本体150由流体紧密密封的一个或多个接合层而相互接合。特别地，位于电介质层114上的喷嘴接合环181、183接合至位于外延层170上的腔室接合环182、184。在一些实施例中，接合环181、182、183、184是金层，并且通过热压工艺在焊盘之间形成接合，如以下详细所述的那样。
[0038]喷嘴板110形成流体腔室172的上表面。当腔室本体150和喷嘴板110接合在一起以形成微流体器件100时，流体腔室172通过喷嘴板110的喷嘴120与器件100外部的环境而流体连通。
[0039]如上所述，流体腔室172的侧壁主要形成在外延层170中。流体腔室172的底表面173是电介质层156的顶表面。流体腔室侧壁174也可以包括接合环181、182、183、184。腔室116的顶表面是喷嘴板110的电介质层114的底表面。在一个实施例中，流体腔室172从顶表面116至底表面173具有10 — 50微米的深度。
[0040]尽管流体腔室172主要地形成在外延层170中，可以理解，流体腔室可以形成在其他类型的半导体层中。
[0041]加热器部件162位于喷嘴120下方与腔室底部173邻接，并且配置用于加热在流体腔室172内的流体。通过加热流体，加热器部件162使得流体腔室172中的流体通过喷嘴120喷入外部环境中。特别地，加热器部件162蒸发流体以形成泡沫。形成泡沫的膨胀使得液滴形成并且从喷嘴120喷出。
[0042]可以基于器件的所需性能属性而选择加热器部件162的尺寸和位置。在一些实施例中，加热器部件162位于与喷嘴120相对并且在其下方的流体腔室的底表面处。以下将更详细讨论喷嘴板110、腔室本体150和它们组合成为微流体器件100的形成的具体细节。
[0043]如上所述，对于微流体器件100的一个潜在用途是在医疗应用中。与医疗应用相关联的流体是范围广阔的，并且包括有机流体、无机流体，以及可以具有不同范围化学和反应属性的各种流体。用于形成微流体器件100的材料、以及特别是用于形成微流体器件100的接触流体的部分的材料并不包含有机聚合物，并且与广泛的流体集合兼容。例如，在一些实施例中，晶片或衬底层112、152由硅或玻璃制成，电介质层154、156、114是氧化硅，环181、182、183、184是金，并且外延层170是外延多晶硅。所有这些材料与广泛的流体(包括有机流体)兼容。
[0044]图2A—图21示出了根据本公开一个实施例的、用于形成图1中微流体器件的方法的各个阶段。图2A—图2D中示出了腔室本体的形成，参照图2D讨论喷嘴板的形成，以及参照图2F—图21讨论用于形成微流体器件的喷嘴板和腔室本体的接合。
[0045]参照图2A，以未完成的状态示出了腔室本体150。腔室本体包括衬底层152，可以是诸如硅之类的半导体材料。衬底层152也可以掺杂具有所需导电类型，P-型或者N-型。在一个实施例中，衬底层152近似700微米厚。
[0046]第一电介质层154形成在衬底层152上。可以使用任何沉积方法形成第一电介质层154。在一个实施例中，使用热氧化形成电介质层，并且电介质层包括氧化硅，诸如二氧化娃。第一电介质层154也可以是碳化物或其他惰性介质材料。
[0047]第一导电层230沉积在第一电介质层154的一部分上。在一个实施例中，第一导电层230可以具有近似与喷嘴(诸如图2H的喷嘴120)的直径相同的宽度。第一导电层230可以具有在近似0.2和I微米之间的厚度。在一些实施例中，诸如图2A中所示的实施例，第一导电层230具有在0.4微米至10nm之间的厚度。可以使用化学气相沉积形成第一导电层230。在一些实施例中，使用低压化学气相沉积形成第一导电层230。第一导电层230或其一部分形成了加热器部件162。
[0048]在一个实施例中，第一导电层230是多晶硅。多晶硅具有相对高的薄膜电阻Rs，使其与低薄膜电阻材料相比阻抗了电流的流动。就此而言，在一个实施例中，加热器部件162是多晶硅。当电流流过加热器部件162的相对较高电阻的多晶硅时，产生了热量。
[0049]在一些实施例中，整个第一导电层230用作加热器可能是并不期望的。因此，第一导电层230的非加热器部分经由硅化工艺改变为硅化物，并且形成了用于承载电流至加热器部件162的导电互连部件160。就此而言，导电互连部件160具有低电阻率，而加热部件162具有尚电阻率。
[0050]在一个实施例中，导电互连部件160经受硅化工艺，诸如钨或钛的硅化。在图2B中所示的实施例中，导电互连部件160是多晶硅化钨。
[0051]以此方式，导电互连部件160促进了电流从接合焊盘180流动，参见图2D，并且流过加热器部件162。
[0052]第二电介质层156形成在第一电介质层154、加热器部件162以及导电互连部件160之上，由此绝缘了加热器部件162和导电互连部件160。可以使用任何沉积方法形成第二电介质层156。在一个实施例中，使用低压化学气相沉积形成第二电介质层156。第二电介质层156也可以是碳化物或其他惰性电介质材料。
[0053]现在参照图2C，形成了穿过第二电介质层156的开口，从而暴露了接触159。可以使用各种形成穿过第二电介质层156的开口的方法，包括刻蚀步骤，其可以包括干法刻蚀和/或湿法刻蚀或者第二介质的局部沉积。在备选实施例中，第二电介质层156沉积具有开口158。
[0054]外延硅生长层形成在第二电介质层156之上并且与接触159接触。图2C的外延硅生长层170是硅的晶体层，例如多晶硅。外延硅生长层170可以是10至50微米厚，优选地大约15微米厚。
[0055]在形成了外延硅生长层170之后，其可以经受平坦化步骤。平坦化步骤平坦化了外延硅生长层170的上表面171，从而形成了基本上平坦的平面。硅生长层170的平坦上表面171促进了腔室本体150与喷嘴板的接合，参见例如图2F。可以使用任何已知的外延硅的平坦化方法。在一个实施例中，化学机械抛光工艺(已知为CMP工艺)可以用于将外延硅生长层170的上表面171平坦化为基本上平坦的平面。使用CMP工艺，通过旋转外延硅生长层170的上表面171、以及通过在硅石基碱性膏剂的存在下在抵接抛光衬垫的压力下将整个腔室本体150延展而平坦化了外延硅生长层170的上表面171。
[0056]参照图2D，接合环182、184以及接合焊盘180形成在外延硅生长层170的上表面171上。接合环182、184以及接合焊盘180可以包括阻挡层、籽晶层以及金电镀层。
[0057]难熔金属(诸如钛、钨、钽)的氮化物可以用在阻挡层中以防止在外延硅生长层170与接合环182、184和接合焊盘180材料之间的扩散。籽晶层用于提供用于使得金电镀层成籽或粘附其上的结构。籽晶层可以是通过电子束蒸发、低压化学气相沉积或其他方法形成的网格层。在阻挡层上形成了籽晶层之后，金层可以电镀至腔室本体150上以促进环182、184与接合焊盘180的接合。
[0058]通过刻蚀或其他可接受的半导体处理技术在外延硅生长层170中形成流体腔室172和沟槽175。已知的刻蚀技术，包括湿法刻蚀、干法刻蚀或者湿法与干法刻蚀的组合是可控的，并且适用于刻蚀流体腔室172。刻蚀的深度穿过外延硅生长层170的整个深度。
[0059]参照图2E，示出并讨论喷嘴板110的形成。与腔室本体150相同，喷嘴板110包括衬底层112。衬底层可以是任何衬底材料，诸如半导体衬底或玻璃。在一些实施例中，衬底层112在大约100和大约800微米厚之间。
[0000]在衬底层112上形成电介质层114。可以使用任何沉积方法形成电介质层114，以用于形成得到与微流体器件中待使用的流体兼容的介质层的氧化硅衬底。在该实施例中，使用热氧化形成电介质层，并且电介质层包括二氧化硅。电介质层114也可以是碳化物或其他惰性介质材料。
[0061]在电介质层114的下表面111上形成接合环181、183。接合环182、184由阻挡层、籽晶层和电镀金层构成。
[0062]通过刻蚀或其他可接受的半导体处理技术穿过电介质层114并且至少部分地穿过衬底层112形成喷嘴120。已知的刻蚀技术(包括湿法刻蚀、干法刻蚀、或者湿法和干法刻蚀的组合)是可控的并且适用于在电介质层114和衬底层112中刻蚀喷嘴120。
[0063]参见图2F—图2H，用于接入访问已组装微流体器件100的焊盘180的区域也可以刻蚀进入喷嘴板110中。例如，通过湿法和/或干法刻蚀或者其他可接受半导体处理技术穿过电介质层114并且至少部分地穿过衬底112形成焊盘接入点115。
[0064]可选地，喷嘴板110的衬底层112可以是具有埋氧层113的类似绝缘体上硅的晶片。埋氧层113在两侧边上均由硅层围绕。类似绝缘体上硅的结构可以提供更精确地对喷嘴定形。在具有埋氧层113的实施例中，可以穿过电介质层114并且至少部分地穿过衬底层112至埋氧层113而形成喷嘴120。
[0065]现在参照图2F，示出了喷嘴板110与腔室本体150的接合。通过分别喷嘴板110与环181、183接合、以及腔室本体150与环182、184接合而接合喷嘴板110和腔室本体150。
[0066]在具有金接合环182、184、181、183的实施例中，可以使用热压接合方法将喷嘴板110和腔室本体150接合在一起。在该方法中，喷嘴板110和腔室本体150在高热量下挤压在一起以分别将金接合环182、184、181、183接合在一起。尽管金接合环和热压工艺是将喷嘴板110和腔室本体150接合在一起的优选方法，可以使用任何其他可接受的接合结构和方法。
[0067]随着喷嘴板110和腔室本体150接合在一起，实现了流体腔室172。流体腔室172的底部由第二电介质层156的上表面所限制。流体腔室172的顶部由喷嘴板110的电介质层114的下表面所限制。流体腔室172的侧边由外延硅生长层170和接合环182、184、181、183所限制。
[0068]现在参照图2G，示出了微流体器件100的流体入口形成以及背面研磨的实施例。使用机械抛光工艺研磨微流体器件100的背面155以实现均匀表面并且减小微流体器件100的总厚度。
[0069]在研磨背面155之后，可以形成流体入口164。穿过衬底层152以及第一电介质层154和第二电介质层156形成流体入口 164以将未示出的流体贮存器165与流体腔室172连接。穿过衬底层152以及第一电介质层154和第二电介质层156形成流体入口 164的已知方法包括刻蚀步骤，诸如干法刻蚀或湿法刻蚀，其中掩模屏蔽并未被刻蚀的第二电介质层156的图案，并且随后刻蚀用于形成接触159的路径。在优选实施例中，使用深反应离子刻蚀工艺穿过衬底层152以及第一电介质层154和第二电介质层156形成流体入口 164。深反应离子刻蚀工艺良好的适用于在衬底中形成深并且高深宽比的特征，诸如形成流体入口 164。
[0070]现在参照图2H，示出了用于对微流体器件100的埋氧层进行正面研磨和刻蚀的实施例。衬底层112的起始厚度可以在100和800微米之间。在一些实施例中，衬底层112厚度减小至在大约10和大约100微米之间。
[0071]在其中衬底层112并不包括埋氧层113的实施例中，可以使用机械研磨工艺研磨衬底层112以实现均匀表面并且减小衬底层112的、以及接着减小微流体器件100的总厚度。可以执行对衬底层112的研磨，直至喷嘴120穿过衬底层112的剩余厚度并且将流体腔室172与外部环境流体连通。
[0072]在其中衬底层112包括埋氧层113的实施例中，可以使用机械研磨工艺研磨衬底层112至埋氧层113。在将衬底层112研磨至埋氧层113之后，可以通过刻蚀工艺移除埋氧层113以打开喷嘴120的出口，使得喷嘴120将流体腔室172与外部环境流体连通而连接。用于刻蚀埋氧层113的已知刻蚀技术包括湿法刻蚀、干法刻蚀或者湿法和干法刻蚀的组合。在一些实施例中，可以毯式(blanket)刻蚀埋氧层113以使得移除整个埋氧层113，或者可以掩蔽埋氧层113以使得仅刻蚀在喷嘴120处的埋氧层113。
[0073]随着喷嘴120打开以将流体腔室172连接至外部环境，实现了微流体器件100的结构。流体入口 164将流体贮存器连接至流体腔室172以提供流体源至微流体器件100，喷嘴120将流体腔室172连接至外部环境，并且加热器162产生能量，能量促使流体从流体腔室172通过喷嘴120流动并且排出至外部环境中。
[0074]在一些实施例中，单独的微流体器件100仅是一次形成的许多微流体器件中的一个。喷嘴板110可以包括在阵列中的许多喷嘴120以及其他结构元件，而腔室本体150可以包括在对应阵列中的许多流体腔室172、加热器162、流体入口 164以及其他结构元件。当接合在一起时，这些喷嘴板和腔室本体可以形成多个微流体器件100。例如，图21示出了接合在一起成为单个重复结构的两个这种微流体器件100a、100b。
[0075]如图21中所示，两个微流体器件100a、10b可以沿着线条201被分割或划片。划片工艺可以包括划线并断裂，由此划线微流体器件100a、100b的正面或背面以形成弱线，并且随后弯曲力使得微流体器件断裂并分割。划片工艺也可以包括机械锯切，由此划片锯用于沿着线条201切割微流体器件100a、100b，或者可以包括激光切割，由此使用激光以沿着线条201分割微流体器件100a、10b并且划分为单个微流体器件100a、100b。
[0076]如上所述各个实施例可以组合以提供其他实施例。可以在以上详述说明书的教导下对实施例做出这些和其他改变。通常，在以下权利要求中，所使用的术语不应构造为将权利要求限制于说明书和权利要求中所公开的具体实施例，而是应该构造为包括所有可能实施例以及赋予这些权利要求的等价形式的全部范围。
【主权项】
1.一种微流体器件，其特征在于，包括: 喷嘴板，包括电介质层、衬底层和喷嘴； 腔室本体，所述腔室本体包括半导体衬底、在所述半导体衬底之上的电介质层、以及在所述电介质层之上的半导体层； 腔室，至少部分地形成在所述半导体层中并且由所述喷嘴板所覆盖，所述腔室与所述喷嘴流体连通； 流体入口，包括穿过所述腔室本体并且与所述腔室流体连通的孔口。2.根据权利要求1所述的微流体器件，其特征在于，所述腔室包括顶部、底部和侧壁；以及所述腔室顶部是所述喷嘴电介质层的表面，所述腔室的所述底部是所述腔室电介质层的表面；以及所述侧壁的至少一部分包括所述半导体层的一部分。3.根据权利要求2所述的微流体器件，其特征在于，所述半导体层是外延多晶硅的层，并且所述半导体衬底是硅衬底。4.根据权利要求3所述的微流体器件，其特征在于，所述喷嘴电介质层和所述腔室电介质层包括二氧化硅。5.根据权利要求1所述的微流体器件，其特征在于，所述腔室电介质层包括下部电介质层和上部电介质层、以及在它们之间的埋设硅布线，所述埋设硅布线包括加热部分以及互连部分。6.根据权利要求5所述的微流体器件，其特征在于，所述加热部分是多晶硅材料，并且所述互连部分是硅化物材料。7.根据权利要求1所述的微流体器件，其特征在于，进一步包括: 接合焊盘； 加热器；以及 沟槽，在所述腔室本体中，将所述接合焊盘与所述腔室本体电隔离。8.根据权利要求7所述的微流体器件，其特征在于，所述喷嘴板包括在所述接合焊盘之上的焊盘接入结构。9.根据权利要求1所述的微流体器件，其特征在于，进一步包括: 腔室本体接合环，形成在所述腔室本体的所述半导体层的上表面上，以及 喷嘴板接合环，形成在所述喷嘴电介质层的下表面上， 所述腔室本体接合环接合至所述喷嘴板接合环。10.一种微流体器件，其特征在于，包括: 喷嘴板，包括电介质层、衬底层和喷嘴，所述电介质层位于所述衬底层的表面上； 腔室本体，包括在半导体层中的开口，所述腔室本体耦合至所述喷嘴板； 腔室，由所述腔室本体中的所述开口与所述喷嘴板所限定，所述腔室被配置用于保持流体；以及 流体入口，由穿过所述腔室本体的开口所界定，所述喷嘴通过所述腔室与所述流体入口流体连通。11.根据权利要求10所述的微流体器件，其特征在于，进一步包括，在所述腔室本体中的加热器部件，所述加热器部件被配置用于加热所述腔室中的流体以通过所述喷嘴排出流体。12.根据权利要求11所述的微流体器件，其特征在于，所述加热器部件面向所述喷嘴。13.根据权利要求10所述的微流体器件，其特征在于，所述半导体材料包括硅。14.根据权利要求13所述的微流体器件，其特征在于，所述腔室本体包括硅衬底、在所述硅衬底之上的电介质层、以及在所述电介质层之上的硅层。15.根据权利要求10所述的微流体器件，其特征在于，所述腔室本体通过金属接合焊盘被耦合至所述喷嘴板。
【文档编号】B41J2/015GK205416751SQ201520865018
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年11月2日
【发明人】D·法拉利, L·M·卡斯托尔迪, P·菲拉里, M·卡米纳蒂
【申请人】意法半导体股份有限公司