主动式微流体混合芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及微流芯片领域，尤其涉及一种用于实现溶液的快速微混合和微反应的主动式微流体混合芯片。
【背景技术】
[0002]微流体芯片是微机电系统(MEMS)应用的一个重要分支，可将许多传统生物化学检测过程:如注入、分离、加样、混合、反应、检测等功能在一个便携式芯片上得以实现，微流芯片可以实现从纳升到微升的流体流动的控制和驱动，己被广泛应用于化学分析、疾病诊断、药物筛选等许多领域。与传统监测方法相比，微流体芯片技术具有1)样品使用量减少;2)可实现高通量检测;和3)反应时间快等优点。
[0003]微混合芯片是微流控芯片中的重要功能器件之一，其作用是将2种待检测(反应)的流体混合到一起，促使反应的发生。我们知道，由于尺度的缩小，微通道中流体表面积与体积的比值相当的大，表面力与粘性力的影响占主导地位，惯性力的作用大大减少，雷诺数一般小于100，流体呈现层流流态，流体的混合过程是通过流体分子的自由扩散进行的。根据Fick扩散定律，基于分子热运动的自由扩散混合过程是极其缓慢的，因此流体达到充分混合就需要较长的混合时间和较长的混合通道。为了加强在微尺度下的流体混合过程，一般会设计专门的微流体混合芯片来加强流体的混合过程。依据有无外界动力源，微混合芯片大致可以分为被动式微混合芯片和主动式微混合芯片两种。被动式微混合芯片是指不需要外部动力源，主要依赖于通道几何形状对流体进行混合，如设计不同的流体通行路径(C型，弯弧，扭曲通道)，在通道中加障碍物，蛇形通道等。主动式微混合芯片按作用原理分可分为电动力式、磁动力式、超声波式、分支注入式、压电式、机械式等。被动式微混合芯片无需外部能量的输入，混合效果稳定，便于集成在微流控系统中，但这种方式都会增加驱动流体流动的压力，通道往往很长或体积很大，需要加工复杂的三维结构，且对于雷诺数特别低的流动，混合效果不住、可控性差。
[0004]现有的主动式混合芯片混合时间较被动式混合芯片短、可控性较好，但仍然存在一些问题，如:1)外部激励或扰动实现的装置往往比较复杂，工艺过程繁琐，芯片制造成本较高；2)现有的主动式混合芯片一般都有可动部件，工作时间长后，容易损坏，导致芯片可靠性差;3)现有主动式微混合芯片没有加入反馈环节，无法实现根据混合的结果好坏，及时方便地调整外部激励或扰动的强度，以迅速调整激励参数，到达预期的混合效果。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型要解决的技术问题在于针对现有技术中微混合芯片存在的缺陷，提供一种结构简单，成本低，且可靠性更高的主动式微流体混合芯片。
[0006]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0007]提供一种主动式微流体混合芯片，包括键合而成的上层衬底片、中层衬底片和下层衬底片，上层衬底片为盖板，设有第一流体的入口、混合液出口；中层衬底片的上部设有流体混合通道，底部设有喷嘴阵列;下层衬底片的上部设有第二流体通道，底部设有微加热器阵列；
[0008]微加热器阵列通电后，加热第二流体，产生的微气泡将第二流体的微液珠通过喷嘴阵列喷射入流体混合通道内，第一流体与第二流体在流体混合通道内混合，并通过混合液出口流出。
[0009]本实用新型所述的主动式微流体混合芯片中，该下层衬底片上设有第二流体清洗
□ ο
[0010]本实用新型所述的主动式微流体混合芯片中，该微加热器阵列通入的电流为脉冲电流。
[0011 ]本实用新型所述的主动式微流体混合芯片中，该微流体混合芯片还设有反馈式驱动电路，用于调整通入微加热器阵列的脉冲电流。
[0012]本实用新型所述的主动式微流体混合芯片中，该流体混合通道的深宽比满足:在其中的流体流动时呈扁平状流态。
[0013]本实用新型所述的主动式微流体混合芯片中，该上层衬底片为透明的玻璃衬底片，中层衬底片和下层衬底片为硅衬底片。
[0014]本实用新型还提供一种基于上述微流体混合芯片加工方法，包括以下步骤:
[0015]S1、在上层衬底片上利用腐蚀工艺得到第一流体的入口和混合液出口；
[0016]S2、在中层衬底片上的下表面采用标准光刻和反应离子刻蚀工艺得到喷嘴阵列的孔结构;在中层衬底片的上表面采用标准光刻和深度反应离子刻蚀工艺在喷嘴阵列所在的表面形成流体混合通道；
[0017]S3、在下层衬底片的上表面采用标准光刻和深度反应离子刻蚀工艺形成第二流体通道;在第二流动通道的底部采用金属溅射和剥离工艺得到微加热器阵列和其接线端阵列;在下层衬底片的下表面采用标准光刻和深度反应离子刻蚀工艺在下层衬底片上形成第二流体入口及第二流体清洗口 ；
[0018]S4、将中层衬底片和下层衬底片键合到一起，将上层衬底片与中、下层衬底片键合到一起，完成整个微混合芯片的制作。
[0019]本实用新型所述的加工方法中，步骤S1具体为:
[0020]先将上层衬底片减薄，然后在上层衬底片正面和背面各溅射一层金属保护层，并在上层衬底片正面采用标准涂胶、曝光、显影工艺得到2个通孔处的图形，其中一个是第一流体的入口，另一个是混合液出口 ；
[0021]用标准湿法腐蚀工艺腐蚀掉通孔处的金属保护层，然后去掉光刻胶;将上层衬底片放入HF氢氟酸中，用湿法腐蚀工艺得到2个通孔；
[0022]用标准湿法腐蚀工艺去掉上层衬底片上的金属保护层；
[0023]以上步骤所实现的功能也可采用如下方法:先在上层衬底片表面涂一层厚胶，采用标准光刻工艺得到2个通孔处的圆孔图形；
[0024]直接采用深度反应离子刻蚀工艺将上层衬底片刻穿，得到相应的2个通孔。
[0025]本实用新型所述的加工方法中，步骤S2具体为:
[0026]中层衬底片通过磨片工艺减薄到200微米左右，然后在中层衬底片下表面采用标准光刻和反应离子刻蚀工艺对中层衬底片刻蚀到一定深度，得到喷嘴阵列的孔结构；
[0027]完成了下表面的工艺后，在中层衬底片的上表面采用标准光刻和深度反应离子刻蚀工艺对中层衬底片正面刻蚀，直到到达喷嘴阵列所在的表面形成流体混合通道。
[0028]本实用新型所述的加工方法中，步骤S3具体为:
[0029]在下层衬底片的上表面采用标准光刻和深度反应离子刻蚀工艺对下层衬底片正面刻蚀到一定深度，形成第二流体通道；
[0030]在第二流动通道的底部采用标准涂胶，光刻，显影工艺得到微加热器和接线端的图形，然后溅射金属层；
[0031]用剥离工艺去掉其余部分的金属层，留下的金属层为所需的微加热器阵列和接线端阵列；
[0032]在下衬底片下表面旋涂厚胶，然后采用标准光刻，显影方法得到2个开孔位的图形；
[0033]采用深度反应离子刻蚀工艺将开孔处的下层衬底片刻蚀穿，形成第二流体入口及第二流体清洗口。
[0034]本实用新型产生的有益效果是:本实用新型通过在流体通道上设置喷嘴阵列，通过微加热器阵列加热一种流体，产生微气泡，通过喷嘴阵列喷入流体混合通道内与其他流体相混合，实现微流体的主动混合。本实用新型的微流体混合芯片结构简单，与现有的技术方案比较有成本低的优势。本实用新型的微流体混合芯片为主动混合式，但又没有可动部件，与现有的技术方案比较可靠性更高。
[0035]进一步地，根据流体的粘性不同，通过反馈式驱动电路调整电脉冲的大小，从而实现不同的气泡压力，在喷嘴处产生不同的推动力，从而自动调整到合理的混合效果。
【附图说明】
[0036]下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中:
[0037]图1是本实用新型实施例微流体混合芯片的结构示意图；
[0038]图2(a)是本实用新型实施例上层衬底片的俯视图；
[0039]图2(b)是本实用新型实施例上层衬底片的侧视图；
[0040]图3(a)是本实用新型实施例中层衬底片的俯视图；
[0041 ]图3(b)是本实用新型实施例中层衬底片的侧视图；
[0042]图4(a)是本实用新型实施例下层衬底片的俯视图；
[0043]图4(b)是本实用新型实施例下层衬底片的侧视图；
[0044]图5是本实用新型实施例微液滴喷射阵列控制电路图；
[0045]图6是本实用新型实施例微流体混合芯片加工方法流程图。
【具体实施方式】
[0046]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0047]如图1所示，本实用新型实施例提供一种主动式微流体混合芯片，由上层衬底、中层衬底和下层衬底三层衬底片键合而成。
[0048]如图2(a)和