1.一种用于测量晶片缺陷的装置，包括：
下鼓风机，配置为将空气喷射到晶片的下表面以使所述晶片漂浮；
上鼓风机，设置为相对于所述下鼓风机上下移动，并且配置为将空气喷射到所述晶片的上表面以使所述晶片固定；
上污染测量件，设置在所述上鼓风机的上侧，并且配置为检测所述晶片的上表面上的污染；
下污染测量件，设置在所述下鼓风机的下侧，并且配置为检测所述晶片的下表面上的污染；和
侧污染测量件，设置在所述上鼓风机与所述下鼓风机之间，并且配置为检测所述晶片的侧表面上的污染，
其中，所述上鼓风机和所述下鼓风机中的每一个均具有45°的空气喷射角，空气以所述空气喷射角被喷射到所述晶片的上表面和下表面，并且空气被喷射到所述晶片的中心与其边缘之间的中间点。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述上鼓风机和所述下鼓风机中的每一个均包括空气流过的环形通路和以规则间隔布置在所述通路上的多个喷嘴，其中空气通过所述多个喷嘴而被喷射到所述晶片的上表面和下表面。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述通路被分割成多个通路元件以将所述喷嘴分成至少两个或更多个组，并且所述通路元件中的每一个均连接于调节器以调节空气的喷射压力。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述上鼓风机和所述下鼓风机中的每一个均进一步包括限位传感器，以检测所述晶片的上表面和下表面中的每一个的倾角，并且所述调节器根据由所述限位传感器检测的倾角来调节供给到所述通路元件中的空气的喷射压力。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述侧污染测量件是至少两个或更多个在所述晶片的周向上能够移动的照相机。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，进一步包括上下移动导向件，所述上下移动导向件设置在所述上鼓风机与所述下鼓风机之间，并且配置为引导所述晶片的上下移动。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，进一步包括切口测量照相机，所述切口测量照相机配置为测量所述晶片的切口；
切口夹持器，所述切口夹持器配置为夹持由所述切口测量照相机测量的晶片的切口；和
止动器，所述止动器设置在与所述切口夹持器的方向相对的方向上，并且配置为径向支撑所述晶片与所述切口相反的一侧。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述切口夹持器与所述晶片的切口的上表面、下表面和侧表面接触的部分由缓冲材料形成。
9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述切口夹持器包括圆形侧表面部分，以使与所述晶片的切口的侧表面的一部分接触的区域减少。
10.根据权利要求7所述的装置，其中，所述止动器被气动控制以径向缓冲并支撑所述晶片。