本申请要求于2014年8月6日提交的、标题为“HIGHEFFICIENCYNEUTRONCAPTUREPRODUCTPRODUCTION(高效中子俘获产物产生)”的美国临时专利申请第62/033,691号的优先权的权益，其通过这种引用以其整体并入本文。
技术领域：
本公开内容涉及中子俘获并且涉及中子有效反应组件(neutronefficientreactionassemblies)和方法。更具体地，本公开内容涉及通过反应物核材料(reactantnuclearmaterial)、经由中子俘获来产生核材料，诸如核成像材料。背景在核医学中，放射性物质用于诊断和治疗医疗程序中。元素的放射性核素常常与其他元素组合以形成化学化合物，或与现有的药物化合物组合以形成放射性药物。这些放射性药物在施用于患者后，可以定位至特定的器官或细胞受体。基于细胞功能和生理学而不是依赖于组织解剖学中的物理变化，放射性药物的这种性质允许对体内的疾病过程的程度进行成像。此外，在一些疾病中，核医学中的程序可以在比其他诊断试验更早的阶段识别医疗问题。核医学的一个重要方面是使用放射性示踪剂。放射性示踪剂(也称为放射性标记)是含有放射性同位素(RI)的物质，其用于测量生物化学过程的速度以及追踪物质穿过天然系统诸如细胞或组织的运动。一种重要的放射性示踪剂是锝-99m(符号表示为99mTc)，其可以通过医学成像设备在身体中容易地被检测到。99mTc是锝-99的亚稳核异构体。“m”指示这是亚稳核异构体，其半衰期为6小时。这比经历γ衰变的大多数核异构体长得多(长了许多个数量级)。因此，99mTc的半衰期在平均去激发方面是非常长的，但是，与许多通常观察到的放射性衰变半衰期相比较以及与用于许多种核医学试验的放射性核素相比较是短的。99mTc用于放射性同位素医学应用中。它是可以通过医学成像设备在人体内被检测到的放射性示踪剂。它非常适合于这种角色，因为它以方便医学成像的能量发射容易检测的光子。此外，99mTc也溶解在王水、硝酸和浓硫酸中，但在任何强度的盐酸中不可溶。基于99mTc的放射性药物用于脑、骨、心肌、甲状腺、肺、肝、胆囊、肾、骨骼、血液和肿瘤的成像和功能研究。每年99mTc用于约2000万个诊断性核医疗程序中。核医学中大约85％的诊断成像程序使用这种同位素。取决于核医学程序的类型，99mTc被标记或结合到将99mTc输送到预期位置的药物。99mTc的重要优点是，由于其对于γ发射的6.0058小时的半衰期，93.7％的99mTc在24小时内衰变为锝-99。因此，就人类活动和代谢而言，亚稳核异构体的短半衰期允许用于快速收集数据但保持低的总患者辐射暴露的扫描程序。所得的锝-99基态，其具有衰变至稳定的钌-99的211,000年的半衰期，发射软β粒子(核源(nuclearorigin)的电子)而不引起显著的γ射线暴露。所有这些特性确保，99mTc的使用代表身体上的最小辐射负担，这提供显著的医学成像益处。由于其半衰期短，用于核医学中的99mTc通常从含有钼-99(99Mo)的99mTc发生器中提取，钼-99具有2.75天的半衰期并且是用于99mTc的常用母体核素(parentnuclide)。遗憾地，针对99mTc医疗用途产生的大量99Mo来自世界上仅五个反应堆的高浓缩铀的裂变：在加拿大的NRU；在比利时的BR2；在南非的SAFARI-1；在荷兰的HFR(Petten)；和在法国萨克雷(Saclay)的OSIRIS反应堆。在图1中示意性地表示了已知的诱导的单个裂变事件。中子100与吸收中子100的铀-235(235U)核102碰撞，如由经历裂变的并且产生中子106、伽马辐射110、99Mo核112(大约6％的时间)和其他裂变产物114的铀-236核104表示的。99Mo核112衰变以产生99mTc核116、以及包括β粒子(核源的电子)和反中微子118的其他辐射120。在澳大利亚的新OPAL反应堆以及世界上的一些其他场所处也从低浓缩铀产生少量的99Mo。通过使用基于加速器的中子产生方法的钼-98的中子激活产生了甚至更少量的99Mo。更通常地，用中子照射具有高浓缩235U(上至90％的235U)或低浓缩铀(小于20％的235U)的铀靶，以形成作为裂变产物的99Mo，然后将该99Mo与其他裂变产物在热室中分离。在图2中示出了中子激活过程。在图2中，中子200与98Mo的核202碰撞，98Mo的核202吸收中子200并且产生99Mo的核204。然后，99Mo核204衰变以产生99mTc的核206和包括电子(β辐射)和反中微子的其他辐射210。中子发生器可以是氘/氚加速器(“D-T加速器”)，或可以通过使用交替的产生中子的核反应(例如，散裂(spallation))来操作。遗憾地，当前基于加速器的中子产生方法倾向于不经济地或以低中子效率产生99Mo和99mTc，对于产生的每1000个中子产生仅仅几个的99Mo粒子。此外，出于政治和安全原因，两个老化的核反应堆(NRU和HFR)反复关闭，持续延长的维护周期。这两个反应堆产生了99Mo的世界供应的一大部分。产生的99mTc的全球短缺已经表明了对额外的生产能力的需求。因此，存在针对用于使用中子源以高效率产生同位素或放射性同位素(例如，99mTc)的系统和方法的需求，以便消除对当前核反应堆产生方案的需求。更一般地，需要用于在不使用核反应堆或亚临界组件的情况下制造大多数同位素的方案。概述提供本概述以简化形式介绍在以下详细描述中进一步描述的概念。本概述不旨在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不应被解释为限制所要求保护的主题的范围。根据至少一个实施方案，用于从反应物核(reactantnuclei)产生反应产物核(reaction-productnuclei)的装置包括多个反应物核和多个调节核(moderatingnuclei)。调节核包括选自由氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20和氖-22组成的组的原子的核。既不是核反应堆也不是亚临界组件的中子源接近反应物核，足以通过中子俘获产生反应产物核。反应物核包括钼-98。钼-98核中子俘获的速率除以中子源的中子产生的速率为大于约1％。钼-98的质量为小于约1000kg。调节核的质量为至少1kg。为了本公开内容的目的，术语亚临界组件是具有大于0.6且小于1的中子倍增因子(neutronmultiplicationfactor)的任何组件。在至少一个实例中，反应物核中子俘获的速率除以中子源产生的速率为大于约5％。在至少一个实例中，使用能够将装置的至少两个不同区域保持在不同温度下的温度控制，并且至少一个区域被冷却至低于250开氏度的温度。温度控制可以包括使用低温流体。在至少一个实例中，至少一个中子反射器至少部分地围绕多个反应物核和调节核。反射器包括调节核。反射器厚度为大于约20厘米，并且在原则上可以是无限厚的，但是在实践中，经济地设计的反射器在厚度上可以小于约15米，并且更优选地在厚度上小于3米。在本公开内容的描述内，反射器将被描述为在20厘米和15米之间，理解的是，更厚的反射器是可能的。在至少一个实例中，外部中子反射器和内部中子反射器二者都使中子朝向包含较高密度的反应物核的区域反射。在一些实施方案中，至少一个反射器将在单次碰撞中引起中子的反向散射，而在其他实施方案中，需要几次碰撞以引起中子运动的方向上的完全或接近完全的反转。在至少一个实例中，上述的多个(thepluralities)被布置在一个或更多个近似平行的层中，基于元素组成、化学物质的浓度、密度或温度，至少一个层与另一个层不同。在至少一个实例中，靶被配置成当被加速粒子撞击时发射中子。靶包括选自由氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20、氖-22、钽、钨、铅、汞、铊、钍、铀、镎和其他超铀元素组成的组的原子。加速粒子经由入口通道(accesschannel)进入系统，所述入口通道被配置成接受冲击入口通道的加速粒子中的大于50％。本文的入口通道是对于感兴趣的颗粒进入装置并冲击靶的任何有效路径。根据至少一个实施方案，用于从反应物核产生反应产物核的装置包括具有第一平均微观热中子俘获截面(firstaveragemicroscopicthermalneutroncapturecross-section)的多个反应物核以及多个调节核。为了本公开内容的目的，本上下文中的平均值是指所有感兴趣的核的加权平均值；例如，10个轻水分子和2个铝原子的平均微观截面将近似为：10*2*(氢-1截面)+10*1*(氧-16截面)+2*1*(铝-27截面)的和，总共除以(20+10+2)。因此，定义了同位素的集合，该同位素的集合由其核物质(nucleispecies)俘获来自中子源的所有发射的中子中的至少1％的并且不是反应物核的那些同位素组成。还定义了由来自同位素的集合的所有核组成的第二多个核，其中至少约90％的核具有比任何反应物核的微观热中子俘获截面低的微观热中子俘获截面。为了本公开内容的目的，本上下文中的核物质是指特定同位素的核，诸如氢-2、氧-16等。为了解释的目的，“同位素的集合，该同位素的集合由其核物质俘获来自中子源的所有发射的中子中的至少1％的……那些同位素组成”应理解为暗示“用于被利用的中子源配置”。可以存在许多方式来配置中子源以便改变同位素的集合内的同位素，但正被用于产生反应产物核的特定配置是权利要求应用于的配置。调节核的总质量为大于约1千克。既不是核反应堆也不是亚临界组件的中子源接近反应物核，足以通过中子俘获产生反应产物核。在至少一个实例中，反应物核包括钼-98，并且反应物核中子俘获的速率除以中子源的中子产生的速率为大于约1％。在至少一个实例中，反应物核包括钼-98，并且反应物核中子俘获的速率除以中子源产生的速率为大于约5％。在至少一个实例中，装置包括钼-99反应产物核和锝-99m衰变产物核。在至少一个实例中，调节核包括选自由氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20和氖-22组成的组的原子的核。在至少一个实例中，温度控制被用于将装置的至少两个不同区域保持在不同温度下，并且至少一个区域被冷却至低于约250开氏度的温度。温度控制可以包括使用低温流体。至少一个中子反射器可以至少部分地围绕多个反应物核和调节核，反射器包括调节核并且具有大于约20厘米且小于约15米的厚度。装置可以包括外部中子反射器和内部中子反射器二者，该外部中子反射器和内部中子反射器使中子朝向包含较高密度的反应物核的所述多个的区域反射。在至少一个实例中，靶被配置成当被加速粒子撞击时发射中子，并且靶包括选自由氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20、氖-22、钽、钨、铅、汞、铊、钍、铀、镎和其他超铀元素组成的组的原子。加速粒子经由入口通道进入系统，所述入口通道被配置成接受冲击入口通道的加速粒子中的大于50％。根据至少一个实施方案，使用中子源从反应物同位素产生衰变产物核的方法包括制备具有第一平均微观热中子俘获截面的多个反应物核和多个调节核。因此，定义了同位素的集合，该同位素的集合由其核物质俘获来自中子源的所有发射的中子中的至少1％的并且不是反应物核的那些同位素组成。还定义了由来自同位素的集合的所有核组成的第二多个核，其中至少约90％的核具有比任何反应物核的微观热中子俘获截面低的微观热中子俘获截面。调节核的总质量为大于约1千克。该方法包括产生中子并用中子照射所述多个，使得当中子被反应物核俘获时产生反应产物。该方法包括从所述多个中提取由反应产物同位素的放射性衰变产生的衰变产物。在至少一个实例中，中子由核反应堆或亚临界组件产生。在至少一个实例中，中子由既不是反应堆也不是亚临界组件的源产生。反应物核可以包括钼-98，在这种情况下，衰变产物包括锝-99m。在这种情况下，反应物核中子俘获的速率除以中子产生的速率为大于约1％。在至少一个实例中，调节核包括选自由氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20和氖-22组成的组的原子的核。多个反应物和调节核可以至少部分地被至少一个中子反射器围绕，该至少一个中子反射器包括调节核并且其厚度为大于约20厘米且小于约15米。外部中子反射器和内部中子反射器二者都可以使中子朝向包含较高密度的反应物核的区域反射。在至少一个实例中，温度控制能够将装置的至少两个不同区域保持在不同温度下，并且至少一个区域被冷却至低于250开氏度的温度。温度控制可以使用低温流体。在至少一个实例中，靶被配置成当被加速粒子撞击时发射中子，靶包括选自由氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20、氖-22、钽、钨、铅、汞、铊、钍、铀、镎和其他超铀元素组成的组的原子。加速粒子经由入口通道进入系统，所述入口通道被配置成接受冲击入口通道的加速粒子中的大于50％。根据至少一个实施方案，使用中子源从反应物产生衰变产物的系统包括多个反应物核、多个调节核和中子源。调节核包括选自由氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20和氖-22组成的组的原子的核。反应物核包括钼-98。钼-98核中子俘获的速率除以中子源的产生的速率为大于约1％。钼-98的质量为小于约100kg，并且调节核的质量为至少1kg。在至少一个实例中，中子源是核反应堆或亚临界组件。在至少一个实例中，中子由既不是反应堆也不是亚临界组件的源产生。在至少一个实例中，调节核包括选自由氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20和氖-22组成的组的原子的核。在至少一个实例中，靶被配置成当被加速粒子撞击时发射中子。靶包括选自由氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20、氖-22、钽、钨、铅、汞、铊、钍、铀、镎和其他超铀元素组成的组的原子。加速粒子可以经由入口通道进入系统，所述入口通道被配置成接受冲击入口通道的加速粒子中的大于50％。在至少一个实例中，至少一个中子反射器包括调节核，并且中子反射器至少部分地围绕多个反应物核和调节核的层。中子反射器的厚度为大于约20厘米且小于约15米。在至少一个实例中，外部中子反射器和内部中子反射器二者都使中子朝向包含较高密度的反应物核的所述多个的区域反射。在至少一个实例中，温度控制能够将装置的至少两个不同区域保持在不同温度下，其中至少一个区域被冷却至低于250开氏度的温度。温度控制可以包括低温流体。根据至少一个实施方案，工艺包括使多个反应物核和多个调节核组合。调节核包括选自由氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20和氖-22组成的组的原子的核。既不是核反应堆也不是亚临界组件的中子源被放置成接近反应物核，足以通过中子俘获产生反应产物核。反应物核包括钼-98。钼-98核中子俘获的速率除以中子产生的速率为大于约1％。钼-98的质量为小于约100kg，并且调节核的质量为至少1kg。用中子照射组合物，使得当中子被反应物核俘获时产生放射性反应产物核。在至少一个实例中，反应物核包括钼-98，并且反应物核中子俘获的速率除以中子源的中子产生的速率为大于约1％。反应产物核和衰变产物核中的至少一种可以从所照射的组合物中提取。衰变产物核可以包括锝-99m。根据至少一个实施方案，用于产生反应产物核的系统包括反应物核；中子源，所述中子源接近反应物核以足以通过中子俘获产生反应产物核；和温度控制，所述温度控制能够将至少1kg的系统冷却至约250开氏度或低于约250开氏度的温度。在至少一个实例中，钼-98核中子俘获的速率除以中子源的中子产生的速率为大于约1％。调节核可以包括选自由氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20和氖-22组成的组的原子的核。反应物核可以包括钼-98。附图简述前面的概述和以下详细描述将参照附图来阅读，附图示出了下面简要描述的特定示例性实施方案和特征。然而，概述和详细描述不仅仅限于明确示出的那些实施方案和特征。图1示出了产生钼-99和锝-99m的已知的诱导的裂变过程。图2示出了产生钼-99和锝-99m的已知的中子激活过程。图3是根据至少一个实施方案的用于从反应物核产生反应产物核的装置的横截面图。图4是根据至少一个其他实施方案的用于从反应物核产生反应产物核的另一个装置的透视图。图5是图4的装置的内部的示意图。图6是根据又另一个实施方案的用于从反应物核产生反应产物核的装置的内部的示意图。图7是根据还另一个实施方案的用于产生所需的核物质的系统的横截面图。图8示出了根据至少一个实施方案的将高能粒子束引导到图7的系统中的粒子加速器。图9示出了与分层的壳容器一起使用的热控制系统。详细描述这些描述以足够的细节来呈现，以提供对更宽的发明主题的一个或更多个特定实施方案的理解。这些描述阐述并例示了那些特定实施方案的特定特征，而不将本发明主题限制于明确描述的实施方案和特征。鉴于这些描述的考虑将可能产生另外的和类似的实施方案和特征，而不背离本发明主题的范围。虽然可以暗示涉及与工艺或方法的特征相关的步骤，除非明确陈述了顺序或序列，否则没有暗示由在表达或暗示的步骤中的任何特定顺序或序列构成。为了促进对特定示例性实施方案的以下描述的理解，并且为了阐明描述的全部范围超出任何具体描述的实施方案，可以考虑到几个基本原理，而不对示例性实施方案施加限制。根据这些基本原理，同位素产生可以通过以下方式实现：1)使用既不是核反应堆也不是亚临界组件的中子源；2)通过选择调节核实现通过预期的反应物核的中子俘获的高可能性；3)通过使用中子反射器使逃逸或泄漏的中子返回到反应室；和/或4)任选地使用中子俘获的温度增强(temperatureenhancement)，优选地中子俘获的低温增强。也就是说，可以提供中子用于中子俘获反应，而不使用核裂变反应堆或亚临界组件，其中以亚临界的量或布置的天然可裂变材料经历一定程度的诱导的裂变，而没有达到临界状态。为了本公开内容的目的，术语亚临界组件应理解为暗示亚临界反应堆的可能性。在下面的描述中，实施特定设计的结构以使得进入的中子以如下的方式被调节和反射：所述方式使得大大地增加它们被给定的预期的反应物核(诸如，钼-98(98Mo))俘获的机会。下面描述的容器和外壳通常被配置以最小化中子泄漏并且最大化内部中子散射，如通量阱，但不在核反应堆的情况下或范围内。任选地，例如通过使用低温流体(如液态的氦、氧、氮或氘)来冷却包含反应物核的容积(volume)，增加了通过预期的反应物核的中子俘获的可能性。为了本描述的目的，反应室是其中反应物核俘获中子的任何容积。在一些后续的实施方案中遇到的、上述基本原理1的例外是当中子源可以是核反应堆或亚临界组件的时候。例如，核反应堆或亚临界组件可以被配置成泄漏中子，以便为下面描述的一些实施方案提供中子源。例如，在一个实施方案中，核反应堆或亚临界组件定位成接近反应物核，以足以通过以超过107个中子俘获/秒的速率的中子俘获产生反应产物核。在这些实例中，核反应堆或装置的几何结构可以被修改，以便促进将中子从核反应堆或亚临界组件输送到包含反应物核的装置的容积。建模的模拟指示，包括1-3米直径容器(球体和同心球形壳)的系统(其至少在某种程度上实现了某些上述原理)可以以超过当前技术状态的中子效率产生许多难以制造的放射性同位素(“RI”)，包括99Mo，其中中子效率定义为：中子效率＝(反应产物核的产生速率)/(中子产生速率)对于该定义，应当理解的是，所描述的产生速率是在操作的周期期间观察到的那些，更具体地是当正在产生中子时在操作的周期期间观察到的那些。对于该定义，还应当理解的是，分母的“中子产生速率”中的中子是指最初产生的中子(例如，通过核散裂、DT反应、来自裂变)，而不是随后由于次级反应(例如，诸如来自(n，xn)反应)产生的中子。例如，最初产生的中子将包括源自装置外部的并且随后入射到装置上的中子，以及另外通过带电粒子反应诸如DT反应或散裂反应的作用在装置内产生的中子。随后的中子倍增，例如(n，xn)反应，不会有助于增大分母。还应当理解的是，对于该定义，分子和分母中提及的速率被认为是在短时间间隔内被平均的，优选地在分钟且更优选地秒的时间间隔内，而不是经历长时间段，诸如小时、天或更长时间。所描述的速率应当在瞬时速率的情况下考虑，而不是在长时间跨度诸如小时内考虑的平均速率。模拟指示，上至25％的中子效率值在实施下面描述的一个或更多个实施方案时是可实现的。在通过在反射器几何结构、温度和/或元素组成中的某些改进而对一个或更多个实施方案改进时，可以实现较高的效率。用于产生至少一种同位素的系统的几个实施方案在以下详细描述中被描述并且在附图中被表示。在至少一个此类实施方案中，用于产生同位素的系统包括反应室，其中存在反应物核，并且其中可以存在调节核。用于中子俘获反应的中子从外部中子源被引入反应室中，或在本地产生，例如当反应室内部或附近的散裂靶被加速粒子撞击时经由散裂而在本地产生。最初避开俘获和逃离具有高浓度的反应物核的区域的中子中的至少一些随后朝向那些区域被反射回来，以增加每个中子将被预期的反应物核俘获的可能性。在下面描述了单反射器布置和多反射器布置。反射器在功能上可以兼作反应室的物理壁。反射器可以使用反应室内的调节核来形成。以下描述涉及反应物核、反应产物核、衰变产物核和调节核。除非另有明确陈述或暗示，否则这种引用被作出而不考虑电子是否被结合在围绕核的电子壳中。因此，这些描述涉及所描述的核的离子化的和电荷平衡二者的原子布置，使得所描述的核可以是不带电的原子、离子化的原子、自由原子和结合于包括离子键和共价键的分子键中的原子中的核。所描述的核可以以固体、气体、凝胶、液体或其他形式存在。反应物和调节物质可以在中子暴露之前被组合为无序混合物(disorderedmixture)、规则基质和分子化合物，并且此类布置可以被维持、改变或丢失，例如，在中子俘获反应导致随后的衰变的时候。反应物核可以浓缩在单个位置或分散在整个装置中。如果是以固体形式，反应物核可以浓缩成一个或更多个小球，或浓缩成具有大表面积的箔或浓缩成其他形状。反应物核可以在溶液中的溶剂内，或可以是液体中的组分，或可以呈气体形式。用于从反应物核产生反应产物核的装置300在图3的横截面图中示出。在横截面视图中成形为圆扇形的装置300界定反应室304。径向侧壁306从近端壁310向远端壁312发散，使得室304从近端壁到远端壁扩张。穿过近端壁310形成的入口通道314允许中子从中子源316进入反应室304，该中子源316在所示的实施方案中不是核反应堆或亚临界组件。中子源316接近反应物核以足以通过中子俘获产生反应产物核。图3中的元件318表示通道或过程，通过该通道或过程，例如反应物、产物或其他化学物质或核物质进入室304或从室304中被提取。反应室或多个反应室的壁任选地充当中子反射器，所述中子反射器围绕反应室304，使到达和/或进入壁中的中子中的至少一些返回至反应室304，以增加每个中子将被预期的反应物核俘获的可能性。壁包括调节核，使得壁包括具有低微观热中子俘获截面的高调节比材料。例如，壁可以包括铍和/或碳。在至少一个实施方案中，壁在厚度方面为大于约20厘米且小于约15米。在反应室304内，中子320优选地被反应物核322俘获以产生期望的反应产物核324。在所示的实施方案中，调节核326也存在于反应室304中，调节核还任选地充当反射核。足够厚度的反射核也可以在各种几何实施方案中充当反射器。在至少一个实施方案中，多个反应物核322具有第一平均微观热中子俘获截面。还包括并因此定义了同位素的集合，该同位素的集合由其核物质俘获来自中子源的所有发射中子中的至少1％的并且不是反应物核的那些同位素组成。还定义了由来自同位素的集合的所有核组成的第二多个核，其中至少约90％的核具有比任何反应物核的微观热中子俘获截面低的微观热中子俘获截面。在至少一个实施方案中，调节核的总质量为大于约1千克。在至少一个实施方案中，装置300包括能够将系统的至少0.1kg冷却至约250开氏度或低于约250开氏度的温度的温度控制。在至少一个实施方案中，反应物核322包括钼-98核，并且反应物核中子俘获的速率除以中子源产生的速率为大于约1％。在至少一个实施方案中，反应物核中子俘获的速率除以中子源产生的速率为大于约5％。在至少一个实施方案中，反应产物核324包括通过中子俘获反应从钼-98反应产物核324产生的钼-99核。由于钼-99核的衰变，也可以存在锝-99m衰变产物核。在至少一个实施方案中，调节核326包括选自由氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20和氖-22组成的组的原子的核。中子源316示意性地表示许多类型的中子源，该中子源不是核反应堆或亚临界组件。合适的实例包括中子发射器、中子发生器和中子产生装置。在至少一个实施方案中，所示的中子源316表示具有大于1×1014个中子每秒的中子发射的中子发生器。中子发生器可以包括具有大于8MeV的抛射能量(projectileenergy)(对于DT中子产生反应低得多)和通常在毫安或更高的范围内的束电流的质子、氘核或氦离子加速器，但是系统可以设计为具有在微安到几百微安的范围内的束电流。因此，在各种实施方案中，中子320由中子源316提供，并且中子照射反应物核322，使得当中子320被反应物核322俘获时产生反应产物核324。在至少一个实施方案中，系统300用于在分阶段过程中产生特定的核物质，该分阶段过程包括诱导的中子俘获，随后是放射性衰变的一个或更多个阶段，导致产生特定的核物质。在至少一个实例中，反应物核322暴露于中子320以通过中子俘获产生反应产物核324。然后，反应产物核324的天然放射性衰变随后产生期望的特定的核物质的衰变产物核328。在特定的实例中，图3中的反应物核322表示俘获中子320以产生99Mo核的98Mo核，99Mo核由反应产物核324表示。继续该特定的实例，衰变产物核328表示由99Mo的放射性衰变产生的期望的核物质，99mTc。应当理解的是，图3表示许多其他特定的实例，其中期望的核物质居于衰变链中，其中在通过经由用中子320照射反应物核322诱导的中子俘获反应产生反应产物核324之后，发生一种或更多个放射性衰变。虽然在通过98Mo的中子俘获后，99Mo在放射性衰变的单一阶段中产生99mTc，但是这些描述也涉及其中多个衰变的阶段发生的各种其他衰变序列。通常，只要每种溶剂或流体成分内的原子相对于98Mo反应物322的微观热中子俘获截面具有低的微观热中子俘获截面，98Mo反应物同位素322可以溶解或悬浮于其中的各种溶剂或流体可以用作调节剂326或其一部分。通常，这些溶剂或流体可以包括如氢、氦、铍、碳、氧、氟的元素和一些其他元素的同位素。98Mo反应物322可以以规则的或液体的形式悬浮或溶解到这些溶剂或流体中。例如，反应物322的98Mo的微观热中子俘获截面比呈液体的氧化氘332核的微观热中子截面高得多。作为实例，98Mo反应物322的微观热中子截面为约130毫靶恩，相对于对于两个氢原子或一个氧原子的那些中的任一种为小于1毫靶恩。因此，被98Mo反应物322核俘获的中子320的每核概率远高于被氧化氘俘获的中子的概率。在中子320被98Mo反应物核322俘获后，其形成99Mo反应产物324。然后，99Mo反应产物324衰变以产生99mTc衰变产物328，该99mTc衰变产物328可以经由通道318直接且连续地从室304中提取，该通道318可以包括阀或意欲执行放射化学分离的其他机械结构和化学结构以分离期望的反应产物或衰变产物。可选择地，代替将98Mo反应物322悬浮或溶解在单独的液体或流体中，98Mo反应物322本身可以是液体化合物的一部分。非限制性实例包括：二氟化钼(98MoF2)；氟化钼(98MoF3)；四氟化钼(98MoF4)；六氟化钼(98MoF6)；钼、氧和/或氟的化合物(MoOnFm)。通常，以显著高于在缺乏强热化和/或高调节比率的系统中的比率，装置300将中子320引导到其中中子被98Mo而不是被其他核俘获的容积中，即使98Mo孤立地具有低微观热中子俘获截面(约130毫靶恩)。因此，装置300允许从中子源发射的中子320被期望的反应物核俘获，而不是大多数中子320泄漏出来或被除了98Mo以外的核俘获，并因此被浪费。结果是，在装置300中的期望的反应物核上俘获中子的效率是高的(在1％和30％之间)，并且通常由以下先前描述的关系来描述：中子效率＝(反应产物核的产生速率)/(中子产生速率)其中反应产物核在反应物核包括98Mo的情况下为99Mo。然而，某些模型已经示出，通过改变反应物核的温度，可以获得高于30％的效率。根据至少一个实施方案，用于从反应物核产生反应产物核的系统400在图4-图5中表示。系统包括球形壁402。通过壁402界定的入口通道404允许加速粒子进入中心球形靶406。球形壳形反应室410(图5)至少部分地围绕靶406。围绕的室可以同心地围绕靶。靶406被配置成当被通过入口通道404到达靶的加速粒子撞击时发射中子。靶406可以由诸如以下材料构成：氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20、氖-22、钽、钨、铅、汞、铊、钍、铀、镎和其他超铀元素。入口通道被配置成接受冲击入口通道的加速粒子中的大于50％。类似图3的反应室304的壁，图4-图5的壁402充当中子反射器，其围绕反应室410并且使到达壁的中子中的至少一些返回至包含较高密度的反应物核的反应室410，以增加每个中子将被反应物核俘获的可能性。壁包括调节核，使得壁包括具有低中子俘获截面的高调节比材料。例如，壁402可以包括铍和/或碳。在至少一个实施方案中，壁在厚度方面为大于约20厘米且小于约15米。在一些实施方案中，使用在一米和三米之间的厚度值。在所示的实施方案中，入口通道404由将容器壁402的外表面414连接到靶406的径向延伸的管状壁412来界定。如图5所示，球形壳形反应室410通过球形靶406和径向延伸的管状壁412与入口通道404分离。球形壳400还可以包括用于从反应室410直接提取反应产物或衰变产物的通道416。通道416可以包括阀和其他类似的机械结构。粒子加速器420将粒子的高能束422引导到系统400的入口通道404中(图7)。在束422的路径内的靶406在粒子束撞击靶时产生中子。粒子加速器420可以提供，例如，高能的质子束、氘核束、氚核束、氦束或其他粒子束。粒子加速器420和靶406一起构成中子源，该中子源既不是反应器也不是亚临界组件。在至少一个实施方案中，在靶406处产生的中子以完全地或部分地各向同性方式被发射。因此，将中子发射靶放置在近似球形的反应室的中心处有助于中子在反应室410的容积中的相对均匀的分布，在反应室410的容积中预期的反应物核等待发射的核。然而，在各向异性地或定向地提供或发射中子的实施方案中，靶406可以，例如与壁402非同心地，被构造并且放置在反应室410内或相对于反应室410的任何位置，以关于在室中通过预期的反应物核的俘获使中子效率最大化。在反应室410内(图5)，如已经参照图3的反应室304所描述的，中子320被反应物核322俘获以产生期望的反应产物核324。因此，反应产物核324可以包括通过中子俘获反应从钼-98反应产物核324产生的钼-99核。由于钼-99核的衰变，也可以存在锝-99m衰变产物核328。调节核326也可以存在于反应室410中，调节核还任选地充当反射核。在至少一个实施方案中，并且如已经参照图3所描述的，调节核326包括选自由氘、氚核、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20和氖-22组成的组的原子的核。根据至少一个其他实施方案，用于从反应物核产生反应产物核的系统500在图6中表示。系统500不同于图5的系统400，因为使用中子源424来代替加速器420和靶406。在图6中，中心室408被界定在反应室410内，以通过入口通道404接收中子源424。中子源424可以是能够以各向同性方式发射中子的中子发生器装置，或是发射中子的放射性衰变源，诸如锎-252。系统500在其他方面类似于系统400，至以上参照图5的描述也适用于图6的程度，特别地，其中相同的参考数字指代相同的元件。在涉及图3、图5和图6的操作实例中，针对中子俘获所预期的反应物322为98Mo，反应产物324为99Mo，并且衰变产物同位素为99mTc。中子320被发射到反应室410中。当中子320被98Mo反应物核322俘获时，产生99Mo反应产物324核。99Mo反应产物核324最终衰变以通过β衰变形成99mTc衰变产物核328。在该实例中，反应物核322和调节核326可以存在于作为非限制性实例的液体、气体或凝胶中。在该操作实例中，98Mo反应物322可以与调节剂326在溶液或悬浮液中组合。作为非限制性实例，调节核326可以包括氘、氚、氦-4、锂-7、铍、硼-11、碳、氮-15、氧、氟、氖-20和氖-22。另外的调节剂实例包括氘代的化合物，诸如氧化氘(D2O)、氘代的过氧化氢(D2O2)和氘代的有机化合物(DnCmOp)。其他调节剂实例包括氧气(O2)、二氧化碳(CO2)、氘代甲醇、氘代乙醇和氟。可以使用其中可以悬浮98Mo反应物的各种溶剂或流体，只要溶剂或流体成分相对于98Mo反应物具有低的微观热中子俘获截面。通常，这些溶剂或流体可以包括如氢、氦、碳、氧、氟的元素和一些其他元素的同位素。98Mo反应物可以悬浮或溶解到这些流体或溶剂中。可选择地，代替将98Mo反应物悬浮或溶解在单独的液体或流体中，98Mo反应物可以是液体或固体化合物的成分，诸如，非限制性实例，二氟化钼、氟化钼、四氟化钼、六氟化钼、钼氧化物，和钼、氧和氟的化合物(MoOnFm)。衰变产物核或反应产物核可以经由元件318(图3)或通道416(图5和图6)从反应室直接且连续地提取，所述元件318或通道416中的每个可以包括阀或意欲执行放射化学分离的其他机械结构和化学结构以分离期望的产物。处理可以连续进行或以分批模式进行。根据至少一个实施方案，用于产生期望的核物质的系统700在图7中表示。系统700包括在外壁702内的至少部分球形的组件。系统700由基座704支撑，基座704表示为用于示例性目的的梯形基架。基座704支撑系统700的重量，而不干扰实际操作。在外壁702内，多个球形壳层以同心布置围绕中心靶706。当粒子束750被入射到靶上时，中心靶706发射中子。中子被发射到围绕中心靶706的球形壳层中，中子中的至少一些从最内层710传递到更外层(moreouterlayer)。球形壳层的至少一个充当中子俘获反应容积，具有针对存在的中子俘获反应所预期的核。其他层充当调节层和/或反射层，以增加从中心靶706发射的中子被期望的核俘获的可能性。虽然在图7中示出了五个球形壳层，但是这些描述涉及具有少于和多于五个球形壳层的层状结构。为了实例的目的，图7中所示的球形壳反应室层在本文中描述，从中心球形靶706到外壁702的径向尺寸的增加，为：第一层710；第二层712；第三层714；第四层716；和第五层718，其中它们的编号顺序对应于它们在层状结构中的径向有序位置。在至少一个实施方案中，中心球形靶被界定最内层的室代替。类似于图3的反应室304的壁，图7的壁702可以充当中子反射器，围绕反应室并且使到达壁的中子中的至少一些反射，以增加每个中子将被期望的反应物核俘获的可能性。壁包括调节核，使得壁包括具有低中子俘获截面的高调节比材料。例如，壁702可以包括铍、氧和/或碳。调节核可以存在于反应室的壁内部的球形壳层中，并且这些调节核也可以充当中子反射器。在至少一个实施方案中，壁的厚度为大于约20厘米且小于约15米。在一些实施方案中，使用接近1-2米的厚度。在图7中，四个球形径向中间边界以横截面示出为：第一层710和第二层712之间的第一边界720；在第二层712和第三层714之间的第二边界722；在第三层714和第四层716之间的第三边界724；以及在第四层716和第五层718之间的第四边界726。在各种实施方案中，球形边界表示：支撑和分离相邻层的结构材料；或其中层会合而没有保持其分离的另外的结构材料的界面。也就是说，中心球形靶706和有序层710、712、714、716和718在各种实施方案中通过它们的位置、内容和其他物理性质(诸如在径向中间边界处在它们之间具有或没有中间材料的温度)是不同的。附加的结构构件可以用于连接和/或支撑每个层和边界。在图7中示出了示例性径向布置的束730，其如同辐条一样延伸为使边界720、722、724和726互连。在图7的系统700的至少一个实施方案中，可以通过其构造球形边界的结构材料包括低微观热中子俘获截面材料。例如，可以使用碳化硅、碳化铍、碳和锆。结构材料层的最佳厚度及其组成在实施方案中不同。在各种实施方案中的结构层足够厚以赋予稳定性，但没有厚到过度俘获中子并且降低中子效率。在一些实施方案中，可以使用具有小于300毫靶恩的平均微观热中子俘获截面的结构材料，诸如锆。在其他实施方案中，可以使用具有小于30毫靶恩的平均微观热中子俘获截面的结构材料，诸如包含碳、氘和氧的聚合物或塑料。在一些实施方案中，提供结构支撑的材料可以兼作调节核。在从靶706发射中子时，在靶和围绕层710、712、714、716和718中的一个或更多个内的系统700的外壁702之间发生中子俘获过程，以促进期望的核物质的产生。为了方便起见，外壁702被示出为球形边界，但在一些实施方案中可以采取其他形式。入口通道732表示为锥形孔，该锥形孔的尺寸从外壁702朝向中心球形靶706减小。入口通道732允许粒子束750到达靶706。在图7中示出了界定入口通道732的径向延伸壁734，呈圆锥形，以匹配通过分层结构的锥形孔。在各种其他实例中，壁734和孔具有其他形状，例如匹配圆柱形状而不是锥形，以界定入口通道732。在至少一个实施方案中，径向延伸壁734将外壁702连接到中心靶706，将层710、712、714、716和718彼此分离，并且与外壁702的外部分离，同时允许进入中心靶706。入口通道732被示出为对向的立体角736，其为了示例性说明的目的而被示出为锐角。在其他实施方案中，角736是钝角。在至少一个实施方案中，立体角736为约2π的球面度，使得层710-层718是半球形的。因此，在各种实施方案中，立体角730可以具有任何值，并且入口通道732可以具有任何尺寸和形状。入口通道732可以服务于两个或更多个目的。它允许粒子束到达系统700的中心，其中进来的粒子诸如质子、氘核、氦核和其他抛射物可以产生中子，例如通过在中心靶处诱导核反应。例如，如果使用铍作为中心靶706，则类似质子的进来的高能粒子可以通过9Be(p，n)反应产生中子。入口通道732还允许冷却流体的进入和离开以控制系统700的层中的温度。例如，可以使用液氦、氧气和/或其他冷却剂来保持中心球形靶706和层710-层718的温度，各自在特定的相应温度。在系统700的一些实施方案中，维持温度以优先控制调节比和/或增加期望的反应物同位素的微观中子俘获截面。在一些实施方案中，温度在一些层中降低至小于100开氏度，并且甚至低至氦的沸点，并且甚至更低。在各种实施方案中，这些所描述的目的中的一个或两个可以由入口通道732来服务。例如，中子产生机构可以完全包含在容器内部，并且可以需要或可以不需要冷却或加热。此外，可以存在多于一个孔。孔的形状、尺寸、位置和数量可以变化，而不改变上述原理。一些实施方案可以不使用任何孔。在至少一个实施方案中，在中子能量远高于热能的容积中，中子发射靶包括至少10克的核，该核具有大于反应物核的微观热中子俘获截面的微观热中子俘获截面。在至少一个实施方案中，中子发射的靶包括至少10克的核，该核具有大于反应物核的微观热中子俘获截面的微观热中子俘获截面，并且其中中子发射的靶被配置(例如几何学上、热地)以吸收尽可能少的中子，例如小于在靶处产生的所有中子的1％、5％或10％。在至少一个实施方案中，外部递送的粒子束750进入入口通道，以通过在靶706处的核反应产生中子。在另一个实例中，中子的RI衰变源被放置在靶位置处，例如AmBe、252Cf、PuBe，并且可以使用其他源。因为系统被设计成调节甚至高能量的中子(例如，甚至大于8-14MeV)，所以系统可以处理各种各样的中子能量输入而不损失功能。例如，可以使用DT中子和散裂源。各种中子强度或输入速率也是可接受的。由本文所述的一个或更多个实施方案实现的基础设计原理指向增加任何一个中子被给定的预期的反应物俘获的概率。结果，递送到容器中的中子的强度不应当大大地改变平均中子效率。这里已经存在商业加速器，例如其可以达到产生这些中子强度所需的能量和束电流。例如，当入射到产生中子的靶上时，包括质子、氘、氚、氦和其他实例的粒子可以在几十到几百MeV的能量下每个入射粒子产生0.1和5个之间的中子。不同的靶在称为核散裂的过程中产生不同的中子产量。在至少一个实例中，高能(几十到几百MeV)粒子束被入射在丰中子的靶(neutronrichtarget)上，产生用于实际操作的足够的中子。假设每个入射核粒子产生约一个中子，则需要约1016个粒子/秒的束，或几毫安的束电流。在毫安束电流或更高的束电流下可以提供几十或几百MeV的束在工业研究实施中例如在质子治疗中是可用的。可以保证较高或较低的束能量和束电流以降低成本或随着时间改变产生速率，以改变中子产生靶加热的速率，例如由于在高能粒子减速时的加热，其中一些碰撞产生热量而不是(或除了)中子。在图8中，粒子加速器800将粒子的高能束802引导到系统700的入口通道732(图7)。在图8中，仅明确地示出了中心球形靶706以表示图7中更清楚地示出的分层壳结构。参见图7，图8表示具有任何数量的近似球形壳层的层状结构。图8示出了一种配置，其中预期的反应物核可以存在于任何层或所有层中并且可以另外地充当结构材料。束802的路径内的靶核804在束粒子撞击时产生中子806。在该示意性图示中，发射例如质子、氘核、氚、氦或其他粒子的粒子加速器800使通过入口通道732进入系统700的入射粒子或核的高能束撞击靶804，引起中子806被发射。图7-图8表示以系统700内的高调节比率容积为特征的材料和几何结构的许多配置。所示的布置可在这些描述的范围内变化，而不损害高中子效率。根据在这些描述的范围内的实施方案，许多形式的中子产生引起中子以主要地或部分地各向同性的方式被发射。将中子发射靶接近容积的中心可以帮助将各向同性发射的中子均匀地分布到富含针对中子俘获的核的区域中，以帮助使中子效率最大化。可选择地，在中子发射中具有各向异性的情况下，可以改变或最佳地选择中子发射器的位置和形状以提高中子效率。在各种实施方案中提供加热和/或冷却以将中子产生靶维持在选定的稳定温度下。冷却可以用于通过减少中子能量并且因此增强预期的反应物核诸如98Mo核的微观中子俘获截面来促进反应物核的中子俘获速率的提高。冷却可以包括低温冷却。加热还可以用于通过增加中子能量来减少非反应物核的中子俘获。在本文所述的冷却剂和在外壳内携带冷却剂的任何管子、管道和套管优选地还具有小的微观中子俘获截面，但是能够在不损害功能完整性的情况下处理比室温更冷的温度或低温温度。管子材料可以包括，例如：用碳、氘、氧、铍、氟和其他低微观中子俘获截面材料构造的任何聚合物；或金属，类似，例如锆。应当施加足够的冷却剂以除去在中子产生期间产生的废热，并且还将容积的任何层冷却至低于室温的温度，例如，低至100华氏度、30华氏度、10华氏度或低于氦的沸点。在一些实施方案中，还可以使用加热以使温度升高为高于室温的有意应用，以便增加中子能量并且从而减少微观中子俘获截面。如果使用较低的温度，那么在构造中使用的结构材料应当能够在低于室温和低温的温度下操作，并且还能够承受在室温和低于室温或低温温度之间的温度循环。如果使用冷却剂，那么其可以在多于一个地方进入和离开内部容积。例如，除了在孔处进入和/或离开之外，冷却剂可以在各种管道处进入或离开。可以使用或具体制造可商购的结构材料、管道、电子部件、热交换器等的专用低微观热中子俘获截面变型以在该装置中使用。在图9中，表示出了示例性热控制系统900以用于与分层壳容器902一起使用，该分层壳容器902表示具有围绕中心球形靶或空腔906同心布置的任何数量的球形壳904的分层结构。高能束910通过孔912进入容器902，并且束910的路径内的靶核914在束粒子撞击靶时产生中子。图9示出了其中预期的反应物核可以存在于任何或所有的层中的配置，并且因此示意性地表示至少在图5和图7-图8中所示的系统的热维持的实施。热控制系统900包括任何数量的主管道920和子管道922和924，界定了构成在分层壳容器902的分层结构中实现的分支流体分配网络的发送和返回流体路径，使得壳层904可以独立地维持或一起热地维持。在至少一个实施方案中，标准低温流体产生器926用于循环足够去除较高微观中子俘获截面污染物的低微观中子俘获截面冷却剂流体。在另一个实施方案中，冷却流体用于将反应物核保持在200K和250K之间。冷却，无论是低温或其他，都应当以不干扰束910进入孔的方式进行。特别地，在容器902内，管道线、管子、外壳和分布式冷却剂应当具有低微观中子俘获截面，以便使由容器内的材料而非预期的反应物俘获的中子最小化。满足这些条件的各种冷却系统和布置在这些描述的范围内，正如是低于室温的或低温的流体输送、存储和生产的各种方法。在一些实施方案中，产生的放射性同位素的除去可以通过允许各种层自然地冷却或加热至室温来进行，或如果材料以冷冻形式存在(例如在固体D2O、氧气、氮-15等中的98Mo或99Mo)则通过除去冷冻物质而发生。除去还可以涉及允许液体蒸发，仅留下Mo，例如从液态氧或氦气中的Mo。在一些实施方案中，为了提取和运输放射性同位素诸如99Mo，可以遵循现有的放射化学方法和现有的或修改的供应链程序。在99Mo不可能容易地从98Mo前体中提取或这样的提取不需要或不必要的情况下，Mo的质量可以一起运输，用于目前可商购的锝-99m发生器中，并且返回以具有提取用于再利用的钼。在一些实施方案中，可以使用改变的或改进的锝-99m发生器，其可以成功地使用比由当前商用技术状态的锝发生器所使用的比放射性水平低的比放射性水平。因为使用浓缩的钼有助于高中子效率操作，所以使用使浓缩的(昂贵的)98Mo的损失最小化的运输和返回容器的方法可以是合意的。根据这些描述的装置按以下这样的方式构造：除去或添加反应物核材料诸如98Mo是快速的且容易的。例如，它可以按以下这样的方式构造：包含反应物核材料的层或多个层容易地被除去、泵出或添加回来。具有用于中子吸收/俘获的预期的反应物核的容积或多个容积优选地特别构造成用于在照射后方便地除去激活材料。此外，可以使用浓缩材料(例如，以80％或更多浓缩的98Mo)。下面在表1-表4中进一步详细说明了若干示例性配置，其指定密度、材料、温度、尺寸被指定为图7的系统700的中心靶706和层710(第一层)、层712(第二层)、层714(第三层)、层716(第四层)和层718(第五层)。应当理解的是，这些配置被提供作为实例，而不将这些描述限于这些实例。不是所有可能的配置都将具有球形中心靶和五个同心层。这些只是实例。这些示例性配置源自使用中子运输码的计算机建模。使用MCNP5进行建模，MCNP5是本领域技术人员已知和常用的。为了简化起见，建模不包括结构材料，诸如在对应于图7中的边界720、722、724、726的径向位置处示出的那些。在下面概述的系统的计算机建模的一个实例中，假定输入中子以8MeV从靶706各向同性地发射。在其他情况下，系统的计算机建模假定使用输入中子能量的实质上更大的光谱，具有类似的结果。注意，以下配置中的各种材料可以根据温度为气体、液体或固体形式。在每一个中，为了简化，假定钼被均匀地分布在其指示的层中，尽管它不需要用于操作。表1-配置1室密度(g/cm3)材料温度(开氏度)径向范围(cm)中心靶1.85铍3000-20cm层10空的不可用20-30cm层21.1D2O30030-35cm层31.8651份O，1份98Mo30035-38cm层41.1D2O30038-58cm层51.1D2O30058-199cm表2-配置2表3-配置3室密度(g/cm3)材料温度(开氏度)径向范围(cm)中心靶1.85铍3000-20cm层10空的不可用20-30cm层21.1D2O330-35cm层31.8651份O，1份98Mo335-38cm层41.1D2O338-58cm层51.1D2O30058-199cm当从配置1变化到配置3时，预测中子效率从约2％变化到15％，代表在机器实施中将是商业上竞争的99Mo产生速率的产品收率。表4-配置4室密度(g/cm3)材料温度(开氏度)径向范围(cm)中心靶1.85铍3000-10cm层10.12空的不可用10-15cm层22.8522份D2O，1份98Mo315-20cm层31.1D2O320-40cm层4-层51.1D2O340-199cm配置4具有约20％的估计的中子效率。在不改变这些描述的前提下，可以添加额外的层、或除去层、或修改这些原理，或添加或改变或更改几何结构或材料。已经参照附图描述了特定的实施方案和特征。应当理解的是，这些描述不限于任何单个实施方案或任何特定的特征集合，以及可以出现类似的实施方案和特征，或可以在不背离这些描述的范围和所附权利要求的精神的情况下进行修改和添加。当前第1页1 2 3