1.一种感测装置，所述感测装置包括：
磁偏置层，所述磁偏置层具有第一磁表面和相对的第二磁表面，所述磁偏置层包括第一磁材料，
谐振器，所述谐振器具有第一谐振器主表面和相对的第二谐振器主表面，所述谐振器包括第二磁材料，所述第二谐振器主表面面朝所述第一磁表面，所述第一谐振器主表面具有预定义的通道，
间隔件，所述间隔件设置在所述磁偏置层和所述谐振器之间，和
环境变化受体，所述环境变化受体设置成邻近所述预定义的通道，
其中响应于环境的变化，所述环境变化受体沿所述预定义通道的至少一部分分布，并且其中响应于所述环境变化受体沿所述预定义通道的至少一部分的所述分布，所述谐振器的谐振频率偏移。
2.根据权利要求1所述的感测装置，其中所述预定义的通道包括设置在所述第一谐振器主表面上的薄层材料。
3.根据权利要求1所述的感测装置，其中所述预定义的通道包括在所述第一谐振器主表面上的图案。
4.根据权利要求1所述的感测装置，其中所述预定义的通道包括根据路径设置在所述第一谐振器主表面上的薄层材料。
5.根据权利要求1所述的感测装置，其中所述预定义的通道包括设置成邻近路径的周边的薄层材料。
6.根据权利要求2所述的感测装置，其中所述薄层材料包括以下材料中的至少一种：亲水性材料、芯吸材料、疏水性材料、疏油性材料和亲油性材料。
7.根据权利要求2所述的感测装置，其中所述薄层材料与所述第二磁材料具有化学反应。
8.根据权利要求1所述的感测装置，其中所述预定义的通道包括跨所述第一谐振器主表面的细长通道。
9.根据权利要求1所述的感测装置，其中所述预定义的通道包括一个或多个部分。
10.根据权利要求9所述的感测装置，其中所述一个或多个部分中的至少一个部分设置成靠近所述第一谐振器主表面的边缘。
11.根据权利要求1所述的感测装置，还包括：
外壳，
其中所述磁偏置层、所述谐振器和所述间隔件设置在所述外壳中。
12.一种感测装置，所述感测装置包括：
磁偏置层，所述磁偏置层具有第一磁表面和相对的第二磁表面，所述磁偏置层包括第一磁材料，
谐振器，所述谐振器具有第一谐振器主表面和相对的第二谐振器主表面，所述谐振器包括第二磁材料，所述第二谐振器主表面面朝所述第一磁表面，所述第一谐振器主表面具有预定义的通道，
间隔件，所述间隔件设置在所述磁偏置层和所述谐振器之间，
环境变化受体，所述环境变化受体设置成邻近所述预定义的通道，和
具有一个或多个开口的外壳，所述外壳容纳所述磁偏置层、所述谐振器和所述间隔件，
其中响应于环境的变化，所述环境变化受体沿所述预定义通道的至少一部分分布，并且其中响应于所述环境变化受体沿所述预定义通道的至少一部分的所述分布，所述谐振器的谐振频率偏移。
13.一种感测装置，所述感测装置包括：
磁偏置层，所述磁偏置层具有第一磁表面和相对的第二磁表面，所述磁偏置层包括第一磁材料，
谐振器，所述谐振器具有第一谐振器主表面和相对的第二谐振器主表面，所述谐振器包括第二磁材料，所述第二谐振器主表面面朝所述第一磁表面，所述第一谐振器主表面具有预定义的通道，
环境变化受体，所述环境变化受体设置成邻近所述预定义的通道，和
外壳，所述外壳容纳所述磁偏置层、所述谐振器和支撑所述谐振器的支撑结构，
其中响应于环境的变化，所述环境变化受体沿所述预定义通道的至少一部分分布，并且其中响应于所述环境变化受体沿所述预定义通道的至少一部分的所述分布，所述谐振器的谐振频率偏移。