用于薄膜表征的测量技术的制作方法

文档序号:12511572阅读:来源:国知局
技术总结
一种测量装置,包括高电容率介质谐振器(10),其具有低微波损耗角正切和至少一个第一对称轴(z1);导电谐振腔(100),其包含谐振器(10)且几何形状类似于该谐振器(10),并具有与第一对称轴(z1)重合的第二对称轴(z2);谐振腔(100)具有与第一对称轴(z1)正交的多个相似端口(104),每个此类端口(104)都具有微波天线(114),用于将微波射入谐振腔,从而在谐振器中激励出电场,或者用于从谐振腔接收微波;以及比较电路(200、300、400、500、600、700、800),其连接至所述多个端口(104)中用于将微波射入谐振腔的第一端口(P1),同时还连接至所述多个端口(104)中用于接收来自谐振腔的微波的其他端口(P2、P3);其中该测量装置还包括与谐振腔(100)电接触的导电调谐螺钉(106),该调谐螺钉至少可部分地位于谐振器中激励出的电场中;以及磁力源(18),该磁力源(18)用于对引入至谐振器(10)的上表面(12)邻近处的样本施加磁场,该上表面(12)基本平行于或反平行于第一对称轴(z1);以及其中用于接收来自谐振腔(100)的微波的所述多个端口(104)的其他端口中的一个(P3)与用于将微波射入谐振腔的所述多个端口(104)的第一端口(P1)正交。这样的测量装置可用于在谐振器(10)并未与薄膜或其上形成有薄膜的衬底(20)接触的情况下,测量薄膜(30)的电导率或薄膜电阻以及薄膜的载流子迁移率。

技术研发人员:郝玲;约翰·查尔斯·盖洛普
受保护的技术使用者:商业创新技能研究院
文档号码:201580045695
技术研发日:2015.07.24
技术公布日:2017.05.31

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