技术特征：
技术总结
本公开涉及用于感测外部磁场的磁性传感器设备（100），其包括多个MLU单元（1），每个MLU单元（1）包括磁性隧道结（2），所述磁性隧道结（2）包括具有可自由地在外部磁场中定向的感测磁化（210）的感测层（21）、具有存储磁化（230）的存储层（23），以及在感测层（21）和存储层（23）之间的隧道势垒层（22）；磁性传感器设备（100）还包括应力诱导设备（6），其被配置用于在磁性隧道结（2）上施加各向异性机械应力从而诱导感测层（21）和存储层（23）中的至少一个上的应力诱导的磁各向异性（271、272）；并且由应力诱导设备诱导的应力诱导的磁各向异性（271、272）基本上对应于感测层（21）和存储层（23）中的所述至少一个的净磁各向异性（280）。磁性传感器设备可以被容易地编程并且具有改进的灵敏度。
技术研发人员：S.班迪伊拉
受保护的技术使用者：克罗科斯科技公司
技术研发日：2015.12.23
技术公布日：2017.08.29