1.一种852nm窄线宽半导体激光器线宽测试系统，其特征在于，主要包括：
半导体激光器(1)、第一3dB耦合器(2)、多模延时光纤(3)、声光移频器(4)、第二3dB耦合器(5)、光电探测器(6)和频谱仪(7)组成；
半导体激光器输出端口为FC/PC的光纤接口，通过法兰盘将半导体激光器与第一3dB耦合器的输入端口相连接；第一3dB耦合器输出为两路，一路通过法兰盘连接延时多模光纤，另一路通过法兰盘连接声光移频器；第二3dB耦合器把多模延时光纤的输出与声光移频器的输出合为一路；第二3dB耦合器的输出端连接光电探测器，光电探测器的输出端使用BNC射频线与频谱仪相连接。
2.按照权利要求1所述的一种852nm窄线宽半导体激光器线宽测试系统，其特征在于，所述半导体激光器为852nm窄线宽半导体激光器，激射波长为852nm，出光面镀有反射率小于0.01％的减反膜，另一面镀有反射率大于90％的高反膜。
3.按照权利要求1所述的一种852nm窄线宽半导体激光器线宽测试系统，其特征在于，所述的第一3dB耦合器和第二3dB耦合器，分光比同为50/50，光纤类型是多模光纤，光纤接头为FC/PC。
4.按照权利要求1所述的一种852nm窄线宽半导体激光器线宽测试系统，其特征在于，多模延时光纤，工作波长在850-852nm，延时光纤损耗为3.5dB/km，纤芯直径为50μm，纤芯的折射率为1.5，光纤接头为FC/PC。
5.按照权利要求1所述的一种852nm窄线宽半导体激光器线宽测试系统，其特征在于，所述的声光移频器为针对850nm设计的移频器，工作介质为TeO2，工作中心波长为850-852nm，移频值为100MHz，最大插入损耗为2dB。
6.按照权利要求1所述的一种852nm窄线宽半导体激光器线宽测试系统，其特征在于，光电探测器探测为固定增益硅探测器，探测材料为Si，工作波长范围从200nm到1100nm，在850-852nm处的响应度为0.35A/W，带宽为150MHz，具有固定的增益模块，放大倍数达到5000倍。
7.按照权利要求1所述的一种852nm窄线宽半导体激光器线宽测试系统，其特征在于，所述的频谱仪用于射频信号的频域分析，基于傅里叶变换，通过傅里叶运算将被测信号分解成分立的频率分量处理后获得频谱分布图，带宽为100kHz-3.6GHz，分辨率达到100Hz。