基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统的制作方法

文档序号:14722534发布日期:2018-06-17 21:51阅读:来源:国知局
技术总结
基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统,属于半导体光电子技术领域。包括:半导体激光器、第一3dB耦合器、延时多模光纤、声光移频器、第二3dB耦合器、光电探测器和频谱仪组成;半导体激光器输出端口为FC/PC的光纤接口,通过法兰盘将半导体激光器与第一3dB耦合器的输入端口相连接;第一3dB耦合器输出为两路,一路通过法兰盘连接延时多模光纤,另一路通过法兰盘连接声光移频器;第二3dB耦合器把延时多模光纤的输出与声光移频器的输出合为一路;第二3dB耦合器的输出端连接光电探测器,光电探测器的输出端使用BNC射频线与频谱仪相连接。可测量852nm半导体激光器的线宽,保证测试系统的精确度。

技术研发人员:关宝璐;杨嘉炜;潘冠中;刘振扬;李鹏涛;
受保护的技术使用者:北京工业大学;
技术研发日:2016.05.09
技术公布日:2016.07.13

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