技术总结
本发明公开了一种极大磁场测量方法及装置，涉及磁场测量技术领域。本发明技术要点包括：1：将四个正交配置的隧穿磁阻电阻放置到外加磁场中，并获取各个隧穿磁阻电阻的阻值；2：根据四个隧穿磁阻电阻的阻值计算各隧穿磁阻电阻自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角；3：根据第一隧穿磁阻电阻、第三隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H1及方向θ1；根据第二隧穿磁阻电阻、第四隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H2及方向θ2；4：根据磁场强度H1与磁场强度H2确定外加磁场最终的磁场强度H，根据方向θ2与方向θ1确定外加磁场最终的方向θ。
技术研发人员：欧阳勇;何金良;胡军;王善祥;赵根;王中旭;曾嵘;庄池杰;张波;余占清
受保护的技术使用者：清华大学;清华四川能源互联网研究院
文档号码：201611019155
技术研发日：2016.11.18
技术公布日：2018.03.13