1.一种晶闸管测试电路，包括待测晶闸管(Q1)、感抗性的第一支路(100)、容抗性的第二支路(200)、门极控制装置(300)以及通断控制开关装置(400)，其中：
晶闸管(Q1)的阳极(A)和阴极(K)之间并联第二支路(200)；第二支路(200)的两端与第一支路(100)的两端耦合连接形成LC振荡回路；所述第一支路(100)与直流电压源(VDD)、通断控制开关装置(400)串联形成回路；晶闸管(Q1)的门极(G)连接到门极控制装置(300)。
2.根据权利要求1所述的晶闸管测试电路，其中，所述第二支路(200)为串联连接的电阻(R1)和电容(C1)或者为一RC串联等效电路。
3.根据权利要求1所述的晶闸管测试电路，其中，所述第一支路(100)为一电感元件(L1)或者为一LR串联等效电路。
4.根据权利要求1所述的晶闸管测试电路，其中，所述第二支路(200)和晶闸管(Q1)构成的回路空间位置伴随设置有寄生电感(500)。
5.根据权利要求4所述的电路，其中，所述寄生电感(500)是绘制在晶闸管测试电路的电路板上，绘制的电感尺寸和结构对应相应寄生电感参数值。
6.根据权利要求1所述的晶闸管测试电路，其中，所述通断控制开关装置(400)为双向可导通的或者单向可导通的。
7.根据权利要求1所述的晶闸管测试电路，其中，所述通断控制开关装置(400)由金属氧化物场效应晶体管MOSFET或绝缘栅型双极性晶体管IGBT与二极管(D1)并联实现。
8.根据权利要求1所述的晶闸管测试电路，其中，所述门极控制装置(300)为根据通断控制开关装置(400)的通断时序来输出门极控制信号的装置。
9.根据权利要求1所述的晶闸管测试电路，其中，所述门极控制装置(300)为根据晶闸管(Q1)的阳极(A)和阴极(K)之间的电压来输出门极控制信号的装置。
10.根据权利要求9所述的电路，其中，所述门极控制装置(300)是在晶闸管阳极(A)和阴极(K)之间并联连接一分压电路，分压电路的电压输出(Ur)和参考电压(Uref)分别连接到比较器(320)的两个输入端，比较器(320)的输出端耦合到门极控制脉冲发生器(310)，后者根据比较器(320)的输出信号生成门极导通控制信号。
11.根据权利要求1到10任何一项所述的电路，其中，所述第二支路(200)与第一支路(100)的耦合方式为各支路两端分别直接连接，第二支路和第一支路并联。
12.根据权利要求1到10任何一项所述的电路，其中，所述第二支路(200)与第一支路(100)耦合方式为：各支路的一端直接连接，另一端通过电阻(R5)连接。
13.根据权利要求12所述的电路，其中，所述门极控制装置(300)为耦合于晶闸管(Q1)的门极(G)和阴极(K)之间的无源器件或无源器件的串联和/或并联的组合。
14.一种晶闸管测试方法，包括以下步骤，
S1)搭建晶闸管测试电路，测试电路包括待测晶闸管(Q1)、感抗性的第一支路(100)、容抗性的第二支路(200)、门极控制装置(300)以及通断控制开关装置(400)，
其中，被测晶闸管(Q1)的阳极(A)和阴极(K)之间并联第二支路(200)，第二支路(200)的两端与第一支路(100)的两端耦合连接形成LC振荡回路，所述第一支路(100)与直流电压源(VDD)、通断控制开关装置(400)串联形成回路，晶闸管(Q1)的门极(G)连接到门极控制装置(300)；
S2)根据设定的参数的配置晶闸管测试电路的各部分；
S3)对通断控制开关装置(400)和晶闸管门极(G)施加相应的测试控制信号，从而测试晶闸管(Q1)在该组电路参数下的工作状态；
S4)判断晶闸管(Q1)是否失效，失效则得到测试结果，否则继续步骤S5；
S5)改变测试电路的电路参数，重复步骤S2至S4，令晶闸管工作于不同电路环境直至晶闸管(Q1)失效，从而得到测试结果。
15.根据权利要求14所述的晶闸管测试方法，其中，所述第二支路(200)和晶闸管(Q1)构成的回路空间位置伴随设置有寄生电感，步骤S2配置晶闸管测试电路包括：在电路板上绘制给定形状和尺寸的电感以获得相应参数的寄生电感。
16.根据权利要求14所述的晶闸管测试方法，其中，所述步骤S3包括以下子步骤：
S301)通断控制开关装置(400)导通，第一支路(100)与电压源(VDD)形成通电回路，感抗性的第一支路充能；
S302)经时间ΔT1，通断控制开关装置(400)关断，在晶闸管(Q1)的阳极(A)和阴极(K)之间施加测试电压；
S303)经时间ΔT2，门极控制装置(300)在晶闸管(Q1)的门极(G)施加控制输入，控制晶闸管(Q1)开始导通；
S304)测量和计算晶闸管(Q1)的导通电流上升率Tr并判断晶闸管(Q1)的状态。
17.根据权利要求14所述的晶闸管测试方法，其中，步骤S4判断测试晶闸管(Q1)是否失效的方式为：晶闸管(Q1)对应测试控制信号的一个脉冲周期判断一次，从而获得不可重复的单次临界电流上升率测量值。
18.根据权利要求14所述的晶闸管测试方法，其中，步骤S4判断测试晶闸管(Q1)是否失效的方式为：晶闸管(Q1)对应测试控制信号的每隔一定数量的脉冲周期判断一次，从而获得反复导通条件下的临界电流上升率测量值。
19.根据权利要求14所述的晶闸管测试方法，其中，所述第二支路(200)与第一支路(100)耦合方式为：各支路的一端直接连接，另一端通过电阻(R5)连接；直流电压源(VDD)的电压值和步骤S2中测试电路的元件参数值配置方式为：LC振荡回路中第一支路(100)两端的最高振荡输出电压大于被测晶闸管(Q1)阴极(K)和阳极(A)之间的正向或反向击穿电压。
20.根据权利要求19所述的晶闸管测试方法，其中，所述门极控制装置(300)为耦合于晶闸管(Q1)的门极(G)和阴极(K)之间的无源器件或无源器件的串联和/或并联的组合，模拟晶闸管(Q1)的工作状态。