1.氮氧化物气体传感器芯片，由第一基片、第二基片、第三基片、第四基片、第五基片以及第六基片组成，其特征在于：第一基片、第三基片、第四基片、第六基片的长度相同，第二基片长度为第一基片长度的五分之三，第五基片长度为第一基片长度的五分之二；第二基片位于第一基片和第三基片之间，具体位置为第一基片和第三基片的后段，第一基片和第三基片之间前段空出的位置通过上层第一扩散障碍层和上层第二扩散障碍层从前至后分隔出上层第一扩散空腔a、上层第二扩散空腔b、上层反应空腔c；第一信号内电极布置在上层反应空腔c顶面的第一基片上，第一基片的顶面对应第一信号内电极的位置布置第一信号外电极，第一信号外电极上方覆盖第一信号外电极多孔保护层；第三基片底面与第四基片顶面固定连接，加热器布置在第三基片与第四基片之间，第五基片顶面与第四基片底面固定连接，第五基片底面与第六基片固定连接，第五基片的具体位于第一基片和第三基片的后段，第四基片和第六基片之间前段空出的位置通过下层第一扩散障碍层、下层第二扩散障碍层、下层第三扩散障碍层从前至后分隔成下层第一扩散空腔d、下层第二扩散空腔e、下层第一反应空腔f和下层第二反应空腔g；第二信号内电极布置在下层第一反应空腔f底部的第六基片上，第六基片底面对应第二信号内电极的位置布置第二信号外电极，第二信号外电极多孔保护层覆盖在第二信号外电极上，第三信号内电极布置在下层第二反应空腔g底部的第六基片上，第六基片底面对应第三信号内电极的位置布置第三信号外电极，第三信号外电极多孔保护层覆盖在第三信号外电极上。
2.根据权利要求1中所述的氮氧化物气体传感器芯片，其特征在于所述的上层第一扩散障碍层、上层第二扩散障碍层、下层第一扩散障碍层、下层第二扩散障碍层、下层第三扩散障碍层为带有气孔的蜂窝结构。
3.根据权利要求1中所述的氮氧化物气体传感器芯片，其特征在于所述的第一信号内电极、第一信号外电极、第二信号外电极、第三信号外电极的材料均为铂与氧化锆陶瓷形成的多孔材料。
4.根据权利要求1中所述的氮氧化物气体传感器芯片，其特征在于所述的第二信号内电极材料为含量为0.01%-0.95wt%的金掺杂的铂与氧化锆陶瓷形成的复合材料。
5.根据权利要求1中所述的氮氧化物气体传感器芯片，其特征在于所述的第三信号内电极材料为含量为0.01%-0.95wt%的铑掺杂的铂与氧化锆陶瓷形成的复合材料。
6.根据权利要求1中所述的氮氧化物气体传感器芯片，其特征在于所述的第一信号外电极多孔保护层，第二信号外电极多孔保护层，第三信号外电极多孔保护层的材料为多孔的氧化铝或多孔的氧化锆。
7.根据权利要求1中所述的氮氧化物气体传感器芯片，其特征在于所述的加热器包括上绝缘层，加热电极和下绝缘层从上到下依次叠加，加热电极印制在下绝缘层上，加热电极的材料为贵金属铂，上绝缘层和下绝缘层的材料为致密氧化铝。