高效能闪烁晶体阵列的制作方法

本实用新型属于医疗器械设备领域，具体涉及一种高效能闪烁晶体阵列。

背景技术：

多数高能射线探测器应用过程中使用闪烁晶体阵列作为能量接收端,受到能量激发的闪烁晶体放出荧光,由光电倍增管(PMT)将光信号转换成电子信号后输出。高能射线探测器的效率受闪烁晶体阵列的光输出及能量分辨率影响，具有较高光输出(light output)的闪烁晶体阵列可以缩短探测器所需的侦测时间，并提高准确率。闪烁晶体的生长已经十分成熟，闪烁晶体阵列的性能很难依靠提升材料的品质而有所成长，需藉由阵列组装工艺来提升闪烁晶体阵列的性能。

通常情况下，使用高反射率反射膜作为闪烁晶体阵列的反射层，阵列的组装过程中会在每根晶条之间以UV胶将反射膜与闪烁晶体晶条接合，确定阵列的排序及位置无误后再进行固定，现阶段使用UV胶的方法为“完全涂胶”，指晶条与反射膜之间涂满UV胶并且压紧后无空隙存在，但过多的UV胶导致闪烁晶体阵列的放光效率降低，且溢出的UV胶布满阵列端面，导致后续加工困难，若减少UV胶的使用量也会导致阵列强度不足易散开的问题，导致晶体阵列的放光效率下降及产生漏光的问题。

技术实现要素：

为了解决现有技术中闪烁晶体阵列中晶条若UV胶过多则影响放光效率或污染阵列端面，而UV胶过少则使阵列强度不足，受压等情况下易发生损坏、放光效率降低、产生漏光现象等缺陷，本实用新型提供一种放光效率高、强度大、不会污染阵列端面的高效能闪烁晶体阵列。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案如下：一种高效能闪烁晶体阵列，它包括闪烁晶体晶条、高反射率反射层，所述闪烁晶体晶条为1条以上，所述高反射率反射层位于闪烁晶体晶条与闪烁晶体晶条之间；所述高反射率反射层包括反射膜、光学UV胶层和涂胶接合处，其中，涂胶结合处位于反射膜两侧的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置，两区域共占反射膜总面积的20-50％，光学UV胶层位于在反射膜上。

做为本实用新型的优选技术方案，涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段2/10-3.5/9及下段2/10-3.5/9位置，两区域共占反射膜总面积的30-50％，光学UV胶层位于在涂胶接合处及涂胶接合处至端面边沿的范围内。

做为本实用新型的更优选技术方案，涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段1/3及下段1/3位置，两区域共占反射膜总面积的40-50％，光学UV胶层位于在涂胶接合处范围内，均匀的贴合于涂胶接合处上。

做为本实用新型的最优选技术方案，涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段1/3及下段1/3位置，两区域共占反射膜总面积的50％。

做为本实用新型的优选技术方案，位于反射膜两侧的涂胶结合处位置相对，大小相同。

所述晶条为N×M条，N≥2，M≥2，组合成阵列，大多情况下，N＝M。

还包括高反射率外包层，高反射率外包层位于阵列外，包裹阵列的5个面，未被包裹的阵列的面为由闪烁晶体晶条端面组成的平面。

当然，做为本实用新型的替换，涂胶接合处也可以在闪烁晶体晶条上，光学UV胶层基本位于涂胶接合处范围内，光学UV胶层的形状可以不规则，也可以规则。但是这是一种变劣的技术方案，因为闪烁晶体晶条对洁净度的需求非常高，若在闪烁晶体晶条上设置涂胶接合处进行光学UV胶层的铺设，很容易污染闪烁晶体晶条，使得产品质量下降。

与现有阵列制作方式相比，本实用新型的有益效果：

1.本实用新型与传统方式比较，减少光学UV胶层量和控制光学UV胶层分布位置可以减少放光损耗，在相同晶体材料、光学UV胶的条件下能提高30％的光输出(light output)。

2.本实用新型适当减少光学UV胶的使用量和控制其位置，并使其达到最佳的平衡，避免UV胶在组装过程中溢出残留于阵列表面，减低组装过程中的难度。

3.本实用新型控制UV胶的接合位置，使阵列具有良好的固化强度，经试验验证，与全面积涂胶强度差别不大，完全能适应3倍当前工作环境压力的条件，经循环压力检测，没发生脱落、损坏。

4.本实用新型控制涂胶位置，降低了因中部位置涂胶而产生的放光损耗，经试验验证，在相同晶体材料、光学UV胶、涂胶面积相同的情况下，在上下两端不涂胶，只在中部涂胶，则强度降低，放光损耗也比在两端涂胶大。

5.本实用新型产品光输出强，牢固性强，结构设计科学合理、降低了组装难度，适宜推广应用。

附图说明

图1为实施例1高效能闪烁晶体阵列结构示意图；

图2为实施例1晶条和高反射率反射层拆分结构示意图；

图3为实施例1晶条和高反射率反射层组合结构示意图；

图4为实施例2晶条和高反射率反射层组合结构示意图。

具体实施方式

下面参照附图详细描述本实用新型的实施方式。

实施例1：

参见图1-3本实施例高效能闪烁晶体阵列结构示意图，其中图3是选取了高效能闪烁晶体阵列中部的3条闪烁晶体晶条和高反射率反射层的组合：

一种高效能闪烁晶体阵列，它包括闪烁晶体晶条3、高反射率反射层4，所述闪烁晶体晶条为25条，形成5×5的阵列1，还包括高反射率外包层2，高反射率外包层2位于阵列1外，包裹阵列1的5个面，未被包裹的阵列1的面为由闪烁晶体晶条端面8组成的平面。

所述高反射率反射层4位于闪烁晶体晶条3与晶条之间；所述高反射率反射层4包括反射膜5、光学UV胶层6和涂胶接合处7，其中，位于反射膜5两侧的涂胶结合处7位置相对大小相同，涂胶结合处7中心位于反射膜5两侧的上段1/3及下段1/3位置，两区域共占反射膜总面积的30％左右，光学UV胶层6均匀分布在涂胶接合处7上。

上述各图仅为示意图，仅供参考和理解，具体比例和位置以实施例说明为准。

实施例2：

参见图4，其中图4是选取了本实施例高效能闪烁晶体阵列中部的3条闪烁晶体晶条和高反射率反射层的组合：涂胶结合处7位于反射膜5两侧的上段3/22-6/22及下段3/22-6/22位置，涂胶结合处7中心位于上段及下段的3.5/22位置上，涂胶结合处7的上下两段上的两区域共占反射膜总面积的27％。其余同实施例1。上述各图仅为示意图，具体比例和位置以实施例说明为准。

实施例3：

涂胶结合处7中心位于反射膜5两侧的上段1/3及下段1/3位置，两区域共占反射膜总面积的50％，其余同实施例1。

当然，以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。