抗震型闪烁晶体阵列的制作方法

本实用新型属于医疗器械设备领域，具体涉及一种抗震型闪烁晶体阵列。

背景技术：

辐射探测器的种类广泛，这些探测器可以测量辐射射线和它们的性质，常用的有电离室、计数管和闪烁计数器、原子核乳胶、固体核径迹探测器和半导体探测器等。其原理主要是利用辐射线与物质相互作用时所产生的多种效应。如应用带电粒子与物质作用产生电离的原理制作的电离室、计数管，以及α径迹探测器等；利用其荧光作用做成的闪烁计数器；利用电离和激发所引起的化学反应过程制作原子核乳胶，固体核径迹探测器等。其中闪烁计数器分辨时间短、效率高，还可根据电信号的大小测定粒子的能量，其应用过程中多数使用闪烁晶体阵列作为能量接收端,受到能量激发的闪烁晶体放出荧光,由光电倍增管(PMT)将光信号转换成可测量的电子信号后输出。

通常情况下，闪烁晶体阵列作为接收端安装在辐射探测器上必须直接将阵列的出光面接触光电倍增管，且阵列是由加工过的闪烁晶体组装而成，本身并不具备良好的物理强度，安装或使用辐射探测设备的过程不可避免的造成阵列随之震动，受到应力容易使阵列散开或晶条破损，但现有闪烁晶体阵列只有在外侧包覆一层铝箔胶带，作为保护层并无法阻隔晃动、震动等外力带给阵列的影响，若阵列受到外力影响导致结构松散将产生漏光的现象，破坏闪烁晶体阵列的收光与成像效果，进而影响辐射探测器的功能。

如何设计一种抗震型闪烁晶体阵列，是现有技术急需解决的技术难题。

技术实现要素：

为了解决闪烁晶体阵列因受到外力影响导致结构松散或晶体受损的问题，避免阵列产生漏光、收光与成像效果不佳的问题，进而影响辐射探测器的功能，本实用新型提供一种具有更好保护效果，不会受损或漏光的耐抗震闪烁晶体阵列。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案如下：一种耐抗震闪烁晶体阵列，它包括闪烁晶体阵列与保护层，所述保护层位于闪烁晶体阵列四周及底面，保留闪烁晶体阵列一端面作为出光面；所述保护层包括抗震层、双面铝箔胶带，单面铝箔胶带，其中抗震层位于保护层的中间，抗震层两侧为单面铝箔胶带及双面铝箔胶带，双面铝箔胶带位于抗震层与闪烁晶体阵列之间。

所述保护层为由所接触的闪烁晶体阵列的面大小相同，形状一致的片状结构组合而成。

所述闪烁晶体的端面是指由所有闪烁晶体晶条端面组成的面。侧面是指由最外层闪烁晶体晶条侧面组成的面。

所述抗震层材料选自EPE珍珠棉、硅胶、橡胶、高分子塑料中的任意一种。

所述闪烁晶体阵列包括闪烁晶体晶条、高反射率反射层、高反射率外围层，所述闪烁晶体晶条为1条以上，所述高反射率反射层位于闪烁晶体晶条与闪烁晶体晶条之间；所述高反射率反射层包括反射膜、光学UV胶层和涂胶接合处，其中，涂胶结合处位于反射膜两侧的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置，两区域共占反射膜总面积的20-50％，光学UV胶层均匀分布在涂胶接合处上；所述高反射率外围层位于闪烁晶体晶条和高反射率反射层形成的阵列除出光面的5个面外表面，与阵列贴合固定。

更进一步的，涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段1/3及下段1/3位置，两区域共占反射膜总面积的25-35％，光学UV胶层均匀分布在涂胶接合处上。

做为本实用新型的更优选技术方案，涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段1/3及下段1/3位置，两区域共占反射膜总面积的30％。

做为本实用新型的优选技术方案，位于反射膜两侧的涂胶结合处位置相对，大小相同。

所述闪烁晶体晶条为N×M条，N≥2，M≥2，组合成阵列，大多情况下，N＝M。

本实用新型的有益效果在于：

1.本实用新型闪烁晶体阵列外的包覆材料具有更佳的保护效果，不易因外力因素产生阵列散开的问题。

2.本实用新型本技术使闪烁晶体阵列不易产生漏光问题，提高阵列运作时的稳定性。

3.本实用新型减少光学UV胶层量和控制光学UV胶层分布位置可以减少放光损耗，在相同晶体材料、光学UV胶的条件下能提高31％的光输出。

4.本实用新型适当减少光学UV胶的使用量和控制其位置，并使其达到最佳的平衡，避免UV胶在组装过程中残留于阵列表面，减低组装过程中的难度。

附图说明

图1是实施例耐抗震闪烁晶体阵列未组装情况俯视图；

图2是实施例1保护层的结构示意图；

图3是实施例1的结构示意图；

图4是实施例1部分剖开结构示意图；

图5是实施例2的闪烁晶体晶条和高反射率反射层的拆分结构示意图。

具体实施方式

下面参照附图1-5详细描述本实用新型的实施方式。

实施例1：

参见图1-4一种耐抗震闪烁晶体阵列，它包括闪烁晶体阵列1与保护层2，所述保护层2位于闪烁晶体阵列1四周及底面，保留闪烁晶体阵列端面8作为出光面；所述保护层包括抗震层10、双面铝箔胶带9，单面铝箔胶带11，其中抗震层10位于保护层2的中间，抗震层10两侧为单面铝箔胶带11及双面铝箔胶带9，双面铝箔胶带9位于抗震层10与闪烁晶体阵列1之间。

所述抗震层10材料选自EPE珍珠棉、硅胶、橡胶、高分子塑料中的任意一种。

实施例2：

参见图5，基于实施例1的技术进行进一步说明：闪烁晶体阵列1包括闪烁晶体晶条3、高反射率反射层4、高反射率外围层12，所述闪烁晶体晶条为25条，形成5×5的阵列1，还包括保护层2位于阵列1外，包裹阵列1的5个面，未被包裹的阵列1的面为由闪烁晶体晶条端面组成的阵列端面8。

所述高反射率反射层4位于闪烁晶体晶条3与晶条之间；所述高反射率反射层4包括反射膜5、光学UV胶层6和涂胶接合处7，其中，参见图3本实施例抗震型闪烁晶体阵列结构示意图：涂胶结合处7中心位于反射膜5两侧的上段1/3及下段1/3位置，两区域共占反射膜总面积的30％，光学UV胶层6均匀分布在涂胶接合处7上。位于反射膜5两侧的涂胶结合处7位置相对，大小相同；所述高反射率外围层12位于闪烁晶体晶条和高反射率反射层形成的阵列的除出光面外表面的5个面上，与阵列贴合固定。

当然，以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。