固支梁T型结间接加热式微波信号检测器的制作方法

本发明提出了固支梁T型结间接加热式微波信号检测器，属于微电子机械系统的技术领域。

背景技术：

微波信号相位测量在微波测量中占有十分重要的地位。随着频率的增加，信号的波长与电路中各种元器件尺寸逐步接近，电路中电压、电流都以波的形式存在，信号的相位延迟使得电路中不仅不同位置处的电压、电流在同一时刻振幅各不相同，而且同一位置处的电压、电流在不同时刻也各不相同。因此在微波频段掌握并控制信号的相位是很有必要的。本发明即是基于Si工艺设计一种单个芯片同时实现检测微波功率、相位、频率的固支梁T型结间接加热式微波信号检测器。

技术实现要素：

技术问题：本发明的目的是提供一种固支梁T型结间接加热式微波信号检测器，应用六端口固支梁耦合器端口来耦合连接不同的检测功能模块，从而实现了一个芯片同时对微波信号的功率、相位、频率三种微波参量的检测、具有低功耗、低成本的益处。

技术方案：本发明的固支梁T型结间接加热式微波信号检测器由六端口固支梁耦合器，通道选择开关，微波频率检测器，微波相位检测器组成；

六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，待测信号经第一端口输入，由第二端口输出到第一间接加热式微波功率传感器，由第四端口和第六端口输出到微波相位检测器的第一T型结功率合成器和第二T型结功率合成器，并由第一T型结功率合成器和第二T型结功率合成器接第四间接加热式微波功率传感器和第五接加热式微波功率传感器；由第三端口和第五端口输出到通道选择开关；通道选择开关的第七端口和第八端口分别接第二间接加热式微波功率传感器和第三间接加热式微波功率传感器，通道选择开关的第九端口和第十端口接微波频率检测器的第三T型结功率合成器，由第三T型结功率合成器接第六间接加热式微波功率传感器；从而实现了对微波信号功率、相位、频率的检测。

其中，六端口固支梁耦合器由共面波导，介质层，空气层和横跨在其上方固支梁构成；共面波导制作在SiO₂层上，锚区制作在共面波导上，固支梁的下方沉积介质层，并与空气层、固支梁共同构成耦合电容结构，两个固支梁之间的共面波导长度为λ/4；

有益效果：

1)本发明的固支梁T型结间接加热式微波信号检测器将微波信号的功率、相位、频率三种测模块集成到一起，应用六端口固支梁耦合器的固支梁来耦合输入信号到不同的检测功能模块，实现了一个芯片同时对微波信号的功率、相位、频率三种微波参量的检测、具有低功耗、低成本的益处；

2)本发明的固支梁T型结间接加热式微波信号检测器应用间接加热式微波功率传感器检测微波信号的功率，具有较好的微波特性且无直流功耗；

3)本发明的固支梁T型结间接加热式微波信号检测器采用T型结实现对微波信号的功率合成与分配，避免了传统Wilkinson功率分配器中隔离电阻的加工对微波性能的影响；

4)本发明中的微波相位检测模块应用两个T型结功率合成器，一个T型结功率分配器和两个间接加热式微波功率传感器实现0-360°的相位检测。

附图说明

图1为本发明固支梁T型结间接加热式微波信号检测器原理框图，

图2为六端口固支梁耦合器的俯视图，

图3为图2六端口固支梁耦合器的AA’方向剖面图，

图4为通道选择开关的俯视图，

图5为图4通道选择开关的AA’方向剖面图，

图6为T型结功率分配/合成器的俯视图，

图7为间接加热式微波功率传感器的俯视图，

图8为图7间接加热式微波功率传感器的AA’方向剖面图。

图中包括：六端口固支梁耦合器1，通道选择开关2，微波频率检测器3，微波相位检测器4，第一间接加热式微波功率传感器5-1第二间接加热式微波功率传感器5-2，第三间接加热式微波功率传感器5-3，第四间接加热式微波功率传感器5-4，第五间接加热式微波功率传感器5-5，第六间接加热式微波功率传感器5-6，第一T型结功率合成器6-1，第二T型结功率合成器6-2，第三T型结功率合成器6-3，T型结功率分配器7，Si衬底8，SiO₂层9，共面波导10，锚区11，介质层12，固支梁13，悬臂梁14，空气层15，空气桥16，终端电阻17，P型半导体臂18，N型半导体臂19，输出电极20，热端21，冷端22，衬底薄膜结构23，下拉电极24，第一端口1-1，第二端口1-2，第三端口1-3，第四端口1-4，第五端口1-5，第六端口1-6，第七端口2-1，第八端口2-2，第九端口2-3，第十端口2-4，第十一端口6-1，第十二端口6-2，第十三端口6-3。

具体实施方式

本发明固支梁T型结间接加热式微波信号检测器由六端口固支梁耦合器1，通道选择开关2，微波频率检测器3，微波相位检测器4级联构成；六端口固支梁耦合器1由共面波导10，介质层12，空气层15和固支梁13构成；共面波导10制作在SiO₂层9上，固支梁13的锚区11制作在共面波导10上，固支梁13的下方沉积有介质层12，并与空气层15、固支梁13共同构成耦合电容结构，两个固支梁13之间的共面波导10长度为λ/4；通道选择开关2由共面波导10，锚区11，介质层12，悬臂梁14，下拉电极26构成；悬臂梁14的锚区11制作在共面波导10上，悬臂梁14下方制作下拉电极24，并与下拉电极24上方介质层12共同构成开关结构；微波频率检测器3由第三T型结功率合成器6-3和第六间接加热式微波功率传感器5-6级联构成；微波相位检测器4由第四间接加热式微波功率传感器5-4，第五间接加热式微波功率传感器5-5，第一T型结功率合成器6-1，第二T型结功率合成器6-2，T型结功率分配器7构成；T型结功率合成器，T型结功率分配器的拓扑结构相同，由共面波导10和空气桥15构成，信号从第十一端口6-1输入为T型结功率分配器7，信号从第十二端口6-2，第十三端口6-3输入为T型结功率合成器；

六端口固支梁耦合器1的第一端口1-1到第三端口1-3、第四端口1-4及第一端口1-1到第五端口1-5、第六端口1-6的功率耦合度分别相同；待测信号经六端口固支梁耦合器1的第一端口1-1输入，并由第二端口1-2输出到第一间接加热式微波功率传感器5-1，由第四端口1-4和第六端口1-6输出到微波相位检测器4，由第三端口1-3和第五端口1-5输出到通道选择开关2；通道选择开关2的第七端口2-1和第八端口2-2分别接第二间接加热式微波功率传感器5-2和第三间接加热式微波功率传感器5-3，通道选择开关2的第九端口2-3和第十端口2-4接微波频率检测器3；实现了一个芯片同时对微波信号的功率、相位、频率三种微波参量的检测、具有低功耗、低成本的益处。其微波功率、相位、频率的检测原理可以解释如下：

功率检测：如图7所示微波功率从输入端口输入，通过共面波导10输入到终端电阻17被转化成热量；P型半导体臂18和N型半导体臂19构成热电偶，热电偶靠近终端电阻17区域作为热端21，热电偶靠近输出电极20区域作为冷端22；根据Seebeck效应，通过测量输出电极20的热电势可知输入微波功率大小；热电偶热端21背部将衬底减薄构成衬底薄膜结构23用以提高检测灵敏度。

频率检测：如图1所示微波信号经六端口固支梁耦合器1的第三端口1-3和第五端口1-5输出到通道选择开关2；通道选择开关2的第七端口2-1和第八端口2-2分别接第二间接加热式微波功率传感器5-2和第三间接加热式微波功率传感器5-3，通道选择开关2的第九端口2-3和第十端口2-4接微波频率检测器3；通道选择开关2的悬臂梁14接地，下拉电极24接驱动电压，当驱动电压大于等于开启电压时，悬臂梁14被拉下，通道被选通；当通道选择开关2的端口7和端口8被选通时，可以测试出六端口固支梁耦合器1的输出耦合功率P₃和P₅。六端口固支梁耦合器1的两个固支梁13之间的共面波导10长度为λ/4，此时端口3和端口5的相位差为90°，且如公式(1)所示相位差是频率的线性函数。

λ为输入微波信号的波长，c是光速，ε_er为等效介电常数只与结构有关。当通道选择开关2的第九端口2-3和第十端口2-4被选通时，两路微波信号经过T型结功率合成器5进行功率合成，并应用间接加热式微波功率传感器5检测合成信号功率P_s大小，根据公式(2)可得出输入微波信号的频率。

P₃，P₅为第三端口1-3与第五端口1-5耦合的功率，可由第二间接加热式微波功率传感器5-2和第三间接加热式微波功率传感器5-3检测得到。

相位检测器：如图1所示微波信号经六端口固支梁耦合器1的第四端口1-4和第六端口1-6输入到微波相位检测器4进行相位检测；六端口固支梁耦合器1的两个固支梁13之间的共面波导10长度为λ/4，此时通过第四端口1-4和第六端口1-6的两路微波信号相位差为90°；输入功率P_r，与待测信号频率相同f(微波频率检测器3测得)的参考信号，参考信号经T型结功率分配器7分成两路功率和相位相同的信号，与第四端口1-4和第六端口1-6的两路待测信号经第一T型结功率合成器6-1和第二T型结功率合成器6-2进行功率合成；第四间接加热式微波功率传感器5-4和第五间接加热式微波功率传感器5-5对左右两路合成后的功率P_cs1，P_cs2进行检测，并通过公式(3)得出待测与参考信号之间的相位差

P₄，P₆为第四端口1-4与第六端口1-6耦合的功率，并且P₄＝P₃，P₆＝P₅。

固支梁T型结间接加热式微波信号检测器的制备方法包括以下几个步骤：

1)准备4英寸高阻Si衬底8，电阻率为4000Ω·cm，厚度为400mm；

2)热生长一层厚度为1.2mm的SiO₂层9；

3)化学气相淀积(CVD)生长一层多晶硅，厚度为0.4mm；

4)涂覆一层光刻胶并光刻，除多晶硅电阻区域以外，其他区域被光刻胶保护，并注入磷(P)离子，掺杂浓度为10¹⁵cm^-2，形成终端电阻17；

5)涂覆一层光刻胶，用P⁺光刻板进行光刻，除P型半导体臂18区域以外，其他区域被光刻胶保护，接着注入硼(B)离子，掺杂浓度为10¹⁶cm^-2，形成热电偶的P型半导体臂18；

6)涂覆一层光刻胶，用N⁺光刻板进行光刻，除N型半导体臂19区域以外，其他区域被光刻胶保护，接着注入磷(P)离子，掺杂浓度为10¹⁶cm^-2，形成热电偶的N型半导体臂19；

7)涂覆一层光刻胶，光刻热电堆和多晶硅电阻图形，再通过干法刻蚀形成热电偶臂和多晶硅电阻；

8)涂覆一层光刻胶，光刻去除共面波导10、金属互连线输出电极20以及下拉电极24处的光刻胶；

9)电子束蒸发(EBE)形成第一层金(Au)，厚度为0.3mm，去除光刻胶以及光刻胶上的Au，剥离形成共面波导10的第一层Au、输出电极20、热电堆金属互连线以及下拉电极24；

10)淀积(LPCVD)一层Si₃N₄，厚度为0.1mm；

11)涂覆一层光刻胶，光刻并保留固支梁13和悬臂梁14下方的光刻胶，干法刻蚀Si₃N₄，形成介质层12；

12)均匀涂覆一层空气层15并光刻图形，厚度为2mm，保留固支梁13和悬臂梁14下方的聚酰亚胺作为牺牲层；

13)涂覆光刻胶，光刻去除固支梁13、悬臂梁14、锚区11、共面波导10、下拉电极24及输出电极20位置的光刻胶；

14)蒸发500/1500/300 A°的Ti/Au/Ti的种子层，去除顶部的Ti层后再电镀一层厚度为2mm的Au层；

15)去除光刻胶以及光刻胶上的Au，形成固支梁13、悬臂梁14、锚区11、共面波导10、下拉电极24及输出电极22；

16)深反应离子刻蚀(DRIE)衬底材料背面，制作薄膜结构23；

17)释放聚酰亚胺牺牲层：显影液浸泡，去除固支梁下的聚酰亚胺牺牲层，去离子水稍稍浸泡，无水乙醇脱水，常温下挥发，晾干。

本发明与现有技术的区别在于：

本发明采用了新颖的六端口固支梁耦合结构，这种固支梁耦合结构从共面波导中传输的微波信号中耦合出一部分，并利用耦合出的信号来检测微波信号的功率、频率和相位大小；采用T型结实现对微波信号的功率合成与分配，避免了传统Wilkinson功率分配器中隔离电阻的加工对微波性能的影响；应用间接加热式微波功率传感器来检测微波信号的功率，具有较好的微波特性且无直流功耗；本发明的固支梁T型结间接加热式微波信号检测器实现了一个芯片同时对微波信号的功率、相位、频率三种微波参量的检测、具有低功耗、低成本的益处。

满足以上条件的结构即视为本发明的固支梁T型结间接加热式微波信号检测器。