一种3D磁开关恒定磁场干扰监测的智能电能表检测装置的制作方法

文档序号:13450127阅读:1065来源:国知局
一种3D磁开关恒定磁场干扰监测的智能电能表检测装置的制作方法

本实用新型涉及一种电能表检测装置,特别是涉及一种3D磁开关恒定磁场干扰监测的智能电能表检测装置。



背景技术:

智能电能表在全国已经十分普及,但是使用过程中仍然存在着各种各样的问题,其中就包括恒定磁场对电能表干扰的问题。

由于智能电能表中的主要元器件都易受到恒定磁场干扰的影响,例如:电能表中变压器、互感器、继电器以及核心电子器件等,因此恒定磁场干扰会影响电能表的正常计量。甚至一些窃电者在电能表附近放置强磁磁铁或大线圈,干扰电能表的正确计量,以达到窃电的目的。为了防止恒定磁场干扰,电能表内部可以采用一些磁屏蔽的方法,与此同时电能表内部普遍采用磁场强度传感器来监测恒定磁场干扰,当磁场强度高于100mT时,电能表应记录恒定磁场干扰事件,为用电检查人员追补电量提供依据。

国内电能表厂家为了解决上述问题,普遍采用霍尔传感器来检测恒定磁场干扰。这样做虽然可以完成监测,但也带来很多问题:(1)霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低。因此霍尔传感器受恒定磁场干扰源所在位置的影像非常大,当两者位置较远的时候,不易监测到;(2)为了弥补霍尔传感器受位置影响的弊端,通常会在电能表中上、左、右三个面至少采用3个霍尔传感器以及配套电路,因此增加了电能表整体成本;(3)由于为了保证对电能表各个方向施加恒定磁场干扰均能被检出,增加了霍尔传感器的数量,因此必然要占用更多的MCU的模拟输入引脚资源;(4)占用了电能表内有限空间(6)霍尔传感器需要通过A/D采样计算,相对于简单的判断端口高低电平,程序处理工作量大。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种3D磁开关恒定磁场干扰监测的智能电能表检测装置,该装置具有3D磁场检测的功能,高灵敏度、低开关点,只需在电能表中心位置安装即能完成恒定磁场干扰监测,省去了在上、左、右至少安装多个霍尔传感器及其辅助电路,降低电能表成本、简化了程序工作量、节省了电能表内有限的空间。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的:

一种3D磁开关恒定磁场干扰监测的智能电能表检测装置,所述装置计量电路与MCU通过SPI总线连接,存储电路与MCU通过I2C或SPI总线连接,按键电路为另一个人机交互方式与MCU通过IO端口连接;安全认证电路与MCU通过SPI接口连接;恒定磁场干扰监测电路与MCU的IO端口连接;通讯电路与MCU的UART总线连接;时钟电路与MCU通过I2C连接;VCC为+3.3V电源,EMCTEST管脚直接与MCU的IO引脚连接。

所述的一种3D磁开关恒定磁场干扰监测的智能电能表检测装置,所述3D磁开关芯片SGC610xC安装在电能表的中心位置。

本实用新型的优点与效果是:

1.本实用新型具有3D磁场检测的功能,高灵敏度、低开关点;

2.只需在电能表中心位置安装即能完成恒定磁场干扰监测,省去了在上、左、右至少安装多个霍尔传感器及其辅助电路,降低电能表成本;

3.采用直接判断检测管脚高低电平的方式,替代原有A/D采样计算的方式,大大简化了程序工作量;

4.降低了MCU模拟采样管脚的占用率;

5.节省了电能表内有限的空间。

附图说明

图1是本实用新型的结构框图;

图2是本实用新型的恒定磁场干扰检测电路;

图3是本实用新型的3D磁开关芯片的安装位置示意图;

图4是本实用新型的恒定磁场检测程序流程图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型进行详细说明。

本实用新型的结构框图如图1所示。其中MCU为本实用新型的中心控制电路,负责智能电能表的数据处理和控制等功能;显示电路作为人机交互界面与MCU通过I2C总线通信,负责显示电能表的电量、电压以及时间等信息;计量电路与MCU通过SPI总线连接,负责计量电量、电压、电流等相关功能;电源电路为电能表供电转换电路,转化出+12V和+5V直流电源,供电能表各部分电路使用;存储电路与MCU通过I2C或SPI总线连接,负责存储电能表的相关参数和运行数据;按键电路作为另一个人机交互方式与MCU通过IO端口连接,负责电能表翻页操作等信息输入;安全认证电路与MCU通过SPI接口连接,负责电能表的安全认证操作;恒定磁场干扰监测电路与MCU的IO端口连接,负责检测电能表是否受到恒定磁场干扰;通讯电路与MCU的UART总线连接,负责与采集器、集中器、或上位机进行通讯;时钟电路与MCU通过I2C连接,负责电能表的时钟输出。

本实用新型使用3D磁开关芯片SGC610xC全方位监测恒定磁场干扰,恒定磁场干扰检测电路如图2所示。图2中,VCC为+3.3V电源,EMCTEST管脚直接与MCU的IO引脚连接,由上拉电阻R14将EMCTEST管脚初始状态置为高电平。当电能表周围有磁场强度高于100mT的恒定磁场干扰出现时,EMCTEST管脚变为低电平,此时电表记录恒定磁场干扰事件。考虑到磁场检测离散性,恒定磁场干扰事件记录中不保存磁场强度数值的记录;当磁场强度低于100mT以下时,EMCTEST管脚变为高电平,此时结束恒定磁场干扰事件。

本实用新型使用3D磁开关芯片SGC610xC通过AMR磁传感器和桥式电路将外界磁场转换成电压信号。它具有3D磁场检测的特点,高灵敏度、低开关点,具有低功耗、小体积和温度稳定性高的特点,具有ESD防护性能。由距离恒定磁场干扰源越远,磁场强度越小,因此将3D磁开关芯片SGC610xC应该安装在电能表的中心位置。3D磁开关芯片的安装位置示意图如图3所示,为125x85毫米的位置。

本实用新型中智能电能表处理恒定磁场干扰的程序流程如图4所示,下面附图解释此流程:

步骤401,管脚EMCTEST直接与MCU的IO引脚连接,由上拉电阻R14将EMCTEST管脚初始状态置为高电平。MCU通过IO端口读取磁场检测端口EMCTEST输入的信号。

步骤402,判断管脚EMCTEST是否为低电平,如果检测到管脚EMCTEST有低电平出现时,则执行步骤403。

步骤403,判定为电能表周围有磁场强度高于100mT的恒定磁场干扰出现,此时电表记录恒定磁场干扰事件。记录事件开始时间等信息,当管脚EMCTEST再次恢复为高电平时,则结束恒定磁场干扰事件。

以上所述仅为本实用新型的示例性实施例,凡在本实用新型的范围下进行的等同替换或改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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