一种漏电LED芯片的检测方法与流程

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种漏电led芯片的检测方法。

背景技术：

microled作为一项新兴技术，microled既继承了oled的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又具有自发光无需背光源的特性。

传统led芯片漏电检测方式是采用点测机进行检测，点测机检测过程为机器将蓝膜真空吸附固定后，其视觉系统对蓝膜上的led晶粒进行全片扫描，得到led晶粒的逻辑位置图(map)，根据led晶粒的物理位置，将待测的led晶粒移动到测针下，使led晶粒的两极与探针接触，提供测试回路。

但由于microled芯片面积过小，尺寸一般小于100微米，测针难以与microled芯片的两极接触，容易出现漏测或者检测不正常。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种漏电led芯片的检测方法，可对尺寸小于100微米的microled进行检测，不需要接触芯片的两极，漏电led芯片检测率高。

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种漏电led芯片的检测方法，操作简单，效率高。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

对尺寸小于100微米的led芯片进行加热，加热温度不高于led芯片量子阱的成型温度；

采用红外扫描的方法对加热后的led芯片进行扫描，扫描区域上出现颜色的地方为漏电led芯片。

作为上述方案的改进，led芯片的加热温度为100-650℃。

作为上述方案的改进，led芯片的加热温度为300-600℃。

作为上述方案的改进，led芯片的加热温度为500-600℃。

作为上述方案的改进，led芯片的尺寸为30-100微米。

作为上述方案的改进，led芯片的尺寸为30-60微米。

作为上述方案的改进，采用红外光显微镜对加热后的led芯片进行扫描，红外光显微镜上显示颜色的地方为漏电led芯片。

作为上述方案的改进，所述led芯片为倒装led芯片或垂直led芯片。

作为上述方案的改进，对尺寸小于100微米的led芯片进行加热的方法包括：将led芯片放在烤盘上，然后将装有led芯片的烤盘放在烤箱内进行加热。

作为上述方案的改进，所述烤盘为透明烤盘。

实施本发明，具有如下有益效果：

本发明将led芯片进行加热，其中，有缺陷的led芯片(漏电led芯片)经高温加热后，放电放热会聚集在缺陷区域，然后对led芯片进行红外扫描，由于漏电led芯片的热量聚集在缺陷区域，led芯片自发光谱，通过红外扫描，就可以检测出哪些led芯片存在缺陷，从而检测出漏电led芯片。具体的，在显示界面上漏电led芯片的地方会显示颜色，正常led芯片的扫描显示区域为黑白色。本发明的检测方法可对尺寸小于100微米的microled进行检测，不需要接触芯片的两极，准确率高。

附图说明

图1是本发明一种漏电led芯片的检测方法流程图；

图2是本发明led芯片加热后放电与放热聚集在缺陷区域的示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。

参见图1，图1是本发明一种漏电led芯片的检测方法流程图，本发明提供的一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、对尺寸小于100微米的led芯片进行加热，加热温度不高于led芯片量子阱的成型温度；

s102、采用红外扫描的方法对加热后的led芯片进行扫描，扫描区域上出现颜色的地方为漏电led芯片。

由于一般led芯片的外延层是采用金属氧化物化学气相沉积法(mocvd)形成的，具体是三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝等反应物在腔体内部进行气体化学反应及表面反应，以高温气体解离反应生成三族ga及五族n原子，进而在蓝宝石衬底上生成固态氮化镓。蓝宝石衬底的主要成分是al2o3，al2o3和gan的晶格不匹配度达到14％，所以氮化镓与蓝宝石衬底之间存在晶格不匹配问题，外延生长完成后外延层会存在缺陷，缺陷会导致led芯片漏电。

本发明将led芯片进行加热，其中，有缺陷的led芯片(漏电led芯片)经高温加热后，放电放热会聚集在缺陷区域，然后对led芯片进行红外扫描，由于漏电led芯片的热量聚集在缺陷区域，led芯片自发光谱，通过红外扫描，就可以检测出哪些led芯片存在缺陷，从而检测出漏电led芯片。具体的，在显示界面上漏电led芯片的地方会显示颜色，正常led芯片的扫描显示区域为黑白色。本发明的检测方法可对尺寸小于100微米的microled进行检测，不需要接触芯片的两极，准确率高。

具体的，led芯片的加热温度为100-650℃。当加热温度小于100℃，温度过低，聚集在led芯片缺陷区域的热量较少，红外扫描之后，显示界面上不容易显示出颜色。由于一般led芯片量子阱的形成温度为680℃左右，若果led芯片的加热温度大于650℃，容易破坏量子阱的结构，影响芯片发光。优选的，led芯片的加热温度为300-600℃。

更佳的，led芯片的加热温度为500-600℃。参见图2，在这个加热温度范围，led芯片的放电放热聚集在缺陷区域的尖端，经过红色扫描时更容易被检测出来。

由于大尺寸的led芯片可以采用点测机来进行漏电检测，而小尺寸的microled不能。优选的，本发明led芯片的尺寸为30-100微米。当led芯片的尺寸小于30微米时，led芯片在加热时容易被损伤。更优的，led芯片的尺寸为30-60微米。

优选的，本发明的led芯片为倒装led芯片或垂直led芯片。由于这两种类型的led芯片对点测机的要求更高，而本发明的检测方法也适用于这两类的led芯片。

具体的，采用红外光显微镜对加热后的led芯片进行扫描，红外光显微镜上显示颜色的地方为漏电led芯片。进一步地，本发明采用emmi显微镜来对加热后的led芯片进行扫描，扫描后显示红色的地方为漏电led芯片。

本发明对led芯片的加热方法可以是电加热、红外加热、电磁加热等。

具体的，本发明对尺寸小于100微米的led芯片进行加热的方法包括：将led芯片放在烤盘上，然后将装有led芯片的烤盘放在烤箱内进行加热。本发明将led芯片放在烤箱内进行加热，可以使芯片加热得更加均匀，使得热量更加集中地聚集在缺陷区域，提高漏电led芯片的检测精度。进一步地，所述烤盘为透明烤盘，便于红外线直接穿过烤盘，提高加热效果。此外，加热后led芯片不需要进行转移，可以连同透明烤盘一起进行红外扫描，操作简单，提高效率。

下面以具体实施例来阐述本发明

实施例1

一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、将1000颗尺寸为90微米的led芯片放在透明烤盘上，将烤盘和led芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为600℃；

s102、采用emmi显微镜来对加热后的led芯片进行扫描，扫描后显示红色的led芯片有100颗。

其中，1000颗led芯片中有100颗为漏电led芯片，本实施例漏电led芯片的检测率为100％。

实施例2

一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、将1000颗尺寸为50微米的led芯片放在透明烤盘上，将烤盘和led芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为600℃；

s102、采用emmi显微镜来对加热后的led芯片进行扫描，扫描后显示红色的led芯片有100颗。

其中，1000颗led芯片中有100颗为漏电led芯片，本实施例漏电led芯片的检测率为100％。

实施例3

一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、将1000颗尺寸为40微米的led芯片放在透明烤盘上，将烤盘和led芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为600℃；

s102、采用emmi显微镜来对加热后的led芯片进行扫描，扫描后显示红色的led芯片有100颗。

其中，1000颗led芯片中有100颗为漏电led芯片，本实施例漏电led芯片的检测率为100％。

实施例4

一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、将1000颗尺寸为30微米的led芯片放在透明烤盘上，将烤盘和led芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为600℃；

s102、采用emmi显微镜来对加热后的led芯片进行扫描，扫描后显示红色的led芯片有100颗。

其中，1000颗led芯片中有100颗为漏电led芯片，本实施例漏电led芯片的检测率为100％。

实施例5

一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、将1000颗尺寸为50微米的led芯片放在透明烤盘上，将烤盘和led芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为500℃；

s102、采用emmi显微镜来对加热后的led芯片进行扫描，扫描后显示红色的led芯片有100颗。

其中，1000颗led芯片中有100颗为漏电led芯片，本实施例漏电led芯片的检测率为100％。

实施例6

一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、将1000颗尺寸为50微米的led芯片放在透明烤盘上，将烤盘和led芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为400℃；

s102、采用emmi显微镜来对加热后的led芯片进行扫描，扫描后显示红色的led芯片有100颗。

其中，1000颗led芯片中有100颗为漏电led芯片，本实施例漏电led芯片的检测率为100％。

实施例7

一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、将1000颗尺寸为50微米的led芯片放在透明烤盘上，将烤盘和led芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为300℃；

s102、采用emmi显微镜来对加热后的led芯片进行扫描，扫描后显示红色的led芯片有98颗。

其中，1000颗led芯片中有100颗为漏电led芯片，本实施例漏电led芯片的检测率为98％。

实施例8

一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、将1000颗尺寸为50微米的led芯片放在透明烤盘上，将烤盘和led芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为200℃；

s102、采用emmi显微镜来对加热后的led芯片进行扫描，扫描后显示红色的led芯片有93颗。

其中，1000颗led芯片中有100颗为漏电led芯片，本实施例漏电led芯片的检测率为93％。

实施例9

一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、将1000颗尺寸为50微米的led芯片放在透明烤盘上，将烤盘和led芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为100℃；

s102、采用emmi显微镜来对加热后的led芯片进行扫描，扫描后显示红色的led芯片有100颗。

其中，1000颗led芯片中有100颗为漏电led芯片，本实施例漏电led芯片的检测率为90％。

对比实施1

一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、将1000颗尺寸为50微米的led芯片放在透明烤盘上，将烤盘和led芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为80℃；

s102、采用emmi显微镜来对加热后的led芯片进行扫描，扫描后显示红色的led芯片有60颗。

其中，1000颗led芯片中有100颗为漏电led芯片，本实施例漏电led芯片的检测率为60％。

本实施有100颗led芯片不能被扫描到，检测率为60％。

对比实施2

一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、将1000颗尺寸为50微米的led芯片放在透明烤盘上，将烤盘和led芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为700℃；

s102、采用emmi显微镜来对加热后的led芯片进行扫描，扫描后显示红色的led芯片有200颗。

其中，1000颗led芯片中有100颗为漏电led芯片，本实施例有100颗led芯片因为高温加热而发生漏电。

对比实施3

一种漏电led芯片的检测方法，包括以下步骤：

s101、将1000颗尺寸为50微米的led芯片放在点测机上进行漏电检测，点测机显示出只有10颗led芯片漏电；

其中，1000颗led芯片中有100颗为漏电led芯片，本实施例漏电led芯片的检测率为10％。

以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。