技术总结
本实用新型提供一种磁电阻传感器，其包括：设置于基板上依次并行排布的若干纵长条形的斜坡，斜坡包括底面、分布于底面纵长延伸方向两侧的第一倾斜表面和第二倾斜表面；若干磁场传感单元，磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条，斜坡的第一倾斜表面和第二倾斜表面都各自形成有磁场传感单元，且磁场传感单元的磁易轴方向与其所在的斜坡的纵长延伸方向一致；自检线圈，其位于若干纵长条形的斜坡的底面的下方，自检线圈包括依次并行排布的若干导线，导线的延伸方向与斜坡的纵长延伸方向一致，若干导线依次串联以形成蛇形绕线方式的自检线圈。与现有技术相比，本实用新型中设置的自检线圈的绕线路径短、绕线电阻小、绕线占用芯片面积小。
技术研发人员：李大来;蒋乐跃;刘海东
受保护的技术使用者：美新半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2018.03.06
技术公布日：2018.09.21