一种全自动芯片进样装置的制作方法

本实用新型属于芯片进样用装置技术领域，具体涉及一种全自动芯片进样装置。

背景技术：

芯片，英文为Chip；芯片组为Chipset。芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果，通常是一个可以立即使用的独立的整体。芯片也有它独特的地方，广义上，只要是使用微细加工手段制造出来的半导体片子，都可以叫做芯片，里面并不一定有电路。比如半导体光源芯片；比如机械芯片，如MEMS陀螺仪；或者生物芯片如DNA芯片。在通讯与信息技术中，当把范围局限到硅集成电路时，芯片和集成电路的交集就是在“硅晶片上的电路”上。芯片组，则是一系列相互关联的芯片组合，它们相互依赖，组合在一起能发挥更大的作用，比如计算机里面的处理器和南北桥芯片组，手机里面的射频、基带和电源管理芯片组。

现有的芯片进样装置进样效率低，进样效果不明显，且基本为人工进样装置，人工进样浪费时间和劳动力，使用不方便，操作复杂。为进一步优化现存问题，现需要一种优化的芯片进样装置。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种全自动芯片进样装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种全自动芯片进样装置，包括处理器、上试剂槽、进样口、入槽口、下试剂槽、电源、注射控制器、显示屏，所述入槽口设置在进样口右侧，所述上试剂槽安装在入槽口的上部，所述下试剂槽安装在入槽口的下部，所述试剂槽与下试剂槽之间设有隔板，所述电源设置在上试剂槽与下试剂槽的右侧，所述上试剂槽上部安装有命令输入器，所述显示屏设置在命令输入器的右侧，所述处理器设置在命令输入器的下部，所述注射控制器设置在显示屏的下部。

优选的，所述上入槽口的内部设有自动开关，所述入槽口对称设置在进样口一端的上下两侧。

优选的，所述上试剂槽与下试剂槽均长方体结构，所述上试剂槽和下试剂槽均与电源电性连接。

优选的，所述隔板与上试剂槽固定连接，所述隔板与下试剂槽固定连接。

优选的，所述命令输入器与处理器无线连接。

优选的，所述进样口与入槽口均为圆柱型结构，所述进样口与入槽口转动连接。

本实用新型的技术效果和优点：1、该种全自动芯片进样装置入槽口为智能装置，由命令输入模块灵活控制样品的出入；

2、精密注射模块控制注入试剂槽的量，精密控制调节进样口进样量；

3、隔板隔开的上试剂槽与下试剂槽独立工作，根据样品的不同都可灵活盛装样品液和缓冲液。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的零部件内部示意图；

图3为本实用新型的隔板结构示意图。

图中：1、命令输入器；2、处理器；3、上试剂槽；4、进样口；5、入槽口；6、隔板；7、下试剂槽；8、电源；9、注射控制器；10、显示屏。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提供了如图1、图2和图3所示的一种全自动芯片进样装置，包括处理器2、上试剂槽3、进样口4、入槽口5、下试剂槽7、电源8、注射控制器9、显示屏10，所述入槽口5设置在进样口4右侧，所述上试剂槽3安装在入槽口5的上部，所述下试剂槽7安装在入槽口5的下部，所述试剂槽3与下试剂槽7之间设有隔板6，所述电源8设置在上试剂槽3与下试剂槽7的右侧，所述上试剂槽3上部安装有命令输入器1，所述显示屏10设置在命令输入器1的右侧，所述处理器2设置在命令输入器1的下部，所述注射控制器9设置在显示屏10的下部。

进一步地，所述上入槽口5的内部设有自动开关501，所述入槽口5对称设置在进样口4一端的上下两侧。

进一步地，所述上试剂槽3与下试剂槽7均长方体结构，所述上试剂槽3和下试剂槽7均与电源8电性连接。

进一步地，所述隔板6与上试剂槽3固定连接，所述隔板6与下试剂槽7固定连接。

进一步地，所述命令输入器1与处理器2无线连接。

进一步地，所述进样口4与入槽口5均为圆柱型结构，所述进样口4与入槽口5转动连接。

工作原理：该种全自动芯片进样装置在使用时，样品由命令输入器1通过进样口4吸入入槽口5，在注射控制器9的作用下控制进入上试剂槽3与下试剂槽7的量，显示屏10显示电流变化，样品液与缓冲液分别分布于试剂槽中，通过入槽口5与样品进行融合，最终达到芯片的自动智能进样。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。