专利名称：一种超高压贴片二极管的制作方法
技术领域：
一种超高压贴片二极管技术领域[0001]本实用新型涉及二极管生产工艺，具体地说，是一种超高压贴片二极管。
技术背景[0002]普通型超高压二极管属于一种半导体整流器件，广泛应用于各种高频电源、汽车电子、电脑显示器以及负离子发生器等设备中，其输出电流从20毫安到1000毫安分类不等，反向击穿电压根据芯片规格不同有1000V、2000V、3000V、4000V、5000V等类别。但目前产品往往采用轴向式封装，元件占据空间较大，随着产品小型化的发展趋势，急需设计出一种超高压的贴片二极管。实用新型内容[0003]为了使用产品小型化的发展趋势，本实用新型提出一种超高压贴片封片二极管， 该超高压贴片二极管，包括多层硅芯片、两根铜引线以及环氧塑封体，所述多层硅芯片位于两根铜引线之间，该多层硅芯片通过焊料与铜引线焊接，硅橡胶将多层硅芯片及两端的焊料包裹在其中，而整个超高压贴片二极管除两根铜引线的外露端头外，其余部分均包裹在所述环氧塑封体内，该环氧塑封体呈扁平状。[0004]作为进一步描述，所述两根铜引线的外漏端头经打扁、整形处理呈扁平状。[0005]为了防止铜引线松动，在两根铜弓I线的塑封段上分别设置有凸台。[0006]本实用新型的显著效果是结构简单，将轴向封装的二极管改为贴片封装，不仅具有耐高压的特点，而且适应了产品小型化的发展趋势，元件的性能也比较稳定，提高了市场竞争力。
[0007]图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
[0008]为了使本实用新型更容易被理解，下面将参照附图和具体实施方式
对本实用新型做更详细的描述。[0009]如图1所示，一种超高压贴片二极管，包括多层硅芯片1、两根铜引线2以及环氧塑封体3，多层硅芯片1位于两根铜引线2之间，多层硅芯片1通过焊料4与铜引线2焊接，硅橡胶5将多层硅芯片1及两端的焊料4包裹在其中，而整个超高压贴片二极管除两根铜引线2的外露端头22外，其余部分均包裹在所述环氧塑封体3内，为了减小二极管元件体积， 环氧塑封体3呈扁平状，其长度为3. 8 4. 6mm,厚度为1. 98 2. 3mm。[0010]为适应环氧塑封体3的外形，所述两根铜引线2的外漏端头22经打扁、整形处理呈扁平状。[0011]为了防止铜引线2松动，在两根铜引线2的塑封段21上分别设置有凸台23，将凸台23塑封在环氧树脂中，增强环氧塑封体3的密封性能。
权利要求1.一种超高压贴片二极管，其特征在于包括多层硅芯片(1)、两根铜引线(2)以及环氧塑封体(3)，所述多层硅芯片(1)位于两根铜引线(2)之间，该多层硅芯片(1)通过焊料 (4)与铜引线(2)焊接，硅橡胶(5)将多层硅芯片(1)及两端的焊料(4)包裹在其中，而整个超高压贴片二极管除两根铜引线(2 )的外露端头(22 )外，其余部分均包裹在所述环氧塑封体(3)内，该环氧塑封体(3)呈扁平状。
2.根据权利要求1所述一种超高压贴片二极管，其特征在于所述两根铜引线(2)的外漏端头(22)经打扁、整形处理呈扁平状。
3.根据权利要求1所述一种超高压贴片二极管，其特征在于在两根铜引线(2)的塑封段(21)上分别设置有凸台(23)。
专利摘要本实用新型公开了一种超高压贴片二极管，包括多层硅芯片、两根铜引线以及环氧塑封体，所述多层硅芯片位于两根铜引线之间，该多层硅芯片通过焊料与铜引线焊接，硅橡胶将多层硅芯片及两端的焊料包裹在其中，而整个超高压贴片二极管除两根铜引线的外露端头外，其余部分均包裹在所述环氧塑封体内，该环氧塑封体呈扁平状。其显著效果是结构简单，将轴向封装的二极管改为贴片封装，不仅具有耐高压的特点，而且适应了产品小型化的发展趋势，元件的性能也比较稳定，提高了市场竞争力。
文档编号H01L33/54GK202332968SQ20112049494
公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月2日 优先权日2011年12月2日
发明者潘宜虎 申请人:重庆平伟实业股份有限公司