一种压力传感器的制作方法

文档序号:16718985发布日期:2019-01-22 23:35阅读:249来源:国知局
一种压力传感器的制作方法

本实用新型涉及传感器技术领域,具体涉及一种压力传感器。



背景技术:

压阻式陶瓷压力传感器具有优异的线性精度,特别是耐腐蚀性和高可靠性,是其它形式的压力传感器无可比拟的。在工业自动化控制领域里有着重要位置。传统的陶瓷压力传感器中,一般是采用三氧化二铝陶瓷膜片作为压力传感器的陶瓷膜片,并在其表面采用厚膜工艺印刷烧结四个厚膜应变电阻使之形成一个惠斯顿电桥。

压力传感器的陶瓷基体受力形变,进而传导给陶瓷膜片,在压力作用下产生微量线性形变。桥路在激励电压下其输出端将产生与压力大小精密线性相关的电压输出。但压阻式陶瓷压力传感器弹性膜片是三氧化二铝陶瓷,由于氧化铝陶瓷具有易碎的缺点,导致压力传感器的过载性能低下,使用过程中容易超载损坏。



技术实现要素:

为了克服上述陶瓷压力传感器的过载性能较低的技术缺陷,本实用新型提供一种过载性能较高、使用寿命长的压力传感器。

为了解决上述问题,本实用新型按以下技术方案予以实现的:

本实用新型所述一种压力传感器,包括陶瓷基体和陶瓷膜片,所述陶瓷膜片的一端面设置有压敏电路,所述陶瓷膜片的另一端面设置有高强度层,所述高强度层连接所述陶瓷基体,所述高强度层的连接所述陶瓷基体的一端面设置有多个锥型的盲孔。

进一步地,所述陶瓷膜片还设置有与压敏电路连接的温度补偿电阻和零点修调电阻,通过此设计,零点修调电阻和温度补偿电阻通过OCR,数据库及激光调阻技术可以进行大批量及自动化生产,从而有效提高了生产效率,解决目前厚膜印刷技术的精度,在无作用力的情况下,输出有一定偏移量的问题;在不同温度的环境下,输出亦会受到温度的影响的问题。

进一步地,所述高强度层为超高强聚乙烯纤维层。通过此设计,超高强聚乙烯纤维层具有高强度的特性,增强了陶瓷压力传感器的机械强度。

进一步地,所述陶瓷基体的外壁面设置有多个凹槽,通过凹槽的设置,加强陶瓷基体的结构强度。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

陶瓷膜片增设有带盲孔的高强度层,当陶瓷膜片受压时,通过高强度层的盲孔的外周轮廓去承受陶瓷基体的压力,压力通过盲孔的锥型孔体向下方的平整层体进行分散传递,再传递给陶瓷膜片,高强度层有效的使压力均匀分散,从而避免产生应力集中及形成剪切力,使陶瓷膜片破裂的弊病;

高强度层不影响测压精度的同时,还有利于传感器与压力介质(液体或气体)的良好接触,提高陶瓷压力传感器的过载能力及工作可靠性;与陶瓷膜片的结合,提高了压力传感器的机械强度,过载性能较高、使用寿命长。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明,其中:

图1是本实用新型的一种压力传感器的结构剖面示意图;

图2是本实用新型的一种压力传感器的俯视图;

图中:1-陶瓷基体、11-凹槽、2-陶瓷膜片、21-高强度层。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

如图1所示,本实用新型所述的一种压力传感器,其包括陶瓷基体1和陶瓷膜片2;所述陶瓷膜片2设置在所述陶瓷基体1的一端面上,所述陶瓷膜片远离陶瓷基体1的一端面设置有压敏电路。

陶瓷膜片2,其由氧化铝陶瓷制成的圆形或方形的薄膜,所述陶瓷膜片2设置压敏电路的一端面还设置有与压敏电路连接的温度补偿电阻和零点修调电阻;所述陶瓷膜片2的另一端面设置有高强度层21,其由超高强聚乙烯纤维涂布在陶瓷基体上,进而在高强度层21上进行烧结陶瓷膜片2上,所述高强度层21的连接所述陶瓷基体1的外端面均匀地开设有多个由外向内收敛的锥形的盲孔。

陶瓷基体1,其由陶瓷复合材料烧结而成,其为一圆柱体,所述陶瓷基体1的一端面设置有内凹的受力腔,其另一端面与陶瓷膜片2的高强度层21连接;所述陶瓷基体1的外壁面开设有4个凹槽11,用于增强陶瓷基体1的机械刚性。

本实用新型所述的一种压力传感器工作原理是:

陶瓷膜片增设有带盲孔的高强度层,当陶瓷膜片受压时,通过高强度层的盲孔的外周轮廓去承受陶瓷基体的压力,压力通过盲孔的锥型孔体向下方的平整层体进行分散传递,再传递给陶瓷膜片,锥型的盲孔使压力均匀分散,从而避免产生应力集中及形成剪切力,使陶瓷膜片破裂的弊病;

高强度层不影响测压精度的同时,还有利于传感器与压力介质(液体或气体)的良好接触,提高陶瓷压力传感器的过载能力及工作可靠性;与陶瓷膜片的结合,提高了压力传感器的机械强度,过载性能较高、使用寿命长。

本实施例所述一种压力传感器的其它结构参见现有技术。

以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,故凡是未脱离本实用新型技术方案内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

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