1.一种制造相对湿度传感器的方法，包括以下步骤：
a)提供底部基板(1)，
b)在基板(1)上或上方提供第一电极(3)和电连接器件(5)，
c)提供绝缘层(7)以将第一电极(3)与电连接器件电绝缘，
d)在第一电极(3)的区域中的绝缘层(7)或第一电极上方提供无机多孔介电层(13)，
e)通过掠入射沉积在多孔介电层(13)中或上方提供第二电极(19)，特别是多孔第二电极，并将第二电极电连接到电连接器件(5)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无机多孔介电层(13)包括氧化铝。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中步骤d)包括沉积铝层(11)的步骤和通过电解生长来生长多孔氧化铝层(13)的步骤。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述绝缘层(7)中提供导电漏极(35)，以将铝层(11)与第一电极(3)电连接。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，多个相对湿度传感器形成在同一底部基板(1)上，并且其中，所述第一电极(3)被设置为使得它们彼此电连接。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述无机多孔介电层(13)的孔隙率在5％至99％的范围。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，提供第二电极(19)的步骤e)包括通过掠入射沉积来沉积导电层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述掠入射沉积是金属蒸气掠入射沉积。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，蒸发的材料流与无机多孔介电层(13)的表面的角度小于45°，特别是小于30°。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，基板(1)是无源基板，特别是si或蓝宝石基板，或者是专用集成电路(asic)型基板。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，还包括在步骤c)之前在第一电极(3)上提供导电层(7)的步骤。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，无机多孔介电层(13)的厚度在1μm至5μm的范围，并且至少在一个维度上，横向延伸部在10μm至800μm的范围。
13.一种特别是通过根据权利要求1至12中任一项所述的方法获得的相对湿度传感器，包括：
基板(1)，
在基板(1)上或上方的第一电极(3)和电连接器件(5)，
绝缘层(9)，以将第一电极(3)与电连接器件(5)电绝缘，并且至少排除电连接器件(5)，
无机多孔介电层(13)，在第一电极(3)上方和/或在绝缘层(9)上方，和
第二电极(19)，特别是多孔的第二电极，电连接到电连接器件(5)并设置在无机多孔介电层(13)中或上方。
14.根据权利要求13所述的相对湿度传感器，其特征在于，无机多孔层(13)包括孔隙率为5％至99％且厚度为1μm至5μm的氧化铝。
15.根据权利要求13或14所述的相对湿度传感器，其中，第二电极(19)是金层。