一种高压绝缘电阻测试电路的制作方法

本实用新型涉及设备电路领域，尤其涉及一种高压绝缘电阻测试电路。

背景技术：

绝缘电阻是我国计量法规定的电气安全检测项目中的强检项目，在电气设备和电子装置的调试、维修过程中，核查绝缘电阻是十分重要的步骤，尤其对于非标准的特殊用途设备。通过测量绝缘电阻，可以及时发现设备绝缘体损坏的情况，比如受潮、老化和贯穿性缺陷等现象，因此应用非常广泛。原有的绝缘测试仪大多为半机械化式，阻值测量范围小，精度低，不能一机多用，显示不全等缺点。本文根据以上的缺点，设计了一宽测量范围大(1m～1t)，精度高，抗干扰性强，并且能够测试电容阻值、显示吸收比和极化比的绝缘测试仪。在电网投运前，需要对线路进行大量绝缘测试，在实际操作中异常繁琐。本装置集成智能选线控制模块，可手动选线，也可自动选线进行绝缘测试。在理想状况下，可一次测试完成两组三相电缆，并记录数据及故障信息。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种高压绝缘电阻测试电路，以解决上述技术问题，为实现上述目的本实用新型采用以下技术方案：

一种高压绝缘电阻测试电路，电阻测试电路主要包括检测控制电路和电源电路，检测控制电路中芯片ic的1in+端口经电容c20接地，芯片ic的1in-端口经电阻r20接电容c21，电容c21接地，同时电阻r20接芯片ic的cmpen端口，芯片ic的ct端口分别经电容c22和电容c23接地，芯片ic的rt端口经电阻r21接地，芯片ic的gnd端口接地，芯片ic的2in+端口接电容c24电容c24分别接电阻r22和电阻r23，电阻r22接芯片ic的e2端口，电阻r23接芯片ic的e1端口，芯片ic的vref端口和cntlo端口同时经电容c25接电容c24，芯片ic的vcc端口和c2端口同时接变压器t，芯片ic的e2端口经电阻r24接场效应管q1的栅极，场效应管q1的源极接场效应管q2的源极，场效应管q2的漏极接总线接口线路驱动器hs1,同时场效应管q1漏极经二极管d9接场效应管q1的源极，场效应管q1的漏极接变压器t，场效应管q2的漏极接总线接口线路驱动器hs2，场效应管q2的漏极经二极管d10接场效应管q2的源极，场效应管q2的漏极接变压器t，场效应管q2的源极分别经电容c22和电容c23接二极管d8，变压器t的输出端经电容c13接二极管d8，二极管d8经电容c14接耳机管d9，电容c13经二极管d9经电容c16，电容c13接电容c15，电容c15经二极管d10接电容c16，电容c16接电容c18，电容c15经二极管d11接电容c18，电容c15接电容c17，电容c17经二极管d12接电容c18，同时电容c17经耳机挂d13接电容c18，电容c18接电源输入端正极，电容c17接电源输入端负极，电源电路中220v电源经保险丝fu接变压器t的输入端，保险丝fu经电容c1接电源输入端，变压器t的输出端接整流桥u，整流桥u的输出端并联双向稳压管vz，双向稳压管vz两端并联电容c2，整流桥u的输出端接三端稳压芯片lm7805的vin端口，同时三端稳压芯片lm7805的gnd端口接地，三端稳压芯片lm7805的vout端口经电容c3接地，三端稳压芯片lm7805的vout端口经电阻r1接地，电阻r1两端并联电容c4，开关k经电池e接地，开关k经二极管vd1接电阻r2，电阻r2接地，同时二极管vd1接晶体管vt1的基极，晶体管vt1的发射极接地，晶体管vt1的发射极接晶体管vt2的基极，同时开关k经电阻r3接晶体管vt2的基极，开关k接晶体管vt2的集电极，晶体管vt2的发射极接输出端正极。

在上述技术方案基础上，所述检测控制电路中芯片ic采用tl494型固定频率脉宽调制电路。

本实用新型设计的电路能有对电气设备和电子装置进行准确稳定的检测，进而对其设备进行及时的维修、调整，从而有效避免危险事故的发生，有效避免人身伤害，减少了不必要的经济支出。

附图说明

图1为检测控制电路图。

图2为电源电路图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细阐述。

一种高压绝缘电阻测试电路，电阻测试电路主要包括检测控制电路和电源电路，检测控制电路中芯片ic的1in+端口经电容c20接地，芯片ic的1in-端口经电阻r20接电容c21，电容c21接地，同时电阻r20接芯片ic的cmpen端口，芯片ic的ct端口分别经电容c22和电容c23接地，芯片ic的rt端口经电阻r21接地，芯片ic的gnd端口接地，芯片ic的2in+端口接电容c24电容c24分别接电阻r22和电阻r23，电阻r22接芯片ic的e2端口，电阻r23接芯片ic的e1端口，芯片ic的vref端口和cntlo端口同时经电容c25接电容c24，芯片ic的vcc端口和c2端口同时接变压器t，芯片ic的e2端口经电阻r24接场效应管q1的栅极，场效应管q1的源极接场效应管q2的源极，场效应管q2的漏极接总线接口线路驱动器hs1,同时场效应管q1漏极经二极管d9接场效应管q1的源极，场效应管q1的漏极接变压器t，场效应管q2的漏极接总线接口线路驱动器hs2，场效应管q2的漏极经二极管d10接场效应管q2的源极，场效应管q2的漏极接变压器t，场效应管q2的源极分别经电容c22和电容c23接二极管d8，变压器t的输出端经电容c13接二极管d8，二极管d8经电容c14接耳机管d9，电容c13经二极管d9经电容c16，电容c13接电容c15，电容c15经二极管d10接电容c16，电容c16接电容c18，电容c15经二极管d11接电容c18，电容c15接电容c17，电容c17经二极管d12接电容c18，同时电容c17经耳机挂d13接电容c18，电容c18接电源输入端正极，电容c17接电源输入端负极，电源电路中220v电源经保险丝fu接变压器t的输入端，保险丝fu经电容c1接电源输入端，变压器t的输出端接整流桥u，整流桥u的输出端并联双向稳压管vz，双向稳压管vz两端并联电容c2，整流桥u的输出端接三端稳压芯片lm7805的vin端口，同时三端稳压芯片lm7805的gnd端口接地，三端稳压芯片lm7805的vout端口经电容c3接地，三端稳压芯片lm7805的vout端口经电阻r1接地，电阻r1两端并联电容c4，开关k经电池e接地，开关k经二极管vd1接电阻r2，电阻r2接地，同时二极管vd1接晶体管vt1的基极，晶体管vt1的发射极接地，晶体管vt1的发射极接晶体管vt2的基极，同时开关k经电阻r3接晶体管vt2的基极，开关k接晶体管vt2的集电极，晶体管vt2的发射极接输出端正极。

所述检测控制电路中芯片ic采用tl494型固定频率脉宽调制电路。

本实用新型设计的电路通过合理的设置tl494及反馈回路通过倍压整流电路，生成稳定可靠的高压直流电。通过单片机选定反馈分压回路可设定四级电压档位（500v、1000v、2500v和5000v）。tl494控制四个电压等级的pwm波形，分别是500v,1000v,2500v,5000v，由单片机来控制电压等级。电路中：1in+端口输出为反馈电压，1in-端口输出为比较电压，当单片机选择500v时，选择500v的比较电压，当单片机选择1000v时，选择1000v的比较电压，依此类推，控制电压保持在设定的电压范围内。2in-端口和2in+端口为过流控制，控制高压过载输出。ct端口和rt端口控制输出频率，由rt端口的电位器来调节最佳的输出频率，c1端口和c2端口接电源电压，e1端口和e2端口输出pwm相位相反的波形，死区时间由c22和r21确定。本实用新型选取的是6倍压整流电路，根据电压稳定的设计原理，当变压器次级输出为上正下负时，变压器向上臂三个电容充电储能，当变压器次级输出为上负下正时，上臂电容通过变压器次级向下臂充电。稳态时，除了最左边的那个电容，其他每个电容上的电压为2uo，总的输出电压为6uo，其中，cgy+为变压器输出的交流电，g点为设定的4v电压。本文设计的最大的电压为5000v，也就是说，每个电容需要承受得最大电压为1666.7v。根据需要承受的电压：选择电容为2000v/473，选择硅堆为8kv的耐压值，通过双重电源稳定设计，有效保证电路稳定运行。

以上所述为本实用新型较佳实施例，对于本领域的普通技术人员而言，根据本实用新型的教导，在不脱离本实用新型的原理与精神的情况下，对实施方式所进行的改变、修改、替换和变型仍落入本实用新型的保护范围之内。