技术特征：
1.一种微通道型快中子飞行时间探测器，其特征在于：包括中子吸收体(1)和设置在中子吸收体(1)一侧的电子收集极(2)，所述中子吸收体(1)内阵列分布有通道(1a)，通道(1a)的内壁上设有次级电子发射层(1b)，各个所述通道(1a)均沿厚度方向贯穿中子吸收体(1)，所述中子吸收体(1)在对应通道(1a)两端的侧面上分别设有电极(3)，两个电极(3)之间加载有时间门控脉冲高压电路，用于在所述通道(1a)内形成电场，电场的方向朝向所述电子收集极(2)。2.根据权利要求1所述的微通道型快中子飞行时间探测器，其特征在于：所述中子吸收体(1)采用聚乙烯制成。3.根据权利要求2所述的微通道型快中子飞行时间探测器，其特征在于：所述中子吸收体(1)与电子收集极(2)之间设有微通道板(4)，该微通道板(4)采用铅玻璃制成，微通道板(4)的上下两侧之间加载有由时间门控脉冲电路控制的高压电场。4.根据权利要求1或2所述的微通道型快中子飞行时间探测器，其特征在于：所述次级电子发射层(1b)为al2o3薄膜，其以电镀方式设置在通道(1a)的内壁上。5.根据权利要求1或2所述的微通道型快中子飞行时间探测器，其特征在于：所述中子吸收体(1)与次级电子发射层(1b)之间镀有导电层(1c)。6.根据权利要求5所述的微通道型快中子飞行时间探测器，其特征在于：所述导电层(1c)为zno-al2o3薄膜。7.根据权利要求1或2所述的微通道型快中子飞行时间探测器，其特征在于：所述次级电子发射层(1b)的平均二次电子发射系数为1。8.根据权利要求1或2所述的微通道型快中子飞行时间探测器，其特征在于：所述中子吸收体(1)的厚度超过1cm。9.根据权利要求1所述的微通道型快中子飞行时间探测器，其特征在于：所述通道(1a)为沟槽型结构。10.根据权利要求1所述的微通道型快中子飞行时间探测器，其特征在于：所述通道(1a)为腰型孔。