技术特征：
1.基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其特征在于：整体结构从下至上包括硅衬底、绝缘支撑层、下电极、压电层、上电极以及上电极两侧的绝缘体块；所述上电极采用具有磁致伸缩效应的材料，便于随磁场大小发生变化；所述硅衬底上刻蚀形成空气腔并在上方沉积绝缘二氧化硅支撑层作为声波反射层。2.根据权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其特征在于：所述下电极使用金属钼或者铝材料，所述上电极使用具有磁致伸缩效应的金属镍材料，其厚度为0.1um-0.2um。3.根据权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其特征在于：所述压电层使用具有压电效应的氧化锌材料，其厚度为1um-3um。4.根据权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其特征在于：所述上电极两侧的绝缘体块使用二氧化硅材料，其厚度为0.1-0.5um。