静电耐压试验装置和静电耐压试验方法与流程

文档序号:33507316发布日期:2023-03-18 03:50阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种静电耐压试验装置,其用于测定安装基板上的半导体器件的静电耐压,其中,所述半导体器件具有多个引脚,在所述安装基板上设置有与所述多个引脚分别电连接的多个端子和导体图案,所述静电耐压试验装置具备:金属板,其搭载所述安装基板;电源,其用于向所述金属板施加电压;绝缘体,其配置在所述金属板与所述安装基板之间;开关电路,其连接在所述多个端子与接地布线之间;以及控制部,其对所述开关电路进行控制,所述开关电路包含多个第1开关,该多个第1开关构成为与所述多个端子分别对应地设置,并将对应的端子与所述接地布线连接,所述控制部在使蓄积于所述导体图案的电荷经由所述半导体器件向所述接地布线放电时,将从所述多个第1开关中选择出的至少1个第1开关接通。2.根据权利要求1所述的静电耐压试验装置,其中,所述静电耐压试验装置还具备第2开关,该第2开关构成为按照来自所述控制部的控制信号,将所述金属板选择性地连接于所述电源或所述接地布线,所述控制部进行如下处理:将所述多个第1开关断开,并且通过所述第2开关将所述金属板与所述电源连接,由此使所述导体图案带电,将所述至少1个第1开关接通,由此使蓄积于所述导体图案的电荷经由所述半导体器件向所述接地布线放电,并且,将所述至少1个第1开关断开,并且通过所述第2开关将所述金属板与所述接地布线连接,由此对所述金属板进行除电。3.根据权利要求1或2所述的静电耐压试验装置,其中,所述静电耐压试验装置还具备多个探针,该多个探针用于将所述多个第1开关与所述多个端子分别连接,所述多个探针分别具有构成为在前端受到压力而滑动的可动部。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的静电耐压试验装置,其中,所述多个第1开关分别包含水银继电器。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的静电耐压试验装置,其中,所述静电耐压试验装置还具备:测定器,其用于测定所述半导体器件的电特性;运算器,其构成为基于由所述测定器测定的所述电特性的测定值,来判定所述半导体器件的故障;以及第3开关,其构成为按照来自所述控制部的控制信号,将所述开关电路选择性地连接于所述测定器或所述接地布线。6.一种静电耐压试验方法,其用于测定安装基板上的半导体器件的静电耐压,其中,所述半导体器件具有多个引脚,在所述安装基板上设置有与所述多个引脚分别电连接的多个端子和导体图案,
所述静电耐压试验方法具备使所述半导体器件产生静电放电的步骤,使所述半导体器件产生静电放电的步骤包括以下步骤:通过向隔着绝缘体而与所述导体图案对置配置的金属板施加电压,使所述导体图案带电;以及使蓄积于所述导体图案的电荷经由所述半导体器件向接地布线放电,所述放电的步骤包含以下步骤:将从多个第1开关中选择出的至少1个第1开关接通,该多个第1开关构成为与所述多个端子分别对应地设置,并将对应的端子与所述接地布线连接。7.根据权利要求6所述的静电耐压试验方法,其中,所述静电耐压试验方法还具备以下步骤:将所述至少1个第1开关断开并且将所述金属板与所述接地布线连接,由此对所述金属板进行除电。8.根据权利要求6或7所述的静电耐压试验方法,其中,使所述半导体器件产生静电放电的步骤还包括以下步骤:使与所述多个第1开关分别对应地设置的多个探针的前端与所述多个端子接触。9.根据权利要求6至8中的任意一项所述的静电耐压试验方法,其中,所述静电耐压试验方法还具备以下步骤:在执行使所述半导体器件产生静电放电的步骤前,对所述半导体器件的第1电特性进行测定;在执行使所述半导体器件产生静电放电的步骤后,对所述半导体器件的第2电特性进行测定;以及通过对所述第1电特性与所述第2电特性进行比较来判定所述半导体器件的故障。10.根据权利要求9所述的静电耐压试验方法,其中,使所述半导体器件产生静电放电的步骤包含以下步骤:使在所述判定的步骤中判定为正常的所述半导体器件再次产生静电放电,所述再次产生静电放电的步骤包含增加向所述金属板施加的电压的步骤。

技术总结
在安装基板(8)上,设置有与半导体器件的多个引脚分别电连接的多个端子(9a~9c)和导体图案。静电耐压试验装置(100)具备搭载安装基板(8)的金属板(4)、用于向金属板(4)施加电压的电源(2)、配置在金属板(4)与安装基板(8)之间的绝缘体(5)、连接在多个端子(9a~9d)与接地布线之间的开关电路(6)、以及对开关电路(6)进行控制的控制部(7)。开关电路(6)包含多个第1开关(6a~6c),该多个第1开关(6a~6c)构成为与多个端子(9a~9c)分别对应地设置,将对应的端子与接地布线(24)连接。控制部(7)在使蓄积于导体图案的电荷经由半导体器件向接地布线(24)放电时,将从多个第1开关(6a~6c)中选择出的至少1个第1开关接通。选择出的至少1个第1开关接通。选择出的至少1个第1开关接通。


技术研发人员:中西浩平 金谷雅夫 安藤慎一郎
受保护的技术使用者:三菱电机株式会社
技术研发日:2021.06.30
技术公布日:2023/3/17
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