一种光刻胶形貌测量方法、装置、设备及储存介质与流程

【】本发明涉及计算机光刻，特别涉及一种光刻胶形貌测量方法、装置、设备及储存介质。

背景技术

0、
背景技术：

1、光刻工艺优化需要在工艺研发、光刻胶评估、材料选型和掩模版图优化方面进行大量实验，但大量的实验测试会增加经济成本和时间成本。光刻工艺仿真与优化是基于光刻工艺物理模型，以预期结果为目标，对掩模版图形和光刻工艺过程参数进行设计与优化的技术。通过光刻仿真能够精确仿真晶圆上的三维轮廓及变化，当仿真结束后，对仿真结果进行测量和评估这一步骤也尤为关键，以预期结果为目标，观察和总结仿真过程的参数问题，对仿真参数进行优化，降低光刻工艺成本。

2、目前市面上存在的光刻仿真查看器，通常以固定视角查看，或者按切平面索引查看，不支持3d视图灵活显示，更不能对其轮廓进行测量。

技术实现思路

0、
技术实现要素：

1、为了解决现有的光刻仿真结果三维形貌不能灵活查看及测量的问题，本发明提供一种光刻胶形貌测量方法。

2、本发明为解决上述技术问题，提供如下的技术方案：一种光刻胶形貌测量方法，包括以下步骤：获取光刻仿真文件上的关键图形，所述关键图形为三维图形；对关键图形进行切割和阈值处理，得到二维的光刻胶轮廓；切割光刻胶轮廓，得到交点；计算相邻交点的距离，得到测量值。

3、优选地，对关键图形进行切割和阈值处理，得到二维的光刻胶轮廓，包括以下步骤：对关键图形进行切割，得到切平面；对切平面进行阈值处理，得到二维的光刻胶轮廓。

4、优选地，对关键图形进行切割，得到切平面，包括以下步骤：获取关键图形位置信息；基于关键图形位置信息得到切割位置；基于切割位置切割关键图形，得到切平面。

5、优选地，对关键图形进行切割和阈值处理，得到二维的光刻胶轮廓，包括以下步骤：对关键图形进行阈值处理，得到三维的光刻胶轮廓；对关键图形进行切割，得到二维的光刻胶轮廓。

6、优选地，计算相邻交点的距离，得到测量值，包括以下步骤：获取所有交点的位置信息；计算相邻交点之间的距离，得到测量值；保存测量值。

7、优选地，所述光刻仿真文件存储为vtk格式。

8、优选地，所述光刻仿真文件包括一个或多个关键图形。

9、本发明为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种装置，用于实现如上任一项所述的光刻胶形貌测量方法，所述装置包括：获取模块：用于获取光刻仿真文件；截取模块：用于对关键图形和切平面进行阈值处理；切割模块：用于对关键图形和光刻胶轮廓进行切割；计算模块：用于计算相邻交点的距离，得到测量值。

10、本发明为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序以实现如上任一项所述的光刻胶形貌测量方法。

11、本发明为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被执行时实现如上任一项所述的光刻胶形貌测量方法。

12、与现有技术相比，本发明所提供的一种光刻胶形貌测量方法、装置、设备及储存介质，具有如下的有益效果：

13、1.本发明实施例提供的一种光刻胶形貌测量方法，包括以下步骤：获取光刻仿真文件上关键图形；对关键图形进行切割和阈值处理，得到一维光刻胶轮廓；切割一维光刻胶轮廓，得到交点；计算交点间的距离，得到测量值。

14、可以理解的，本实施例通过对关键图形进行一次阈值处理和两次平面切割后可以得到一系列交点，交点之间的距离即为光刻胶的轮廓尺寸，通过计算交点的距离得到测量值，以实现对光刻胶形貌测量的目的。当光刻仿真文件上存在多个关键图形时，通过重复上述方法步骤即可实现批量测量光刻胶关键尺寸，从而提高测量效率。

15、2.本发明实施例对关键图形进行切割和阈值处理，得到二维的光刻胶轮廓，包括以下步骤：对关键图形进行切割，得到切平面；对切平面进行阈值处理，得到二维的光刻胶轮廓。

16、可以理解的，本实施例通过对三维立体的关键图形以预设的角度进行切片操作，得到切平面；再对切平面进行阈值处理得到清晰的光刻胶轮廓，以使得后续切割光刻胶轮廓时能够得到明确的交点对光刻胶形貌进行精确的测量。

17、3.本发明实施例对关键图形进行切割，得到切平面，包括以下步骤：获取关键图形位置信息；基于关键图形位置信息得到切割位置；基于切割位置切割关键图形，得到切平面。

18、本实施例根据关键图形的位置信息获取需要的切割位置，从而对关键图形进行切割处理，应理解，根据实际需求，对关键图形的切割可以是任意角度的切片操作，以得到多角度的光刻胶轮廓进行测量，从而得到更为全面的光刻胶轮廓尺寸。

19、4.本发明实施例对关键图形进行切割和阈值处理，得到二维的光刻胶轮廓，包括以下步骤：对关键图形进行阈值处理，得到三维的光刻胶轮廓；对关键图形进行切割，得到二维的光刻胶轮廓。

20、在另一种实施例中，先对关键图形进行阈值处理，得到清晰的三维光刻胶轮廓，再对三维光刻胶进行切割处理，从而得到清晰的二维的光刻胶轮廓，以使得后续切割光刻胶轮廓时能够得到明确的交点对光刻胶形貌进行精确的测量。

21、5.本发明实施例计算相邻交点的距离，得到测量值，包括以下步骤：获取所有交点的位置信息；计算相邻交点之间的距离，得到测量值；保存测量值。

22、可以理解地，通过对关键图形进行阈值处理和切割得到的交点进行距离计算，得到测量值，也即光刻胶的轮廓尺寸。通过计算由不同角度切割关键图形得到的交点的距离，即可得到多个光刻胶轮廓尺寸。通过计算得到的测量值与预期结果的数据进行对比，可以得到仿真结果的缺陷，以便于对仿真数据进行优化，从而降低光刻工艺成本。

23、6.本发明实施例光刻仿真文件存储为vtk格式。

24、需要说明的是，vtk是一种用于表示多种类型的网络数据的可扩展的三维可视化文件格式，可用于处理三维图像数据，其具备强大的数据可视化和数据分析功能，可以实现单个vtk文件中多种类型数据的存储和可视化，同时还能兼容多个平台，实现跨平台移植。本实施例将光刻仿真结果的数据格式存储为vtk文件格式，并将其放在开源环境中进行复杂的处理操作，使得光刻仿真的后处理更加方便快捷，能够在原数据基础上获取更多的信息。

25、7.本发明实施例光刻仿真文件包括一个或多个关键图形。

26、可以理解的，根据实际仿真情况，一个vtk文件内包括多个关键图形。本实施例提供的光刻胶形貌测量方法在获取到关键图形信息后，可以同时对多个关键图形进行切割、阈值处理及计算测量值，以实现对光刻形貌的批量测量，以便快速得到仿真晶圆上三维轮廓的数据，提高对光刻仿真参数的优化效率。

27、8.本发明实施例提供的一种测量装置，用于实现如上任一项所述的光刻胶形貌测量方法，所述测量装置包括：获取模块：用于获取光刻仿真文件；截取模块：用于对关键图形和切平面进行阈值处理；切割模块：用于对关键图形和光刻胶轮廓进行切割；计算模块：用于计算相邻交点的距离，得到测量值。其具有与如上任一项所述的光刻胶形貌测量方法相同的有益效果，在此不再赘述。

28、9.本发明实施例提供的一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序以实现如上任一项所述的光刻胶形貌测量方法。其具有与如上任一项所述的光刻胶形貌测量方法相同的有益效果，在此不再赘述。

29、10.本发明实施例提供的一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被执行时实现如上任一项所述的光刻胶形貌测量方法。其具有与如上任一项所述的光刻胶形貌测量方法相同的有益效果，在此不再赘述。