一种光刻胶形貌测量方法、装置、设备及储存介质与流程

文档序号:37351743发布日期:2024-03-18 18:32阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种光刻胶形貌测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的光刻胶形貌测量方法,其特征在于,对关键图形进行切割和阈值处理,得到二维的光刻胶轮廓,包括以下步骤:

3.如权利要求2所述的光刻胶形貌测量方法,其特征在于,对关键图形进行切割,得到切平面,包括以下步骤:

4.如权利要求1所述的光刻胶形貌测量方法,其特征在于,对关键图形进行切割和阈值处理,得到二维的光刻胶轮廓,包括以下步骤:

5.如权利要求1所述的光刻胶形貌测量方法,其特征在于,计算相邻交点的距离,得到测量值,包括以下步骤:

6.如权利要求1所述的光刻胶形貌测量方法,其特征在于:所述光刻仿真文件存储为vtk格式。

7.如权利要求1所述的光刻胶形貌测量方法,其特征在于:所述光刻仿真文件包括一个或多个关键图形。

8.一种测量装置,用于实现如权利要求1-7中任一项所述的光刻胶形貌测量方法,其特征在于,所述测量装置包括:

9.一种计算机设备,其特征在于:包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序以实现如权利要求1-7中任一项所述的光刻胶形貌测量方法。

10.一种计算机存储介质,其上存储有计算机程序指令,其特征在于:所述计算机程序指令被执行时实现如权利要求1-7中任一项所述的光刻胶形貌测量方法。


技术总结
本发明涉及计算机光刻技术领域,特别涉及一种光刻胶形貌测量方法、装置、设备及储存介质。所述光刻胶形貌测量方法包括以下步骤:获取光刻仿真文件上的关键图形,所述关键图形为三维图形;对关键图形进行切割和阈值处理,得到二维的光刻胶轮廓;切割光刻胶轮廓,得到交点;计算相邻交点的距离,得到测量值。解决了现有的光刻仿真结果三维形貌不能灵活查看及测量的问题。

技术研发人员:李慧
受保护的技术使用者:东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/17
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