分析。来自分析的信息可以从分析器56被发送并且在控制模块58处被接收。控制模块58可以处理从分析器56接收的信息并且执行如先前所述用于控制模块28的任何功能。控制模块58可以使用接收或生成的信息或者可以将一些或全部这样的信息传输到未在图6中示出的设备。
[0057]如本文中所述的实施例可以帮助测试光电传感器以确定哪个特定光电传感器相比于其它光电传感器更好地适合于特定应用。如果光电传感器将光学地耦合到特定闪烁器，则光电传感器测试装置可以用于生成对应于将由光电传感器接收的闪烁光或其衍生光的模拟光。光电传感器测试装置特别好地适合于模拟具有对应于不同颜色类型的光电传感器的最高量子效率的波长之间的波长处的发射峰值的光和具有较宽发射强度谱(例如，10+%发射光谱的较大宽度)的光。因此，用户可以确定蓝色光电传感器还是绿色光电传感器更好地用于具有可以产生对应于蓝绿光(teal light)的闪烁光或衍生光的闪烁器的辐射检测装置。此外，用户可以确定来自相同颜色类型的光电传感器中的哪个特定光电传感器应当被选择。在阅读该说明书之后，熟练技术人员将领会光电传感器测试装置和方法允许选择仅仅从分析发射光谱、数据手册或光电传感器的其它信息或它们的任何组合不可能获得的光电传感器。因此，光电传感器测试装置和方法可以没有臆测地选择光电传感器而不需要使用闪烁器或导致闪烁器发射闪烁光所需的辐射源。
[0058]许多不同方面和实施例是可能的。在本文中描述那些方面和实施例中的一些。在阅读该说明书之后，熟练技术人员将领会那些方面和实施例仅仅是示例性的并且不限制本发明的范围。另外，本领域的技术人员将理解包括模拟电路的一些实施例可以类似地使用数字电路实现，反之亦然。实施例可以根据下面列出的任何一项或多项。
[0059]项1.一种方法，其包括:
[0060]生成具有对应于闪烁器发射光谱的模拟发射光谱的模拟光，所述闪烁器发射光谱对应于来自闪烁器的闪烁光或闪烁光的衍生光，其中使用多个光源执行生成模拟光，其中在生成的至少一部分期间，生成包括同时发射来自所述多个光源中的至少两个不同颜色类型的光源的光；
[0061]响应接收模拟光获得来自第一光电传感器的第一输出；
[0062]响应接收模拟光获得来自第二光电传感器的第二输出；
[0063]确定所述第一输出和所述第二输出中的哪一个对应于更高量子效率或更高信噪比；以及
[0064]在所述第一光电传感器和所述第二光电传感器之间，选择具有更高量子效率或更高信噪比的特定光电传感器用于光耦合到所述闪烁器。
[0065]项2.根据项I所述的方法，其中所述第一光电传感器具有在第一波长处的最高量子效率；并且所述第二光电传感器具有在第二波长处的最高量子效率。
[0066]项3.根据项2所述的方法，其中所述第一波长和所述第二波长彼此在大约150nm内，在大约10nm内，在大约90nm内，在大约70nm内，在大约50nm内，或在大约20nm内。
[0067]项4.根据项2或3所述的方法，其中所述闪烁器具有在所述第一波长和所述第二波长之间的特定波长处的发射峰值，其中所述特定波长离开所述第一波长和所述第二波长的每一个至少25nm。
[0068]项5.根据项2或3所述的方法，其中所述闪烁器具有在特定波长处的发射峰值，并且所述特定波长不在所述第一波长和所述第二波长之间。
[0069]项6.—种制造辐射检测装置的方法，其包括执行根据项I所述的方法；以及将所述闪烁器光学地耦合到所述特定光电传感器。
[0070]项7.—种辐射检测装置，其包括闪烁器和光学地耦合到所述闪烁器的第一光电传感器，其中所述闪烁器能够发射具有闪烁器发射光谱的闪烁光，所述闪烁器发射光谱具有在特定波长处的发射峰值；所述第一光电传感器具有在第一波长处的最高量子效率；第二光电传感器具有在第二波长处的最高量子效率；所述特定波长在所述第一波长和所述第二波长之间并且离开所述第一波长和所述第二波长的每一个至少25nm ;并且所述第一光电传感器相比于所述第二光电传感器响应接收模拟光或其衍生光具有更高量子效率或更高信噪比，所述模拟光具有对应于所述闪烁器发射光谱的模拟发射光谱；并且所述第二光电传感器不光学地耦合到所述闪烁器。
[0071]项8.—种测试多个光电传感器的光电传感器测试装置，所述光电传感器测试装置包括:
[0072]光模块，所述光模块包括配置成发射在不同波长处具有发射峰值的光的多个光源；
[0073]光控制器，所述光控制器配置成控制所述多个光源以生成具有对应于闪烁器发射光谱的模拟发射光谱的模拟光，所述闪烁器发射光谱对应于来自闪烁器的闪烁光或闪烁光的衍生光，其中所述光控制器配置成使得光能够从所述多个光源中的至少两个不同颜色类型的光源发射；
[0074]组件，所述组件配置成确定多个光电传感器内的第一光电传感器和第二光电传感器中的哪个特定光电传感器具有更高量子效率或更高信噪比。
[0075]项9.根据项8所述的光电传感器测试装置，其中所述组件还配置成选择所述特定光电传感器。
[0076]项10.根据项8或9所述的光电传感器测试装置，其中所述组件包括控制模块。
[0077]项11.根据项10所述的光电传感器测试装置，其中所述组件还包括分析器。
[0078]项12.根据前述项中的任一项所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中所述第一光电传感器相比于所述第二光电传感器响应接收模拟光具有更高量子效率。
[0079]项13.根据前述项中的任一项所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中所述第一光电传感器相比于所述第二光电传感器响应接收模拟光具有更高信噪比。
[0080]项14.根据前述项中的任一项所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中使用多个发光二极管生成所述模拟光。
[0081]项15.根据项14中的任一项所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中所述多个发光二极管包括以下的任何组合:蓝光发光二极管、绿光发光二极管、黄光发光二极管、红光发光二极管和UV光发光二极管。
[0082]项16.根据项14或15所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中所述多个发光二极管包括至少两个、至少三个或至少四个不同颜色类型的发光二极管。
[0083]项17.根据前述项中的任一项所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中所述多个光源包括白光源、UV光源、红外光源或它们的任何组合。
[0084]项18.根据前述项中的任一项所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中:
[0085]所述多个光源包括第一光源和相比于所述第一光源属于不同颜色类型的第二光源；
[0086]在第一时间点，以第一光强度操作操作所述第一光源，并且以第二光强度操作操作所述第二光源，其中所述第一光强度和所述第二光强度大于零；并且
[0087]在第二时间点，所述第一光源、所述第二光源或所述第一光源和所述第二光源两者的光强度不同于在所述第一时间点时的光强度。
[0088]项19.根据项18所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中在所述第二时间点，以不同于所述第一光强度的第三光强度操作所述第一光源；并且大致以所述第二光强度操作所述第二光源。
[0089]项20.根据项18所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中在所述第二时间点，大致以所述第一光强度操作所述第一光源；并且以不同于所述第二光强度的第四光强度操作所述第二光源。
[0090]项21.根据项18所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中在所述第二时间点，以不同于所述第一光强度的第三光强度操作所述第一光源；并且以不同于所述第二光强度的第四光强度操作所述第二光源。
[0091]项22.根据项19至21所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中在所述第二时间点，所述第三光强度和所述第四光强度的每一个大于零。
[0092]项23.根据项19至22所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中在所述第二时间点，所述第三光强度或所述第四光强度大致为零。
[0093]项24.根据前述项中的任一项所述的方法、辐射检测装置或光电传感器测试装置，其中所述闪烁器发射光谱具有是最大发射强度的至少10%的发射强度的宽度，其中所述宽度为至少大约50nm，至少大约70nm，至少大约90nm，至少大约llOnm，至少大约150nm，至少大约200nm，或至