一种复合绝缘子污秽程度非接触检测方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于输变电设备运行状态检修领域，具体涉及一种复合绝缘子污秽程度非 接触检测方法。
【背景技术】
[0002] 近年来复合绝缘子的损坏、污闪事故增加，复合绝缘子污秽程度检测常用等值盐 密法、电压分布法、泄露电流法、红外测温法。
[0003] 等值盐密法工作量大，受人为因素影响较大；电压分布法对绝缘子性质及缺陷较 敏感，不适于检测污秽程度；泄露电流法是通过测量泄漏电流的大小变化来检测复合绝缘 子的污秽程度，泄漏电流测量法受电压等级、复合绝缘子型号、环境等因素影响，不能准确 反映复合绝缘子劣化程度，而且往往泄露电流发生突变时污闪已经发生，检测的成本高；红 外热像测温法可以检测局部放电泄漏电流流过绝缘物质时的介电损耗或电阻损耗等引起 的绝缘子局部温度升高，但是仪器造价高，且温度测量受太阳、风、大气环境等因素的影响， 对复合绝缘子的结构性缺陷较敏感，但对瓷绝缘子的污秽情况没有明显效果。
[0004] 有鉴于此，有必要提供一种适用范围广、受外界干扰小、低成本的复合绝缘子污秽 程度检测方法。
【发明内容】
[0005] 针对现有技术存在的不足，本发明提供一种复合绝缘子污秽程度非接触检测方 法，包括步骤1，采集复合绝缘子信息，提取目标区域；步骤2,确定所述目标区域内的目标 对象分别对应的污秽等级；步骤3,根据所述目标对象的污秽等级确定污秽种类，每一污秽 种类对应一个参考因素，通过所述参考因素满足的判定标准来确定所述复合绝缘子的污秽 等级。该方法采集信息方便，计算污秽等级的方式合理，因此是一种适用范围广、受外界干 扰小、低成本的复合绝缘子污秽程度检测方法。采用该方法不需要接触复合绝缘子即可对 其进行检测，能时时了解复合绝缘子的污秽程度，从而能对绝缘子的污闪风险进行预警，保 护电网的安全运行。
[0006] 为实现上述发明目的，本发明所采用如下技术方案：
[0007] -种复合绝缘子污秽程度非接触检测方法，所述方法包括以下步骤：
[0008] 步骤1 :采集复合绝缘子信息，提取目标区域；
[0009] 步骤2:确定所述目标区域内的目标对象分别对应的污秽等级；
[0010] 步骤3:根据所述目标对象的污秽等级确定污秽种类，每一污秽种类对应一个参 考因素，通过所述参考因素满足的判定标准来确定所述复合绝缘子的污秽等级。
[0011] 作为上述方案的优选，所述步骤1具体为：采集复合绝缘子的高光谱影像，提取所 述高光谱影像中的伞裙作为目标区域。
[0012] 作为上述方案的优选，所述目标对象为像素，所述步骤2中确定所述目标对象分 别对应的污秽等级具体为：对所述伞裙内的每个像素提取光谱曲线，将每个所述光谱曲线 与污秽光谱库相匹配来确定所述像素相对应的污秽等级。
[0013] 作为上述方案的优选，所述光谱曲线与所述污秽光谱库相匹配后采用光谱角度匹 配的方法来确定所述像素相对应的污秽等级。
[0014] 作为上述方案的优选，所述参考因素为像素面积，所述步骤3中根据所述参考因 素满足的判定标准来确定所述复合绝缘子的污秽等级具体为：所述像素面积中的最大值为 sa，其相对应的污秽等级为ta;所述污秽等级中的最大值为t，其相对应的像素面积为s;
[0015] 若s/ 2 Si>0.5其中s 1表示一污秽种类的像素所对应的像素面积，2 s 1表示所有 污秽种类的像素所对应的像素面积的总和，则所述污秽等级t即为所述复合绝缘子的污秽 等级；若s/2 Si< 0. 5,则进一步计算sa/2 S i，若sa/2 Si>0. 5,则所述污秽等级ta即为所 述复合绝缘子的污秽等级，否则，则按
【主权项】
1. 一种复合绝缘子污秽程度非接触检测方法，其特征在于；所述方法包括w下步骤： 步骤1;采集复合绝缘子信息，提取目标区域； 步骤2 ;确定所述目标区域内的目标对象分别对应的污秽等级； 步骤3 ;根据所述目标对象的污秽等级确定污秽种类，每一污秽种类对应一个参考因 素，通过所述参考因素满足的判定标准来确定所述复合绝缘子的污秽等级。
2. 根据权利要求1所述的复合绝缘子污秽程度非接触检测方法，其特征在于；所述步 骤1具体为：采集复合绝缘子的高光谱影像，提取所述高光谱影像中的伞裙作为目标区域。
3. 根据权利要求2所述的复合绝缘子污秽程度非接触检测方法，其特征在于；所述目 标对象为像素，所述步骤2中确定所述目标对象分别对应的污秽等级具体为：对所述伞裙 内的每个像素提取光谱曲线，将每个所述光谱曲线与污秽光谱库相匹配来确定所述像素相 对应的污秽等级。
4. 根据权利要求3所述的复合绝缘子污秽程度非接触检测方法，其特征在于；所述光 谱曲线与所述污秽光谱库相匹配后采用光谱角度匹配的方法来确定所述像素相对应的污 秽等级。
5. 根据权利要求4所述的复合绝缘子污秽程度非接触检测方法，其特征在于；所述参 考因素为像素面积，所述步骤3中根据所述参考因素满足的判定标准来确定所述复合绝缘 子的污秽等级具体为；所述像素面积中的最大值为sa，其相对应的污秽等级为ta;所述污 秽等级中的最大值为t，其相对应的像素面积为S; 若s/2 0. 5其中Si表示一污秽种类的像素所对应的像素面积，2Si表示所有污 秽种类的像素所对应的像素面积的总和，则所述污秽等级t即为所述复合绝缘子的污秽等 级诺s/2Si< 0. 5,则进一步计算sa/2S1，若sa/2Si〉0. 5,则所述污秽等级ta即为所述 复合绝缘子的污秽等级，否则，则按^
的值作为所述复合绝缘子的污秽等级，其 中i表示一污秽种类的污秽等级，
長示每一污秽种类所对应的像素面积所占比 例为权加和。
【专利摘要】本发明提供一种复合绝缘子污秽程度非接触检测方法，包括步骤1，采集复合绝缘子信息，提取目标区域；步骤2，确定所述目标区域内的目标对象分别对应的污秽等级；步骤3，根据所述目标对象的污秽等级确定污秽种类，每一污秽种类对应一个参考因素，通过所述参考因素满足的判定标准来确定所述复合绝缘子的污秽等级。该方法采集信息方便，计算污秽等级的方式合理，因此是一种适用范围广、受外界干扰小、低成本的复合绝缘子污秽程度检测方法。采用该方法不用接触复合绝缘子就可对其进行检测，能时时了解复合绝缘子的污秽程度，从而能对绝缘子的污闪风险进行预警，保护电网的安全运行。
【IPC分类】G01N21-94
【公开号】CN104849287
【申请号】CN201510315924
【发明人】向文祥, 邵瑰玮, 王星超, 张珣, 刘春堂, 罗洋, 沈晓龙, 刘继承, 付晶, 胡霁
【申请人】国家电网公司, 国网湖北省电力公司检修公司, 中国电力科学研究院
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年6月10日