双路运算放大器ICl的正极和硅二极管组的正极；所述稳压二极管VDl的负极连接在双路运算放大器ICl的正极输入端，且稳压二极管VDl的正极通过电阻R2与晶体管VTl的发射极连接。
[0022]实施例4:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，如图1所示，所述双路运算放大器IC2采用TA75458，所述电阻Rl采用IK Ω电阻，所述电阻R2采用1.2ΚΩ电阻，所述晶体管VTl采用NON三极管2SC1815。
[0023]实施例5:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，如图1所示，所述硅二极管组包括相互串联的硅二极管Dl及硅二极管D2。
[0024]实施例6:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，如图1所示，还包括输出放大电路，所述输出放大电路包括双路运算放大器IC2，所述双路运算放大器IC2的负极输入端连接供电电源；所述双路运算放大器的正极输入端连接硅二极管组的负极；所述双路运算放大器IC2的正极输入端与输出端之间连接有电阻R5。
[0025]实施例7:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，如图1所示，所述双路运算放大器IC2的负极输入端通过电阻R3连接供电电源；所述双路运算放大器的正极输入端通过电阻R4连接硅二极管组的负极。
[0026]实施例8:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，如图1所示，在所述双路运算放大器IC2的负极输入端于地之间还连接有电阻R6。
[0027]实施例9:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，如图1所示，所述双路运算放大器ICl采用TA75458，所述电阻R3采用1KΩ电阻，所述电阻R4采用1K Ω电阻，所述电阻R5采用100K Ω电阻，所述电阻R6采用100K Ω电阻。
[0028]实施例10:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，如图1所示，所述供电电源采用+12V电源。
[0029]以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明做任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种采用二极管做传感器的温度测试电路，其特征在于:包括恒流源电路及用于作为温度传感器使用的二极管电路，所述恒流源电路与二极管电路连接，所述的二极管电路包括硅二极管组，且硅二极管组的负极与恒流源电路连接，硅二极管组的正极与供电电源连接。2.根据权利要求1所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路，其特征在于:所述恒流源电路包括双路运算放大器ICl、晶体管VTl、输入偏置电路，所述输入偏置电路与双路运算放大器ICl的正极输入端连接，所述双路运算放大器ICl的输出端与晶体管VTl的基极连接，所述晶体管VTl的集电极与硅二极管组的负极连接，所述晶体管VTl的发射极与双路运算放大器ICl的负极输入端连接。3.根据权利要求2所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路，其特征在于:所述输入偏置电路包括稳压二极管VDl及电阻R1，所述电阻Rl分别连接双路运算放大器ICl的正极和硅二极管组的正极；所述稳压二极管VDl的负极连接在双路运算放大器ICl的正极输入端，且稳压二极管VDl的正极通过电阻R2与晶体管VTl的发射极连接。4.根据权利要求3所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路，其特征在于:所述双路运算放大器IC2采用TA75458，所述电阻Rl采用IK Ω电阻，所述电阻R2采用1.2ΚΩ电阻，所述晶体管VTl采用NON三极管2SC1815。5.根据权利要求1所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路，其特征在于:所述硅二极管组包括相互串联的硅二极管Dl及硅二极管D2。6.根据权利要求1-5任一项所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路，其特征在于:还包括输出放大电路，所述输出放大电路包括双路运算放大器IC2，所述双路运算放大器IC2的负极输入端连接供电电源；所述双路运算放大器的正极输入端连接硅二极管组的负极；所述双路运算放大器IC2的正极输入端与输出端之间连接有电阻R5。7.根据权利要求6所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路，其特征在于:所述双路运算放大器IC2的负极输入端通过电阻R3连接供电电源；所述双路运算放大器的正极输入端通过电阻R4连接硅二极管组的负极。8.根据权利要求7所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路，其特征在于:在所述双路运算放大器IC2的负极输入端于地之间还连接有电阻R6。9.根据权利要求5所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路，其特征在于:所述双路运算放大器ICl采用TA75458，所述电阻R3采用1K Ω电阻，所述电阻R4采用1K Ω电阻，所述电阻R5采用100ΚΩ电阻，所述电阻R6采用100ΚΩ电阻。10.根据权利要求1所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路，其特征在于:所述供电电源采用+12V电源。
【专利摘要】本发明公开了一种采用二极管做传感器的温度测试电路，包括恒流源电路及用于作为温度传感器使用的二极管电路，所述恒流源电路与二极管电路连接，所述的二极管电路包括硅二极管组，且硅二极管组的负极与恒流源电路连接，硅二极管组的正极与供电电源连接；利用硅二极管的温度特性制成的传感器电路，用于对温度进行测试，整个电路具有设计简单、科学合理等特性。
【IPC分类】G01K7/01
【公开号】CN105004441
【申请号】CN201510500207
【发明人】姜迪蛟
【申请人】成都易思科科技有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2015年8月14日